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[問題求助] 如何讓 current mirror 做的比較準確?

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1#
發表於 2007-7-3 09:16:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
4Chipcoin
當 current mirror 呈現 1:200 的放大倍率時,: Z" X9 P- J3 u4 O
且有 8 個 channel 時, 如何讓每一個的 channel mismatch 做的最小?
1 Z( A! J4 q8 @6 g% M! Z因為  process 變異的關係, 所以這一部分的誤差還相當大!
0 |2 P' K% }1 r! D2 [該如何避免?* f. `/ O3 {, V, S
又  經過大電流  會產生高溫  此時的 current mirror 的倍率也變化相當大?( ^5 u- C( t3 F$ T5 c4 @$ K
該如何克服?

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monkeybad + 5 值得探討的好問題!

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2#
發表於 2007-7-4 17:12:03 | 只看該作者
可以試試用casecode的方式
# N+ a8 f% C/ V4 w7 d/ |
3 \$ P9 Z( _* A+ m不過之後的layout才是重點核心的部分
7 P: y0 W" G& h( F! B) [
  K8 ]! H2 g3 W1 q- p7 }8 q% T

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monkeybad + 2 感謝經驗分享!

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3#
發表於 2007-7-4 23:18:32 | 只看該作者
1.可以先做1:10(或1:4,2:8)的 8channel match 這樣面積較小match效果好點
5 }  j& s( F) d% y, g6 t/ B+ b5 @   各channel再做1:20(1:50,2:100)
" N( x/ d# J6 ^; c! `2.如果不考慮area,效果最好的是用calibration的方式,這須要用到電容及switch而電容大小會決定
5 ?7 }. e5 K/ Z   calibration cycle
9 C8 }$ j& R0 i/ d. }% M8 {3.每一顆mos DC 點都要一樣 那可能就要出動OP來鎖電壓啦!
* |+ ?7 x* j5 x4 `  n8 p- l) m! p4.元件的L,W 也要選安全一點的range

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Good answer!  發表於 2022-8-22 03:59 PM

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monkeybad + 3 Good answer!
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4#
 樓主| 發表於 2007-7-5 09:17:56 | 只看該作者
1. 有想過一級級的轉!! 不過每轉一次!  就會有一次的誤差!! 如此的變動率會不會太高唷!!: _( s4 a8 N& i: k& G
2. 有考慮 trimming method!! 不過! 不太可能 trimming 8 channel! 只 trimming 最源頭!!1 t( P0 m: c8 G1 ?- o8 k
3. 有看過類似的架構!! OP 的 offset 是不是要非常的小? 否則真的不知道影響程度為何唷!!3 u0 K" S% ~; Q3 {  @, ~$ F) ~! d
4. Cost/Performance ratio 真的很討厭!!  又要小!  又要準!  真的好困難唷!!!!
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5#
發表於 2007-7-27 17:48:13 | 只看該作者
先把八個channel做相互做match( r4 x2 d. r  R- Q4 F: A5 t
再用一顆OP取其中一個channel電壓做鎖定4 n8 [/ ^* e" c1 \4 s4 E- B3 s

7 x  I7 B7 N( y- n. Q/ f提供一點個人意見
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6#
發表於 2007-8-23 23:25:31 | 只看該作者
這個問題在 LED driver 會常常遇到
8 b6 t3 q2 h; `+ K/ z9 a$ K  ~3 T# B* J/ t9 P* _1 p4 p/ G8 M. m
首先是準確度的問題, 由於需求是 1:200, 最直觀的方法就是以 MOS size 去控制. ?# F3 A% C$ N% j4 [& `! ?0 g4 m
然而由 MOS 飽和區電流公式 ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS) 可知
% F, F5 h* Y/ A- x. e# i主要誤差來自於 channel length modulation effect [(1+lamda*VDS)項]
# q+ }3 s1 m% {, y, A4 P5 a8 D鎖定 VDS 其中一個方法 就是使用 OPA 回授控制3 B1 _' A* M5 G3 c: G4 O; [4 h( V
另外, VGS 雖然不是誤差項, 但由於必須推動大負載, 所以ㄧ般會接一個 pre-drive 增加驅動力
/ D. H! @& \$ v並減短設定時間
1 q" p4 r. t" d! E& y% F9 t% `' Z. \: C" T
channel 跟 channel 之間的差異定義為 bit-to-bit error& y: g3 x  {2 r( o
這方面的差異, 主要是由 layout 本身的 mismatch 產生, 較佳的layout對稱性可有效解決這個問題
' l! s$ S! L  s/ L1 `1 y! C) m7 u4 _# ?6 D' H. N: \3 @* z
至於 powerMOS size 部分, 主要是由 output minimum voltage 決定,8 ~: K$ }. g" ]/ e
此規格與最大電流値直接決定了 Rds(on) = Vo(min)/Io(max)
( c4 F- E/ a, u  ^0 R7 }
, _& p+ D9 l; D. W" G+ `* V溫度所引起的電流變化, 主要是改變了 VTH(T)
) M2 y2 E& f! D* d4 s這方面可由 layout 解決, 將源頭 MOS 與 powerMOS 擺近一點, 讓彼此的溫度差異縮至最小
! k9 E1 k' ]# _8 m% [. |然而, 溫度方面較麻煩的難題在於 package 的選定,
6 A& e" Q) f3 D! F在正常操作下, 假設 Vout=1V, Iout=20mA, 在 8 個 channel 的情形下,  S7 Z: Q2 C2 t6 r) t
Ptotal = 1*20m*8 = 160mW = (Tj(max)-Ta)/theta(j-a)
1 B' T5 c4 Y" G選用的 theta(j-a) 必須確保在
3 y6 X$ h, t' d0 k- P4 qtypical 規格 Ta, ex. Ta=25 degree. 及設計之最大接面溫度 Tj(max), ex. Tj(max)=125 degree! s% n$ v2 }  W% i
選擇 theta(j-a) < (Tj(max)-Ta)/Ptotal

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7#
發表於 2009-5-1 14:08:48 | 只看該作者
除了電路設計解決外,  Layout亦是關鑑
2 _& l" u$ h; R: h3 u
5 U6 t& |2 [1 \7 b1. layout 單元化(Unit) 以此單元倍增減$ g- L9 B, c' n0 ~4 h3 F& P$ N
2. 元件W/L盡可能最大化 W>5um, L>3um或更大- i, i/ t" ~- Y0 k
3. 多可善用匹配layout技巧, 如交叉, 對稱, Dummy...
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8#
發表於 2022-10-12 19:55:32 | 只看該作者
謝謝大大無私的分享,感恩
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