推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，推出業界首款專用臨界導通模式(CrM)圖騰柱PFC控制器，是該公司超高密度離線電源方案組合的新成員。
在傳統的PFC電路中，整流橋二極管在240 W電源中的損耗約4 W，佔總損耗的20%左右。相比之下，PFC級的能效通常為97%，LLC電路實現類似的性能。然而，用 「圖騰柱」配置的開關取代有損耗的二極管，並拉入升壓PFC功能，可減少電橋損耗，顯著提高整體能效。此外，NCP1680可適用於任何開關類型，無論是超級結矽MOSFET還是碳化矽 (SiC) 或氮化鎵 (GaN) 等寬能隙開關。 新的 NCP1680 CrM 圖騰柱 PFC 控制器採用新穎的電流限制架構和線路相位檢測，同時結合經驗證的控制算法，提供高性價比的圖騰柱 PFC方案，而不影響性能。該 IC 的核心是內部補償數位環路控制。該創新器件採用含谷底開關的恆定導通時間 CrM 架構。由於內置非連續導通模式 (DCM)，在頻率返走工作期間谷底同步導通，因此可滿足現代能效標準，包括那些要求在輕載下提供高能效的標準。 該高度整合的器件可實現用於電信5G、工業和高性能計算的電源設計，在通用電源 (90 至 265 Vac) 下，以高達350 W的建議功率水準工作。在 230 Vac 電源輸入下，基於 NCP1680 的 PFC 電路能夠在 300 W實現近 99% 的能效。在外部只需幾個簡單的器件即可實現全功能圖騰柱 PFC，從而節省空間和器件成本。 進一步減少器件數，實現逐週期電流限制，無需霍爾效應感測器。 NCP1680採用小型SOIC-16封裝，也可作為評估平台的一部分，支持快速開發和調試先進的圖騰柱PFC設計。 根據圖騰柱開關技術中，當中包括了高速半橋和低速半橋兩路，其中在高速半橋上，NCP1680 可與 NCP51820 半橋 GaN 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 門極驅動器或 NCP51561 隔離型 SiC MOSFET 門極驅動器一起使用。NCP51561 是隔離型雙通道門極驅動器，具有 4.5 A 源電流和 9 A 灌電流峰值能力。新器件適用於矽功率 MOSFET 和基於 SiC 的 MOSFET 器件的快速開關，提供短且匹配的傳播延遲。兩個獨立的 5 kVRMS (UL1577 級) 電隔離門極驅動器通道可用作兩個下橋、兩個上橋開關或一個半橋驅動器，具有可編程的死區時間。一個使能引腳將同時關斷兩個輸出，且 NCP51561 提供其他重要的保護功能，如用於兩個門極驅動器的獨立欠壓鎖定 (UVLO) 和使能功能。 安森美半導體提供陣容廣泛的 SiC MOSFET，它們比矽 MOSFET 提供更高能效。低導通電阻 (RDS(on)) 和小巧的晶片尺寸確保低電容和門極電荷 (Qg)，以在更小的系統尺寸中提供最高的能效，從而提高功率密度。安森美半導體已發佈採用 TO-247-4L 和 D2PAK-7L 封裝的 650 V SiC MOSFET，並將繼續增加該產品系列。此外，安森美半導體提供完整的矽基 650 V SUPERFET® III MOSFET 產品組合。 |
首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司
GMT+8, 2024-4-17 06:35 AM , Processed in 0.072004 second(s), 16 queries .
Powered by Discuz! X3.2
© 2001-2013 Comsenz Inc.
