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[問題求助] 製成變換跟mos 大size的關係

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1#
發表於 2007-10-8 17:46:05 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
有一組可以在tsmc.18製成下work的電路
. O3 h0 T5 l6 u$ H7 b8 c
$ @1 @+ Q$ ~" I+ U; Z0 w如果改用tsmc.35來設計時 mos大小可以照倍數調整嗎?!3 I1 _$ P: l& i: |% X9 ~. G
, E& P( U' o0 g0 h
如果可以 倍率約是多少呢??
1 E' E5 P6 z3 b1 E' k/ d( f
/ d9 h( g, `' @9 o: ^( g% q感情大家!!

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2#
發表於 2007-10-8 19:42:31 | 只看該作者
基本上應該不行直接換
. E+ j/ x  K7 w( s1 C, v1 wSPICE Model不同0 G, F, b, s6 ^  f
參數也不同
$ M5 C( L$ C5 e" A* p9 L7 V3 J5 j應該無法直接比例放大
# ]* h* q0 ~) W9 U
, f/ x) ~+ U3 {$ g& u- i可是如果數位電路可能可以
' Q/ D- b6 |5 K) R不過放大Rail Time and Fall Time可能會變差
3#
發表於 2007-10-18 09:35:51 | 只看該作者
其實這一部份!! 要看你的規格需求吧!!
1 C0 v  E. b( c同樣的  0.18um 的製程!!  都不一定相同!!
3 t- F" U" y- t" w: W所以  最好依你自己的規格  重新設計會比較佳!!
4#
發表於 2007-11-29 17:48:56 | 只看該作者
還是重畫吧..雖然是同晶圓廠但製程是差了一萬八千里..看看Design Rule你就知道了..雖然之前聽說有一個可以改廠..改製程的軟體但聽說跑完之後還是有一堆Rule要改.......蠻費時的..要不然..你覺得Design  要 Layout 幹麻...  當然..萬一IC不會動..拿來推卸責任...是另一種功能....!!
5#
發表於 2007-11-29 17:58:43 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

早期LAYOUT 用參數制& \; ]6 p2 `* w/ T; D' a' j! M
就是想這樣做4 o6 n- [) l' s& o4 |
後來發現不行
$ g8 ~* u, t% W0 }- V不是每ㄍ都按相同比例
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