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凌力爾特IEEE 802.3bt PD 控制器為更高功率鋪路

2016-9-13 01:40 PM| 發佈者: SophieWeng@G| 查看: 1021| 評論: 0|來自: 凌力爾特

摘要: 凌力爾特推出IEEE 802.3bt 受電裝置 (PD) 介面控制器 LT4295,該元件適用於要求接受高達 71W 功率的應用。下一代乙太網路供電 (PoE) 標準 IEEE 802.3bt 使製造商能夠超越 2009 IEEE 802.3at 標準分配的 25.5W 功率, ...
凌力爾特 (Linear Technology Corporation) 日前推出IEEE 802.3bt 受電裝置 (PD) 介面控制器 LT4295,該元件適用於要求接受高達 71W 功率的應用。下一代乙太網路供電 (PoE) 標準 IEEE 802.3bt 使製造商能夠超越 2009 IEEE 802.3at 標準分配的 25.5W 功率,凌力爾特並預備率先提供符合下一代 IEEE 標準的產品。新標準又稱為 PoE++ 或 4PPoE,可提高功率預算以符合新型應用和功能,同時支援 10Gb 乙太網路(10GBASE-T),並保持與較舊版本 IEEE裝置的向後相容性。LT4295 符合 IEEE 802.3bt (草案 2.0) 要求並支援新功能,包括所有新增加的 PD class (5、6、7 和 8)、新增加的 PD type (Type 3 及 Type 4) 以及 5-event分級。

LT4295 為單特徵 802.3bt PD 控制器,內建隔離式開關穩壓器控制器,具備輔助電源支援,能夠在採用高效率順向拓撲和無光耦合反馳式拓撲時同步運作。由於具備高整合度,因此可減少所需元件和電路板空間,而能簡化前端 PD 設計,使 LT4295 僅憑自身 IC就能夠高效率地為PD 負載供電。與內建功率 MOSFET 之傳統 PD 控制器不同的是,LT4295 透過控制外部 MOSFET以大幅降低 PD 所產生的總熱量,並可達到最高的電源效率,由於 802.3bt 的功率水準更高,因而此點更重要。外部 MOSFET 架構使用戶能夠按照需求選擇 MOSFET 尺寸,基於 LT4295 的標準實現方案一般選用 30mΩ RDS(ON) MOSFET。

LT4295 提供工業和汽車溫度級版本,分別支援 –40°C 至 85°C 和 –40°C 至 125°C 工作溫度範圍。LT4295 千顆量購計之單價為 2.75 美元起,目前已可供貨。LT4295 為包括 LT4276 和 LT4275 在內的凌力爾特現有 PoE+ PD 控制器提供了升級途徑。為達到最高的可用功率並減少 PD 產生的熱量,可使用 LT4321 理想二極體橋式控制器。

圖說:PoE++ 乙太網路供電 PD 介面控制器
LT4295性能摘要:
具備順向 / 反馳式控制器的 IEEE 802.3af / at / bt (草案 2.0) 受電裝置 (PD)
外部熱插拔 N 通道 MOSFET 可達到最低功耗和最高系統效率
支援高達 71W 的 PD
5-Event分級檢測
卓越的湧浪保護 (100V 絕對最大值)
寬廣接面溫度範圍 (–40°C 至 125°C)
採用 LT4321 理想二極體橋接器時可提供 >94% 的端對端效率
無光耦合反馳模式操作
輔助電源支援低至 9V
採用 28 接腳 4mm x 5mm QFN 封裝

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