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原帖由 finster 於 2007-9-10 01:05 AM 發表
" \' \7 q) |9 I+ I' A至於另外一篇有探討到emitter area=10*10um^2的BJT的比較,因為年代有點久,我還得再找找,我印象中有幾組不同size的比較,至於有沒有比較出10*10比20*20甚或50*50的值,我不敢說有或者沒有
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0 W- _' }1 A4 n- n0 f1 B7 x" s- [1 R) u再回答一下問題
* N6 W3 h! @- S3 i9 L# |在我作過的Bandgap circuit中,曾下過UMC和MXIC以及Charter,在作post-sim時,抽完LPE的BJT參數和沒抽之前是一樣的,而這表示其實製程廠對於在CMOS製程裡對於BJT並沒有辦法作太多的寄生效應出來,所以所抽出來的LPE才沒有太多的參數,故而製程廠所提供的SPICE Model準不準就變成是一個很重要的課題了
( L/ R) R0 c' v" I/ {8 H! d再者,在CMOS製程裡,主要元件為MOSFET,理所當然在MOSFET所抽出來的寄生效應會比較多參數可供參考,如果是在BiCMOS製程,我想BJT所抽出來的LPE參數應該會多很多吧
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最後,我曾和製程工程師以及一些資深電路設計者談過,在CMOS製程裡作出BJT,那是一種近似的BJT,而在Bandgap circuit中,我們要用的是BJT對溫度的變化,而不是BJT的電流特性,故而在設計Bandgap circuit中,所在意的是溫度與電壓變化對於Bandgap voltage所造成的影響有多少,所以,在SPICE Model中的BJT,主要看其溫度係數變化參數而不在意其電流增益,所以,很多BJT參數是可以被忽略不計的, P5 e" }$ X: t7 H! y
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關於1:8的問題,附件檔這篇之前板上有分享,所以我有大略的看過1 ~( s. \; @( o% f% z
比較不清楚的部份在於它說當N增加時會增加更多的error,卻沒有說明發生的理由與增加多少時此error的程度有多嚴重9 q1 c2 N. H& {
在A CMOS Bandgap Reference Circuit with Sub-1V Operation這篇中是使用1:100
" O# W: D& X3 v0 j$ s6 d* s在A sub-1-V 15-ppm °C CMOS bandgap voltage reference without requiring low threshold voltage device這篇中是使用1:64
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9 v3 C) d: n: G) s4 m關於size的問題,我想知道的是10*10是不是當時比較的幾個bjt中最大的size, i. ^; G: S+ C
如果是,比較好解釋;如果不是,我想知道原因為何8 o# Q. V; H4 c. t5 C3 Q2 M! C
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至於bjt在lpe後並沒有抽出額外的參數,我想應該不能解釋成製程廠無法作出bjt的寄生效應
* ]& Z1 `. `/ I |0 r, L; k因為以電阻來說,在lpe後電阻也同樣抽不出tc1,tc2,vc1,vc2,但這些數值卻是spice model中有明確定義的
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7 K6 s' d4 |, ?" h6 Z2 ~' K至於area這個參數要不要設,我是從以前就沒看過有人在設
6 o% R( g8 h6 P) O只是最近忽然看到hspice manual而想到這個問題 |
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