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我在課本中和同學有提到在訊號線上用兩個逆偏的diode可以當作esd的簡單的裝置。而且在layout中$ ]) ? { B- p
也可以解 anttena rule的錯誤。其電路圖如下:
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3 }, Q8 e' \3 N) O2 I. N8 b5 R而我畫的layout圖如下:+ ]( C. `1 | b( p1 O/ x) m" Y
: ]3 h' ?/ M( m) _4 B0 G2 I
" Z( N$ J* j2 B: d# l- \% A
我現在有個疑問。因為這個不是lvs會被認成二極體的,所以rcx抽出的postsim應該不會有這些diode。
" d6 ]* |# J: g8 O我是想要知道在台積電的0.18um cmos製程中。這樣的pn接面其特性是如何?
* F/ X7 h. l# ]! e1 Z& j h1.pn接面導通的電位多大?跟pn接面的面積有沒有關係% q: S0 S8 m) X" @/ \" P; I! W
2.導通電流多大?跟pn接面的面積有沒有關係2 n" t( ]4 c( [
3.逆偏崩潰電壓多大?跟pn接面的面積有沒有關係5 V& }1 p! y7 s2 M2 x5 j
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拜託有人能給我一點指引,謝謝。 |
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