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我在課本中和同學有提到在訊號線上用兩個逆偏的diode可以當作esd的簡單的裝置。而且在layout中9 q! K0 H0 j& C5 x. T! e$ d
也可以解 anttena rule的錯誤。其電路圖如下:
' E/ q/ \% l9 u/ f- F( T" Z
, a" T: s) a9 ?而我畫的layout圖如下:
X6 O& `' A' ^# _9 {, G! P" V7 U' G1 |; t/ B
3 [1 U* F2 k7 s! J我現在有個疑問。因為這個不是lvs會被認成二極體的,所以rcx抽出的postsim應該不會有這些diode。
# S% S0 |& r% i6 h我是想要知道在台積電的0.18um cmos製程中。這樣的pn接面其特性是如何?! M2 V! O7 }$ N" u v
1.pn接面導通的電位多大?跟pn接面的面積有沒有關係, h4 |& p+ [* y+ A& D) p
2.導通電流多大?跟pn接面的面積有沒有關係5 Q* |7 J! l6 g4 C
3.逆偏崩潰電壓多大?跟pn接面的面積有沒有關係
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拜託有人能給我一點指引,謝謝。 |
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