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這個問題在 LED driver 會常常遇到
7 E6 t2 y5 b7 G% n3 N8 k# M( v& Y" A! Z3 S) H" s) c
首先是準確度的問題, 由於需求是 1:200, 最直觀的方法就是以 MOS size 去控制. }; ~% D4 |. T9 d
然而由 MOS 飽和區電流公式 ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS) 可知5 Y$ V2 l9 C$ n5 D0 J% h
主要誤差來自於 channel length modulation effect [(1+lamda*VDS)項]8 J* v( Y0 ^$ M* c. v( S- H
鎖定 VDS 其中一個方法 就是使用 OPA 回授控制
8 Z/ B6 g1 h* L( z/ n/ c另外, VGS 雖然不是誤差項, 但由於必須推動大負載, 所以ㄧ般會接一個 pre-drive 增加驅動力7 V- `$ c( j0 ^; [/ E; A& i' D
並減短設定時間
$ G$ c6 o4 |7 y3 x0 X7 N0 s/ |) K& Y2 U
channel 跟 channel 之間的差異定義為 bit-to-bit error7 u( u. A: E9 u8 G) a2 X
這方面的差異, 主要是由 layout 本身的 mismatch 產生, 較佳的layout對稱性可有效解決這個問題( y' E Q' `; T; b
) h T0 |3 R9 d/ x! ~+ L% D) p ?
至於 powerMOS size 部分, 主要是由 output minimum voltage 決定,/ C" |7 {- X+ {% D
此規格與最大電流値直接決定了 Rds(on) = Vo(min)/Io(max)
f. E8 [$ ]" O; T
4 p, W7 S$ a, F7 ^7 K溫度所引起的電流變化, 主要是改變了 VTH(T)
) @7 |8 Q: Y7 q, m這方面可由 layout 解決, 將源頭 MOS 與 powerMOS 擺近一點, 讓彼此的溫度差異縮至最小
) Q8 T& l7 V) I0 p: i: F: j( r) }然而, 溫度方面較麻煩的難題在於 package 的選定,
5 M" W& J F! a9 e在正常操作下, 假設 Vout=1V, Iout=20mA, 在 8 個 channel 的情形下,% _; o+ S3 U/ a0 a4 [6 R
Ptotal = 1*20m*8 = 160mW = (Tj(max)-Ta)/theta(j-a)7 Q3 K3 [/ _' E
選用的 theta(j-a) 必須確保在7 G$ i$ |' Z0 Z+ \6 r$ `8 A
typical 規格 Ta, ex. Ta=25 degree. 及設計之最大接面溫度 Tj(max), ex. Tj(max)=125 degree* f" q, H r: M6 d
選擇 theta(j-a) < (Tj(max)-Ta)/Ptotal |
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發表於 2007-7-3 09:16:57
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