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這個問題在 LED driver 會常常遇到3 q- @0 }; ?7 c2 L6 M1 P! {
5 r( Y I/ A( c首先是準確度的問題, 由於需求是 1:200, 最直觀的方法就是以 MOS size 去控制
# ?7 |9 f/ k ~0 H. r9 X然而由 MOS 飽和區電流公式 ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS) 可知
9 Z+ C; e! W) \2 r主要誤差來自於 channel length modulation effect [(1+lamda*VDS)項]
. ~7 c5 w P4 Y m" ~鎖定 VDS 其中一個方法 就是使用 OPA 回授控制2 a y( N8 E$ [8 x
另外, VGS 雖然不是誤差項, 但由於必須推動大負載, 所以ㄧ般會接一個 pre-drive 增加驅動力
, v* t) r$ K- v' F# y2 C7 q# F9 P( I並減短設定時間
5 [2 ?: X* ]7 u6 Y( Z: }: T& x9 V) |2 `
channel 跟 channel 之間的差異定義為 bit-to-bit error
* Y; k: U& W+ \. m8 ~( \這方面的差異, 主要是由 layout 本身的 mismatch 產生, 較佳的layout對稱性可有效解決這個問題6 z8 F8 K5 A" ]( t: ^9 q& T" ?
$ |- l- D) E0 h) p2 L9 ]) A7 [ u3 u
至於 powerMOS size 部分, 主要是由 output minimum voltage 決定,
7 |. J* H' I0 g此規格與最大電流値直接決定了 Rds(on) = Vo(min)/Io(max)- q. A+ R# I0 D7 l- l6 W F; p
0 V% q/ q. h+ n* O. @3 Q6 W溫度所引起的電流變化, 主要是改變了 VTH(T)
1 y3 U4 b- b( l3 j/ O' _5 K, n3 U這方面可由 layout 解決, 將源頭 MOS 與 powerMOS 擺近一點, 讓彼此的溫度差異縮至最小
! n% J2 d# m3 `然而, 溫度方面較麻煩的難題在於 package 的選定,+ K& [! G# T4 ?
在正常操作下, 假設 Vout=1V, Iout=20mA, 在 8 個 channel 的情形下,6 O# O4 X {% K- e
Ptotal = 1*20m*8 = 160mW = (Tj(max)-Ta)/theta(j-a)# ?9 e1 F& S! ^- X' v3 O
選用的 theta(j-a) 必須確保在4 ^, ~' p$ J7 B
typical 規格 Ta, ex. Ta=25 degree. 及設計之最大接面溫度 Tj(max), ex. Tj(max)=125 degree2 ~( v0 U/ D5 J7 Z2 f2 E
選擇 theta(j-a) < (Tj(max)-Ta)/Ptotal |
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