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[問題求助] noise figure simulation problem

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1#
發表於 2007-9-10 14:41:40 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟最近在做元件的noise figure simulation  發現一個很奇怪的事情
+ ?' I, r% l" J) l  `       7 S2 A$ C3 p( W: _+ }1 G! y
我使用的是0.18um的model card 跑的是RFNMOS) |9 T5 \6 }+ s2 [/ @) A5 ?
其中core的部份所使用的是 bsim3 version=3.24的model7 w3 }: w% q- t$ ^
令我不解的事情是 我使用ic 5.0.33與 ic 5.0.41所跑出來的結果不一樣
5 k" i- T: N" r/ x, v4 z& J8 t8 t從結果看來 應該是ic 5.0.33與 ic 5.0.41造成的- J& ~' d; A! G1 W/ v( j1 `( p
但是所算出來的noise figure不是由bsim3v3的model equation所決定的嗎??
# t& I. ]8 O& T4 U, y$ S% C2 q' E: O! o' _: Z# q; ^4 o7 W! h
另外, 如果我使用ic 5.0.33
$ P- J$ j% o9 O我在CDF中鍵入m=3 (即multiplier=3)        + e1 x2 s# T+ E! b  Y
跟我用m=1 自己手動拉三個mos的symbol出來
! i9 j2 p. n; d6 F4 [noise figure的結果也會不一樣 (其他如iv, spar都會一樣)
" p! T' n# N. ~" h* e* w8 ?& Z& X$ Z/ A. T# V. M
8 e+ Y6 X3 |1 `# U; ~# ?- C
不知道有沒有人有類似的經驗可以分享$ k5 H& h: R# e. z5 P
感謝~~
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2#
發表於 2007-9-11 10:42:01 | 只看該作者
手拉和m=3當然不同,因為rf model為更精確的model,m=3之時,layout 會是3個mos一個gaurd-ring,手拉的話,則是3個mos各自有gaurd-ring,
# F& f9 R# o( ]1 o當然不同.
/ z. G1 y7 |' C9 A: Z* K* p  V使用不同版本的simulator,會有不同的結果,沒有遇到過,不過要看你的設定是否因不同的版本而有所改變.
3#
 樓主| 發表於 2007-9-11 14:43:09 | 只看該作者
layout的時候 三個MOS用一個guard ring圍起來跟 個別的guard ring圍起來 的確會有不同沒錯
- C' D$ s3 A' q7 i- J& O& T8 k& [' }     但是現在只是用model作simulation  它如何知道我要怎麼拉線' A9 Q/ l8 B0 M
     simulator(或者PDK)是怎麼控制讓它跑出來的結果不一樣呢??
+ [8 }  }* d7 t0 K% [9 N$ o- G
8 y7 f+ ^$ h; g1 c/ p" t% v     至於版本的問題   我的整個模擬環境都沒有改變  單純只是版本的不一樣1 I* v1 k& H3 E  ~
     不同的simulator跑出來的結果不一樣  還算正常
8 V% W# [) ^' J) b" G8 k- n3 v     同一simulator不同版本的結果不同  雖然不是不可能  但是還是很想知道差異到底來自何處
) m$ B. ^  k2 x" E& V7 w     我使用的是bsim3的model 照理講 模擬的結果應該是由bsim裡面的code來決定  不是這樣嗎??( ^$ x6 |. U8 u# o2 ~
     (我指的是IV跟thermal noise or flicker noise等 model code裡面有宣告的方程式 非Spar)
4#
發表於 2007-9-21 11:16:16 | 只看該作者
PDK 的RF model是直接可以產生MOS的layout,所以RF PDK已經有考慮此一問題.
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