關於CMOS的正負Tc

relax918

想請問各位較了解Bandgap reference 的大大
之前我有下一顆BGR
所以目前知道的     大部分BGR 是利用BJT~ PN接面的負Tc電壓 與 兩個BJT間的電壓差正Tc 來互相補償
可是現在我在做的是paper上的BGR     他是使用CMOS代替BJT
BJT是利用Area的不同(通常是1:8)~  他CMOS是利用W/L來形成倍數
6 U. @! p1 M/ V( O8 _3 Q$ T因為是paper... 所以很多公式都是三級跳= ="  有看沒有懂
% d+ N8 h3 r; I, W: p
+ @3 z6 c( |$ q: N8 B: `3 ^3 j2 f所以想請問一下大大~  
N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路 (類似BJT的C腳接電路)，S端接地(類似BJT的B、E腳接地)
這樣的架構~   這顆MOS是怎樣的動作~ 產生的是正Tc還是負Tc ?
8 M1 h& _3 R3 p% R* m
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+ L. _( y+ Q3 A請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
bandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
# M6 m6 ]" L1 M- t0 wBandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作
% n9 q# a( p' _  C, K
3 y0 [$ c% M- p8 p4 H
5 \* M& z7 ^/ ]9 N7 t& G
[ 本帖最後由 sjhor 於 2008-7-4 09:47 AM 編輯 ]

ywliaob

NMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
5 Q- h: t2 W- @- y" t2 i* Y應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
假如G端也接地的話 應該會是BJT型態 是正Tc吧
但是我不是很確定喔

li202

NMOS的G接地====>那就關起來了
應該是接成MOS diode的型態

re:relax918
1 W6 }) P* _5 T& ]7 h! }可以把你找的到paper提出來,這樣比較好解惑

Oo海闊天空oO

"N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路"
這種架構就類似於Diode-connected Transistor
二極體接法形式的電晶體
# C- S) w# ~' p# a! g& o( t/ s# {這樣子接~也是呈現負溫度TC的VGS值
! U; l! P6 |# a但是操作在"次臨界區"或是"飽和區"
公式的表示方法也不一樣
9 u9 D1 T1 F- U8 T操作再次臨界區時,CMOS的特性跟DIODE是類似的
7 O. u0 ]' d% ~  b0 C3 N
  m; h9 g7 }' E  z而一般bandgap 用的BJT,也是把B,C接在一起
" x/ o. z6 F6 y; @- `. e, c利用P-N junction的特性而已
/ ^; N0 M6 P* P% q# D. X, B
所以就特性來說~~用CMOS做成的P-N Junction
* F% P/ ^# D# `應該也會跟BJT做出來的有類似的效果

. l+ m8 _2 N$ P* j' l但是何者較穩定就不保證了
6 F6 b3 F8 v9 ]) ?( f
$ b  _9 o. a/ E$ t: L2 j6 k因為就我之前的經驗~使用CMOS做出來的bandgap reference
- l! C; j8 N# e2 h+ V1 u它corner間的變化會很大,所以業界據說~還是偏愛使用BJT

luyan923

一般做bandgap的管子实质就是个N结了，mos是将d和g接在一起，bipolar是将b和c接在一起了，这样主要是利用了pn结的负温度系数的特性。

engineer

為什麼不採用BJT類型的BGR呢？省電因素？

JUI

ywliaob 發表於 2007-9-4 02:25 PM
$ i; C" R5 m( S7 TNMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
( g. N) s0 Y# B  W2 s) w; L4 a應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
假如G端也接地的話  ...

! U% E% x* V0 ~5 b  z感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉
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