| 極小化研發工作和成本、耐用且高效的運行是現代電力電子系統對於中壓氮化鎵（GaN）開關的關鍵要求。英飛凌科技股份有限公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)根據其戰略性設計的 GaN 產品系列，不斷加強全系統解決方案，推出了EiceDRIVER™ 1EDN71x6G HS 200V 單通道閘極驅動器IC系列。新產品系列旨在提高CoolGaN™肖特基閘極（SG）HEMT的性能，但也相容於其他GaN HEMT和矽MOSFET。閘極驅動器的目標鎖定廣泛應用，包括DC-DC轉換器、馬達驅動器、電信、伺服器、機器人、無人機、電動工具以及 D 類音訊放大器等。
1EDN71x6G
版本配備可選擇拉高與拉低驅動方式，無須閘極電阻，即可將波形和切換速度最佳化。因此，得以縮小功率級配置與減少 BOM 元件。最強大/最快速的驅動版本 (1EDN7116G) 適用於含有大量並聯的半橋式配置；最微弱/最慢速的驅動版本 (1EDN7146G) 可用於部分 dv/dt 受限的應用，如馬達驅動器或極小的 GaN (高 RDS(on)、低 Qg) HEMT。每個版本的遮沒時間各自不同，會與建議的最短停滯時間、最小脈衝寬度和傳播延遲成正比。 真正的差分邏輯輸入(TDI)功能可消除低側應用中因接地彈跳而造成的錯誤觸發風險，且可使 1EDN71x6G 處理高端應用。此外，所有版本皆具有主動米勒鉗制功能以及極強的下拉功能，可避免感應導通。這可為避免閘極驅動迴路中發生干擾提供額外的穩固性，特別是在驅動具有高米勒比的電晶體時。 此外， 1EDN71x6G 還提供主動靴帶式鉗制，以免靴帶式電容器在停滯時間期間過度充電。這可提供靴帶式電源電壓調節，能保護高側電晶體閘極，無須額外的調節電路。如有需要 (如在無法完全將 PCB 配置最佳化的情況下)，還可提供含有可調式負關斷電源的選配可程式設計電荷泵，藉以取得額外的米勒感應導通抗性。 供貨情況
採用 PG-VSON-10封裝，用於 CoolGaN
SG HEMT 的 EiceDRIVER
HS 200 V 單通道閘極驅動器IC 1EDN7116G、1EDN7126G、1EDN7136G和1EDN7146G現已開放訂購。 |
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