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[問題求助] pn junction 的電路的設計與layout

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發表於 2009-11-6 17:02:36 | 顯示全部樓層 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
我在課本中和同學有提到在訊號線上用兩個逆偏的diode可以當作esd的簡單的裝置。而且在layout中( C( k" Z9 G: w  O3 j9 f
也可以解 anttena rule的錯誤。其電路圖如下:
& Y+ w* p# I& R0 A' d: m) B2 r6 k1 F/ j. b8 ~% T+ R
而我畫的layout圖如下:0 n+ w2 w5 B- X, @% Z- x* N8 N
4 N) I" t! J/ K

- W5 Z, \+ C# T% t* [/ j2 n我現在有個疑問。因為這個不是lvs會被認成二極體的,所以rcx抽出的postsim應該不會有這些diode。
; @3 O' v8 C5 D" I9 a/ n我是想要知道在台積電的0.18um cmos製程中。這樣的pn接面其特性是如何?6 q) \% J2 N% j0 W% Q5 w
1.pn接面導通的電位多大?跟pn接面的面積有沒有關係
  B: q! V% o0 O* a: y2.導通電流多大?跟pn接面的面積有沒有關係; X; }: b: E1 H! Q# U
3.逆偏崩潰電壓多大?跟pn接面的面積有沒有關係
4 X2 U: _( e; u' |) X$ }: H$ c2 Q$ O0 g1 n; X9 V: g! O
拜託有人能給我一點指引,謝謝。
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