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在市區還是郊區?透過轉換器或控制器來調節高電流電壓的評估考量 ...

2016-6-6 02:04 PM| 發佈者: SophieWeng@G| 查看: 973| 評論: 0|來自: 德州儀器

摘要: 當工程師需要使用大電流用於負載點(POL)設計時,通常會放棄使用簡便的高密度轉換器(搭配整合式MOSFET電晶體),轉而利用較複雜加入控制器(外部MOSFET電晶體)的解決方案。控制器,與郊區環境類似,相對地來說,具 ...

通常為了尋求更寬敞的生活空間,人們必須搬離市區儘管住在市區生活便利鄰近工作場所,但這些人希望能夠搬到房子更大院子更寬敞的區住宅。同樣地工程需要使用大電流用於負載點(POL)設計時他們通常會放棄使用簡便的高密度轉換器搭配整合式MOSFET電晶體),轉而利用較複雜加入控制器(外部MOSFET電晶體解決方案。控制器,與郊區環境類似,相對地來說,具有較高彈性經濟效益,但會佔據更大的土地空間 更多的電路板空間

至近期電流超過10-15A應用一般會仰賴搭配外部MOSFET電晶體的控制器。設計簡易物料清單(BOM)零件、以及高可靠性高密度解決方案的轉換器,通常只能提供有限的電量

網路路由器開關企業伺服器和嵌入式工系統等應用耗電量越高,它們POL設計需要20A30A40A甚至更多電量。然而,這些應用有極大的空間限制很難與採用控制器和外部MOSFET電晶體的解決方案相容。而問題在於需要大流的應用中,如何使用轉換器而非控制器呢?

答案其實在最新的MOSFET和封裝技術的進展當中 。新一代MOSFET電晶體,如德州儀器NexFET™ MOSFET在矽晶體內較低阻率(Rdson),可進而提高電子流動的能力。透過PowerStack™封裝技術 堆疊積體(IC)MOSFET電晶體 就像區中密密麻麻的建築,能夠在特定的空容納更多西。

圖1:控制器匯集成電路和MOSFET垂直堆疊在PowerStack封裝中

PowerStack裝技術晶圓堆疊和彈片焊接獨特組合,可使四方平面無引腳封裝解決方案集成度更高,實現尺寸更小、熱力表現更佳、比傳統疊加MOSFET電晶體的解決方案有更高的電子能力。

透過最先進的MOSFET電晶體封裝技術,德州在提供集成FET轉換器的產品選擇,高功率和高密度的POL應用TPS548D22屬於德州器高電流同步SWIFT™ DC/DC 降壓轉換器系列,可提供高40A連續電流,並採用40 管腳、5mm×7mm×1.5mm節省布線QFN PowerStack封裝技術瞭解更多德州,請參考DC/DC網站現在,那些不得不搬到郊的人,可以開始考搬回市

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