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這個問題在 LED driver 會常常遇到
8 b6 t3 q2 h; `+ K/ z9 a$ K ~3 T# B* J/ t9 P* _1 p4 p/ G8 M. m
首先是準確度的問題, 由於需求是 1:200, 最直觀的方法就是以 MOS size 去控制. ?# F3 A% C$ N% j4 [& `! ?0 g4 m
然而由 MOS 飽和區電流公式 ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS) 可知
% F, F5 h* Y/ A- x. e# i主要誤差來自於 channel length modulation effect [(1+lamda*VDS)項]
# q+ }3 s1 m% {, y, A4 P5 a8 D鎖定 VDS 其中一個方法 就是使用 OPA 回授控制3 B1 _' A* M5 G3 c: G4 O; [4 h( V
另外, VGS 雖然不是誤差項, 但由於必須推動大負載, 所以ㄧ般會接一個 pre-drive 增加驅動力
/ D. H! @& \$ v並減短設定時間
1 q" p4 r. t" d! E& y% F9 t% `' Z. \: C" T
channel 跟 channel 之間的差異定義為 bit-to-bit error& y: g3 x {2 r( o
這方面的差異, 主要是由 layout 本身的 mismatch 產生, 較佳的layout對稱性可有效解決這個問題
' l! s$ S! L s/ L1 `1 y! C) m7 u4 _# ?6 D' H. N: \3 @* z
至於 powerMOS size 部分, 主要是由 output minimum voltage 決定,8 ~: K$ }. g" ]/ e
此規格與最大電流値直接決定了 Rds(on) = Vo(min)/Io(max)
( c4 F- E/ a, u ^0 R7 }
, _& p+ D9 l; D. W" G+ `* V溫度所引起的電流變化, 主要是改變了 VTH(T)
) M2 y2 E& f! D* d4 s這方面可由 layout 解決, 將源頭 MOS 與 powerMOS 擺近一點, 讓彼此的溫度差異縮至最小
! k9 E1 k' ]# _8 m% [. |然而, 溫度方面較麻煩的難題在於 package 的選定,
6 A& e" Q) f3 D! F在正常操作下, 假設 Vout=1V, Iout=20mA, 在 8 個 channel 的情形下, S7 Z: Q2 C2 t6 r) t
Ptotal = 1*20m*8 = 160mW = (Tj(max)-Ta)/theta(j-a)
1 B' T5 c4 Y" G選用的 theta(j-a) 必須確保在
3 y6 X$ h, t' d0 k- P4 qtypical 規格 Ta, ex. Ta=25 degree. 及設計之最大接面溫度 Tj(max), ex. Tj(max)=125 degree! s% n$ v2 } W% i
選擇 theta(j-a) < (Tj(max)-Ta)/Ptotal |
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