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全球首款內建先進28奈米嵌入式快閃記憶體技術的微控制器

2018-3-27 05:10 PM| 發佈者: SophieWeng@G| 查看: 202| 評論: 0|來自: 瑞薩電子

摘要: 瑞薩推出全球首款內建先進28奈米嵌入式快閃記憶體技術的微控制器,新一代的汽車控制用微控制器RH850/E2x系列,整合6個400 MHz的CPU核心,具有高達16MB的內建快閃記憶體及增強型的安全功能,從基礎將整個Renesas auto ...
先進半導體解決方案頂尖供應商──瑞薩電子(TSE:6723)今日宣佈,其採用28奈米製程技術的業界首款內建快閃記憶體微控制器(MCU)樣品開始出貨。為了實現更高效率及可靠性的下一代環保汽車和無人駕駛汽車,此革命性的RH850/E2x系列MCU整合了多達6個400 MHz的CPU核心,並成為業界第一款能實現最高處理性能(註1)9600 MIPS(註2)內建快閃記憶體的車用MCU。這款新推出的MCU系列還具有高達16MB的內建快閃記憶體,以及增強型的安全功能和功能安全性。

瑞薩針對輔助駕駛和自動駕駛所推出的開放、創新、且可信任的「Renesas autonomy™平台」,提供了端點對端點的解決方案,推動汽車產業朝向下一代環保汽車、聯網汽車、以及無人駕駛汽車的演進發展。此28奈米世代的汽車控制MCU是一款新的突破性產品,它採用了次世代技術以實現汽車的控制,搭配針對雲端連接與感測所設計的R-Car 家族系統單晶片(SoC),成為Renesas autonomy平台的兩大支柱。汽車OEM廠和一線製造商如Denso 公司等,已經開始採用此新款28奈米MCU,並見識到此MCU在開發下一代高燃料效能引擎上所提供的優越性能,以及隨著汽車電氣/電子(E/E)結構改變,此平台對於電子控制單元(ECU)整合需求所具備的無與倫比的擴展性。

RH850/E2x MCU系列主要特色:

高處理性能以實現環保汽車所需的複雜汽車控制
為了開發環保型車輛,次世代高燃料效能引擎需要具備很高的處理性能,以實現新型燃料燃燒系統(fuel combustion systems)。此外,為了實現電動車(EV)與插電式混合動力電動汽車(PHEV,plug-in hybrid electric vehicles)中,馬達和逆變器(inverter)的小型化與高效率化,需要同時具備高處理性能和高整合密度。這款新開發的28奈米製程快閃記憶體MCU,是全球首款實現高達6個400 MHz CPU核心和9600 MIPS處理能力的產品。與先前的40奈米MCU相比,新款的RH850/E2x系列MCU還能在相同功耗的條件下,達到將近三倍的性能。RH850/E2x以精準汽車控制功能所需要的加強型感測器介面,實現了更高的汽車系統整合度。瑞薩的合作夥伴則會提供針對此新型MCU的多核心虛擬環境(multi-core virtual environments)和基於模型(model-based)的開發環境。

進階版OTA更新讓聯網汽車擁有更大的快閃記憶體容量
市場上對於內建式大容量快閃記憶體的需求正不斷在提高當,以支援空中下載(OTA)功能。也就是透過自動且無線的方式更新ECU軟體,藉以控管程式來提高安全性。RH850/E2x系列配備了高達16MB的快閃ROM,且為了符合使用者的需要和偏好,可在寫入作業時只更新任意選擇區域。另外,RH850/E2x系列還帶有改良的串列式介面,包含了多達十個CAN FD和一個乙太網路通道。而支援Evita Medium的安全功能,也讓此MCU能夠為其軟體進行安全和快速OTA更新。

