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英飛凌推出 CoolSiC™ MOSFET 1700 V SMD 封裝 為高壓輔助電源供應器提供最佳效率並降 ...

2020-6-8 06:48 PM| 發佈者: SophieWeng@G| 查看: 67| 評論: 0|來自: 英飛凌

摘要: 英飛凌擴充旗下 CoolSiC™ MOSFET 系列電壓等級,新添具專屬溝槽式半導體技術的 1700 V 電壓等級產品,新款 1700 V 表面黏著裝置 (SMD) 產品充分發揮了碳化矽 (SiC) 強大的物理特性,提供優異的可靠性和低切換及導通 ...

英飛凌科技股份有限公司 (FSE:IFX/OTCQX:IFNNY) 擴充旗下 CoolSiC™ MOSFET 系列電壓等級,繼今年稍早推出的 650 V 產品後,現在更新添具專屬溝槽式半導體技術的 1700 V 電壓等級產品。新款 1700 V 表面黏著裝置 (SMD) 產品充分發揮了碳化矽 (SiC) 強大的物理特性,提供優異的可靠性和低切換及導通損耗。1700 V CoolSiC MOSFET 適用於三相轉換系統的輔助電源供應器,例如:馬達、再生能源、充電基礎設施及 HVDC 系統等。

英飛凌科技股份有限公司 (FSE:IFX/OTCQX:IFNNY) 擴充旗下 CoolSiC™ MOSFET 系列電壓等級,繼今年稍早推出的 650 V 產品後,現在更新添具專屬溝槽式半導體技術的 1700 V 電壓等級產品。新款 1700 V 表面黏著裝置 (SMD) 產品充分發揮了碳化矽 (SiC) 強大的物理特性,提供優異的可靠性和低切換及導通損耗。1700 V CoolSiC MOSFET 適用於三相轉換系統的輔助電源供應器,例如:馬達、再生能源、充電基礎設施及 HVDC 系統等。


全新 1700 V CoolSiC 溝槽式 MOSFET 適用於 +12 V/0 V 閘極源極電壓與一般 PWM 控制器相容的返馳式拓撲,因此,無需閘極驅動 IC,就能直接以返馳式控制器來運作。導通電阻額定值為 450 mΩ、650 mΩ 或 1000 mΩ。全新 7 引腳 D2PAK SMD 封裝提供 7 mm 以上的爬沿距離及空間距離,可實現一般 1700 V 應用的要求和 PCB 規格,將整個設計的隔離效果降到最少。


供貨情況

採用 D2PAK-7L 封裝的 1700 V CoolSiC MOSFET 已開始批量上市。

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