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"N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路". ^ F* k- A( i3 f9 K% ?
這種架構就類似於Diode-connected Transistor( ~ Z# S2 g0 ?8 p9 p
二極體接法形式的電晶體7 ?& {- F) ~4 O. |1 g
這樣子接~也是呈現負溫度TC的VGS值
3 F" a7 z0 Y( Y$ S但是操作在"次臨界區"或是"飽和區", F8 u2 S- j* j* W' s6 j3 L6 L
公式的表示方法也不一樣
& x% @; z' F2 q p8 B( S, ~6 u操作再次臨界區時,CMOS的特性跟DIODE是類似的
$ X& C6 D# _: r$ s) I' S) \. Y9 R& M7 n; A: X% x8 U. ]
而一般bandgap 用的BJT,也是把B,C接在一起$ {' l: Z5 a/ P! s, H L* Z
利用P-N junction的特性而已
M3 G: R% n( a; Q# x; q% ~
2 _, C1 ?0 h- P所以就特性來說~~用CMOS做成的P-N Junction
; d) \0 n$ {8 a* V- n應該也會跟BJT做出來的有類似的效果
: g% N7 `) D+ m* ~" X2 J6 G: K6 T3 @
但是何者較穩定就不保證了
X% Q+ n2 K' E1 z3 h4 C1 @$ C
: j; Z/ q0 y* }, I因為就我之前的經驗~使用CMOS做出來的bandgap reference* M1 U) Q7 S, u$ i. b* Z5 |
它corner間的變化會很大,所以業界據說~還是偏愛使用BJT |
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