增強型無人駕駛汽車功能安全性
為了符合汽車E/E系統的ISO 26262功能安全標準中的最高等級ASIL-D,RH850/E2x系列採用了雙核心鎖步(dual core lock step)CPU結構,以確保兩個CPU核心所提供的計算相同,RH850/E2x並提供高達四組的CPU,同時改良了各種硬體的功能安全性。對於系統功能故障可能造成危及生命事故的應用來說,這些功能可在故障發生時立即檢測到故障,並保持系統的安全性。瑞薩將提供安全分析工具,以在各種應用場合中,靈活支援安全系統的實現。

繼2015年2月成功開發出28奈米嵌入式快閃記憶體之後,瑞薩於2016年9月宣布與台積公司在28奈米MCU上的合作。如今瑞薩再度達到一個重要的里程碑,也就是為市場提供了全球第一款的28奈米嵌入式快閃記憶體MCU樣品。瑞薩已成功驗證了鰭式結構MONOS快閃記憶體的大規模運作,以因應16/14奈米和更高世代MCU的需求。身為車用半導體解決方案的領導供應商,瑞薩承諾將藉由持續的技術創新,來推動產業的發展,以實現一個安全可靠的汽車環境。

為確保RH850/E2x系列產品的可擴展性,除了28奈米快閃記憶體MCU之外,瑞薩也推出具有上述(1)和(3)特性的40奈米製程MCU,這些MCU目前已在樣品供應階段。而RH850/E2x的28nm和40nm MCU樣品則計畫於2018年3月開始供貨。

(註1)根據瑞薩的研究調查,截至今日與其他公司公佈數據的比較。
(註2)MIPS(每秒百萬指令):電腦處理能力的一種表示值。

《附件》

Main Specifications of the RH850/E2x Series



RH850E2x-FCC2

RH850E2M

Product name

R7F702Z12EDBG

R7F702002EABA

R7F702002EABG

Process

28nm

40nm

CPU

G4MH core

6 cores (Dual core lock-step type: 4 cores)

2 cores (Dual core lock-step type:

2 cores)

Maximum Operating Frequency

400 MHz

Code Flash

16 MB

8 MB

Data Flash(E2PROM)

256 KB + 64 KB

192 KB + 32 KB

RAM

Local RAM 64 KB x 6

+Cluster RAM 1664 KB
+Emulation RAM

+Trace RAM

Local RAM 32 KB x 2

+Cluster RAM 704 KB

DMA function

32 (sDMAC) / 128 (DTS)

MPU (Memory Protection Unit) regions per core

24

Engine Control Timer

ATU-V / GTM

Other Timers

WDT: 6ch, OSTM: 7ch

Encoder Timer: 2ch

WDT:2ch, OSTM:3ch

Encoder Timer:2ch

Serial I/F

SCI: 4ch, High Speed-SPI: 1chHS-IF: 1ch

LIN: 8ch, PSI5-S: 1ch, PSI5:1ch

LIN: 6ch, PSI5-S: 1ch

CSIH: 8ch

CSIH: 6ch

Ethernet

1ch

Renesas High-Speed Bus

RHSB4ch

RHSB2ch

CAN

CAN/CAN FD10ch

CAN/CAN FD5ch

SENT

SENT20ch

SENT17ch

ADC

SAR AD/Delta-sigma AD / Cyclic AD

96ch / 38ch / 8ch

80ch / 26ch / 8ch

Security module

ICU-M + IFS

Debug I/F

NEXUS-JTAG, LPD, Aurora-I/F

NEXUS-JTAG, LPD

Power Supply Voltage

4.5-5.5V/3.0-3.6V/1.025-1.155V 

4.5-5.5V/3.0-3.6V/1.2-1.35V 

Other Peripherals

Safety function (Error Control Module, CRC, MISR [Multi-Input Signature Generator], Voltage Monitor, Logic-BIST & Memory BIST, temperature sensor), Digital filter engine (DFE) etc.

Package

468-pin P-BGA

(25mm x 25mm)

373-pin P-BGA

(21mm x 21mm)

373-pin P-BGA

(21mm x 21mm)

292-pin P-BGA

(17mm x 17mm)


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