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Editorial: MPR Analysts' Choice Awards ( `+ E0 w m: l) p2 F/ A# y
MPR Innovation Award: Razor
; P% Q( j. S E% `MPR Innovation Award: Eutecus
8 G3 J2 J: J" ]" MMPR Innovation Award: High-k
& f) v& V( b; _7 w( B, P% ZMPR Innovation Award: Planet82's SMPD
* }! W% |# d6 t6 ]; q+ B9 GMPR Innovation Award: Ambric3 b/ K) C" q6 ^$ H4 Q% I
MPR Innovation Award: ARM996HS
2 r% z) a H" X0 A9 q* {MPR Innovation Award: MRAM
2 Z9 r8 _, _! L# e3 NMPR Innovation Award: Intel Core
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飛思卡爾的MRAM元件榮獲Microprocessor Report的創新類獎項% A7 c6 L! ]; A# L9 Q o
MR2A16A先進的磁電阻式隨機存取記憶體,陸續獲得業界肯定
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% c# |! r4 b1 [& L2007年2月26日德州奧斯汀報導 – 全球首屈一指的嵌入式半導體產品設計兼製造廠商飛思卡爾,其4百萬位元MRAM元件最近榮獲In-Stat的Microprocessor Report年度「創新」類獎項。該元件在同年內也獲得了Electronic Product的「年度產品大獎」、同時還入圍了EDN的創新大獎及EE Times的ACE大獎等獎項的決選。9 S$ p5 V$ c/ a
" N1 T* R: a O1 yMR2A16A元件融合了非揮發性記憶體(non-volatile memory,NVM)及隨機存取記憶體(RAM)雙方的優點,為新型的智慧型電子元件提供「瞬間啟動」及功率損耗防護等功能。MRAM元件適用於多種商業應用,例如網路、安全性、資料儲存、遊戲及印表機等等。MR2A16A的設計可以提供可靠、經濟的單一元件替代方案,以取代原本需要附帶電池的SRAM單元。該款元件亦可用在快取緩衝器、組態儲存記憶體,以及其他需要MRAM高速、耐久及非揮發性等特點的應用。
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飛思卡爾運輸及標準產品事業部資深副總裁暨總經理Paul Grimme表示:「從像In-Stat的Microprocessor Report這樣信譽卓著的刊物獲得來自業界的持續肯定,更突顯了MR2A16A MRAM產品在突破性創新及商業方面的潛力。身為第一家將MRAM技術商業化的廠商,我們堅信飛思卡爾的非揮發性記憶體產品,絕對會成為近十年來在半導體技術方面最重大的突破之一。」 3 s" G. u2 z" Z' C- f
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獲獎者皆由In-Stat的技術分析師遴選而得,他們代表國際知名的新聞刊物如Microprocessor Report及春秋兩季的年度Processor Forum (處理器論壇)背後的團隊。In-Stat是Microprocessor Report的發行機構,於2月20日公佈了第八屆的分析師推選大獎。該獎項代表了微處理器業界中最富趣味及活躍的產品領域。要獲得入圍,候選產品必需要具備重大的技術創新及話題性、而且必須是去年推出的新產品。 0 F& }* l. }1 ]' q
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有關飛思卡爾的MRAM產品及技術詳情,請參閱網http://www.freescale.com/files/pr/mram.html。
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[ 本帖最後由 jiming 於 2007-3-1 06:01 PM 編輯 ] |
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