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[創新研發] Microprocessor Report年度「創新」獎揭曉

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發表於 2007-3-1 18:00:18 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
Editorial: MPR Analysts' Choice Awards 3 c3 P9 @) Y3 M/ T( L3 ^& @
MPR Innovation Award: Razor
% j6 F: L% B1 u* F! Y4 K: b8 GMPR Innovation Award: Eutecus
3 t: G7 t' G1 c" vMPR Innovation Award: High-k / z% W. J" w+ F! B0 Y1 k7 X
MPR Innovation Award: Planet82's SMPD ( j8 t" v+ E+ C7 `$ A; H" j! E, ^
MPR Innovation Award: Ambric6 q- d4 p0 j; H4 }" A$ W/ u
MPR Innovation Award: ARM996HS
3 q' y1 c, ]9 I* C9 r. p1 s7 s* S+ HMPR Innovation Award: MRAM
2 t5 F# B9 l( e0 N; h# ?MPR Innovation Award: Intel Core. w4 i' T3 Y. k, Y2 R

; C* k# O0 }, ]飛思卡爾的MRAM元件榮獲Microprocessor Report的創新類獎項( E! P$ X, b+ W  E
MR2A16A先進的磁電阻式隨機存取記憶體,陸續獲得業界肯定 # f# {' D: O; c( A! ^$ N7 Z
% C7 |4 E2 f* C1 |" {
2007年2月26日德州奧斯汀報導 – 全球首屈一指的嵌入式半導體產品設計兼製造廠商飛思卡爾,其4百萬位元MRAM元件最近榮獲In-Stat的Microprocessor Report年度「創新」類獎項。該元件在同年內也獲得了Electronic Product的「年度產品大獎」、同時還入圍了EDN的創新大獎及EE Times的ACE大獎等獎項的決選。
$ G( y# U' e- f9 P3 v" s! D- m5 c2 f# O5 v" q
MR2A16A元件融合了非揮發性記憶體(non-volatile memory,NVM)及隨機存取記憶體(RAM)雙方的優點,為新型的智慧型電子元件提供「瞬間啟動」及功率損耗防護等功能。MRAM元件適用於多種商業應用,例如網路、安全性、資料儲存、遊戲及印表機等等。MR2A16A的設計可以提供可靠、經濟的單一元件替代方案,以取代原本需要附帶電池的SRAM單元。該款元件亦可用在快取緩衝器、組態儲存記憶體,以及其他需要MRAM高速、耐久及非揮發性等特點的應用。! P% V) w& l$ Y* f; y; N3 B" s

3 ~( f/ f% ?# Y* l  }2 T飛思卡爾運輸及標準產品事業部資深副總裁暨總經理Paul Grimme表示:「從像In-Stat的Microprocessor Report這樣信譽卓著的刊物獲得來自業界的持續肯定,更突顯了MR2A16A MRAM產品在突破性創新及商業方面的潛力。身為第一家將MRAM技術商業化的廠商,我們堅信飛思卡爾的非揮發性記憶體產品,絕對會成為近十年來在半導體技術方面最重大的突破之一。」 # y' j; L! Q& [+ y$ e+ x
# ^( Z8 O. E4 l, n( q% ~/ l. r. N
獲獎者皆由In-Stat的技術分析師遴選而得,他們代表國際知名的新聞刊物如Microprocessor Report及春秋兩季的年度Processor Forum (處理器論壇)背後的團隊。In-Stat是Microprocessor Report的發行機構,於2月20日公佈了第八屆的分析師推選大獎。該獎項代表了微處理器業界中最富趣味及活躍的產品領域。要獲得入圍,候選產品必需要具備重大的技術創新及話題性、而且必須是去年推出的新產品。
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" G" {. p' j9 a! [, g7 @有關飛思卡爾的MRAM產品及技術詳情,請參閱網http://www.freescale.com/files/pr/mram.html5 r' S: q; K) J1 v" e2 x

3 ^' I6 I( b. \- e" S+ \[ 本帖最後由 jiming 於 2007-3-1 06:01 PM 編輯 ]
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