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30 kW三相Vienna PFC參考設計利用SiC二極體和MOSFET器件提供高穩健性和高性能 ...

2018-5-24 02:36 PM| 發佈者: SophieWeng@G| 查看: 891| 評論: 0|來自: 美高森美

摘要: 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣佈提供採用碳化矽(SiC) 二極體和MOSFET器件的全新可擴展30 kW三相Vienna功率因數校正(PFC)拓撲參考設計。這款可擴展的使用者友好解決方案由美高森美與美國北卡羅萊納州立大學 ...
致力於在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化半導體技術方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣佈提供採用碳化矽(SiC) 二極體和MOSFET器件的全新可擴展30 kW三相Vienna功率因數校正(PFC)拓撲參考設計。這款可擴展的使用者友好解決方案由美高森美與美國北卡羅萊納州立大學(NCSU)合作開發,非常適合快速電動車(EV)充電和其他大功率汽車和工業應用;此外,它亦可利用美高森美功能強大的SiC MOSFET和二極體,為客戶提供更高效的開關以及高雪崩/高重複性非鉗位元感應開關(UIS)能力和高短路耐受額定值。

美高森美副總裁兼離散元件和電源管理部門經理Leon Gross表示:「汽車市場不斷變化,混合動力車(HEV)和電動車日益增加,SiC器件可以使得這些車輛提高效率,行走更遠路程。這繼續推動了市場對我們產品組合中的這些SiC器件以及其他高可靠性產品的高需求。在過去幾年來成功發佈SiC MOSFET和二極體產品組合後,我們新推出的三相三開關三電平PFC參考設計是一個具體示例,說明如何在要求嚴苛的應用中利用這些部件,展示其穩健性、高性能和整體價值。」

美高森美的使用者友好30 kW三相PFC參考設計包括用於其下一代SiC二極體和MOSFET的設計檔、開源數位控制軟體和使用者指南。與單相PFC和兩電平六開關升壓脈寬調變(PWM)整流器設計相比,該拓撲結構具有多項優勢,包括在連續導通模式下工作的失真極低,並可降低約百分之九十八的電源器件開關損耗;與Si/IGBT解決方案相比,它還具有高效率和緊湊外形尺寸的優勢。

該參考設計還提供詳細的3D機械和散熱設計,並備有整合的風扇和冷卻通道以降低熱阻和縮小總系統尺寸。其印刷電路板(PCB)佈局在開發時已考慮了安全性、電流應力、機械應力和抗雜訊能力。參考設計套裝包括可立即使用的硬體和經過驗證的開源軟體,可降低大功率開關設計的技術風險,同時加快產品推出市場。

除了適合快速EV/HEV充電器和適用於汽車和工業市場大功率三相電源外,美高森美全新主動式三相PFC參考設計還可以用於醫療、航太、國防和資料中心市場。這款參考設計補充了用於HEV/EV充電、插電/感應式車載充電器(OBC)、DC-DC轉換器和電動車動力系統/牽引控制、光伏(PV)逆變器和作動器應用美高森美整體SiC解決方案組合。

包括IndustryARC和Technavio在內的市場研究機構預計,電動車電力電子市場到二○二一年的年複合增長率(CAGR)將達到百分之十九至三十三。包括SiC器件在內的寬頻隙半導體器件具有高工作溫度能力和高效率,因此在EV動力傳送、DC-DC轉換器、充電和開關電源應用中的使用將會與日俱增。

展會訊息
6/5~7日在PCIM展會6號展廳318展位將進行演示全新Vienna PFC參考設計和美高森美SiC解決方案。

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