Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 22172|回復: 6
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 關於CMOS的正負Tc

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2007-9-3 16:09:34 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
想請問各位較了解Bandgap reference 的大大8 A# Y+ F) [+ a0 T& }
之前我有下一顆BGR - n2 Z- q' }/ y
所以目前知道的     大部分BGR 是利用BJT~ PN接面的負Tc電壓 與 兩個BJT間的電壓差正Tc 來互相補償
3 C7 Q6 g+ _8 M: {- s1 i可是現在我在做的是paper上的BGR     他是使用CMOS代替BJT   y  q0 ?- J0 O& h! R/ q6 J
BJT是利用Area的不同(通常是1:8)~  他CMOS是利用W/L來形成倍數
+ h  `( N, i0 l& t因為是paper... 所以很多公式都是三級跳= ="  有看沒有懂9 c; E7 B' g% O1 v% g1 B

3 M3 v0 C, O7 W0 L$ B, `, ]所以想請問一下大大~  
! {0 N3 p* ]2 a. m1 ZN型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路 (類似BJT的C腳接電路),S端接地(類似BJT的B、E腳接地)  v! A; R( d: J  P7 D
這樣的架構~   這顆MOS是怎樣的動作~ 產生的是正Tc還是負Tc ?: X& @9 t6 r. x/ y5 }$ G  q) y

% l- d% ]$ `" H, w  Q3 h/ Z; B以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
- M2 d9 |* R" [4 B! I8 o- p! G% Abandgap voltage reference?
7 F5 s( I8 q3 H! F% A. b  cbandgap voltage reference?
. y. J' R' G- u+ M# j如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
" e4 e% [: y$ x. e! t  wBandgap 如何做到好的line regulation?
# Q* ]: l7 ?! Y0 U4 K請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
2 d: S' i, X1 L' w* Z+ W, }- ^bandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成) - p9 H* o- q0 p$ h+ {
BandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作 7 ~2 B- Q: k2 p( ~. B
' M+ ?" w$ Z5 Z. @/ y9 x4 L
8 b$ g( y! L5 R4 v# x

1 ~7 G; A6 b2 L" Y1 h% b" o- ?5 F[ 本帖最後由 sjhor 於 2008-7-4 09:47 AM 編輯 ]

評分

參與人數 2感謝 +5 Chipcoin +5 收起 理由
兼職外約賴cw778 + 5 台灣及時行樂❤️本土舒壓坊 麻煩線上聯絡.
monkeybad + 5 有什麼問題大家一起討論啦

查看全部評分

分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂516 踩 分享分享
2#
發表於 2007-9-4 14:25:45 | 只看該作者
NMOS D、G端接電路 S、B端接地 
( {1 I& t/ d7 K/ g5 }4 O6 q7 l! d0 [應該還是會以MOS型態動作吧 如此便是負Tc吧1 c+ O) o" a$ B7 }/ [# K
假如G端也接地的話 應該會是BJT型態 是正Tc吧" h, K4 T3 z& A4 |. |& [. a
但是我不是很確定喔

評分

參與人數 1 +2 收起 理由
relax918 + 2 感謝啦!

查看全部評分

3#
發表於 2007-9-19 17:11:09 | 只看該作者
NMOS的G接地====>那就關起來了
9 M7 H8 f3 R0 g應該是接成MOS diode的型態
. q) u5 m/ w, C7 f: s3 z
! _( g5 h% K$ G: h6 X- E; T* Mre:relax918   l$ C9 g; P9 U
可以把你找的到paper提出來,這樣比較好解惑
4#
發表於 2007-10-1 17:36:11 | 只看該作者
"N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路". ^  F* k- A( i3 f9 K% ?
這種架構就類似於Diode-connected Transistor( ~  Z# S2 g0 ?8 p9 p
二極體接法形式的電晶體7 ?& {- F) ~4 O. |1 g
這樣子接~也是呈現負溫度TC的VGS值
3 F" a7 z0 Y( Y$ S但是操作在"次臨界區"或是"飽和區", F8 u2 S- j* j* W' s6 j3 L6 L
公式的表示方法也不一樣
& x% @; z' F2 q  p8 B( S, ~6 u操作再次臨界區時,CMOS的特性跟DIODE是類似的
$ X& C6 D# _: r$ s) I' S) \. Y9 R& M7 n; A: X% x8 U. ]
而一般bandgap 用的BJT,也是把B,C接在一起$ {' l: Z5 a/ P! s, H  L* Z
利用P-N junction的特性而已
  M3 G: R% n( a; Q# x; q% ~
2 _, C1 ?0 h- P所以就特性來說~~用CMOS做成的P-N Junction
; d) \0 n$ {8 a* V- n應該也會跟BJT做出來的有類似的效果
: g% N7 `) D+ m* ~" X2 J6 G: K6 T3 @
但是何者較穩定就不保證了
  X% Q+ n2 K' E1 z3 h4 C1 @$ C
: j; Z/ q0 y* }, I因為就我之前的經驗~使用CMOS做出來的bandgap reference* M1 U) Q7 S, u$ i. b* Z5 |
它corner間的變化會很大,所以業界據說~還是偏愛使用BJT
5#
發表於 2008-9-1 16:00:11 | 只看該作者
一般做bandgap的管子实质就是个N结了,mos是将d和g接在一起,bipolar是将b和c接在一起了,这样主要是利用了pn结的负温度系数的特性。
6#
發表於 2016-5-15 10:00:53 | 只看該作者
為什麼不採用BJT類型的BGR呢?省電因素?
7#
發表於 2023-11-3 01:57:15 | 只看該作者
ywliaob 發表於 2007-9-4 02:25 PM
; s) A! e( K0 I' Y) L8 f5 Y0 _1 hNMOS D、G端接電路 S、B端接地 
( X- T6 c) I$ K! p* T" O應該還是會以MOS型態動作吧 如此便是負Tc吧
& M! d1 _/ q5 ~! }5 ]  \假如G端也接地的話  ...

, J$ M3 g3 m) ]$ ]" l感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉1 P' L9 b* J$ I( H1 X2 C
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-5-16 12:23 AM , Processed in 0.106014 second(s), 17 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表