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英飛凌針對靜態切換應用擴展600 V CoolMOS™ S7 系列 MOSFET 產品

2021-4-9 07:51 PM| 發佈者: SophieWeng@G| 查看: 458| 評論: 0|來自: 台灣英飛凌科技(股)公司

摘要: 英飛凌科技針對靜態切換應用,在 600 V CoolMOS™ S7 系列新增兩款最佳化裝置,分別是工業級 CoolMOS S7 10 mΩ 以及車規級 CoolMOS S7A,不僅具備同級產品中最小的 RDS(on),最實惠的單位面積 RDS(on) 價格 (RDS(on ...
以低頻切換 MOSFET 的應用中,高功率產品設計必須符合幾個關鍵特性:包括減少導通損耗、提供最佳熱行為,實現小體積輕量化系統,並且保持經濟成本的最高品質。為符合上述需求,英飛凌科技股份有限公司 (FSE:IFX/OTCQX:IFNNY) 針對靜態切換應用,在 600 V CoolMOS™ S7 系列中新增兩款最佳化裝置,分別是工業級 CoolMOS S7 10 mΩ 以及車規級 CoolMOS S7A。

CoolMOS S7 10 mΩ 具有極小的 600 V 超接面 MOSFET 導通電阻 (RDS(on)),適用於現有固態繼電器 (SSR) 等對最小傳導耗損要求極為嚴格的應用領域。相較之下,車規級 CoolMOS S7A 可滿足固態斷路器 (SSCB) 和二極體並聯/替換所設定的系統效能要求,適用於高電壓 (HV) eFUSE、HV eDisconnect 電池斷路開關以及車載充電器等高功率/效能設計的汽車應用。

此系列產品係基於知名 CoolMOS 7 技術平台最佳化所獲得的開發成果。特別針對靜態切換和大電流應用,強化裝置效能。因此,新裝置不僅符合最高品質標準,並擁有最佳性價比,同時注重傳導效能、能源效率、功率密度及改善熱阻等特性。

CoolMOS S7 10 mΩ 和 CoolMOS S7A 晶片具備同級產品中最小的 RDS(on),最實惠的單位面積 RDS(on) 價格 (RDS(on) x A x cost)。此外,產品採用創新的頂層冷卻 (TSC) QDPAK SMD 封裝,具有絕佳的熱行為,可取代 THD 裝置 (如 TO-247) 並且更省空間。以 QDPAK 的表面黏著裝置代替 THD,佔高可減少 94%,進而可增加功率密度。利用 CoolMOS™ S7 10 mΩ 和 CoolMOS S7A 的低導通損耗特性,可縮小散熱器尺寸達 80%,在外型尺寸不變的前提下,可提高額定電流和電壓值。

供貨情況
目前可訂購以 TSC QDPAK 封裝 (HDSOP-22-1) 的 CoolMOS S7 10 mΩ 和 CoolMOS S7A 裝置。

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