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[問題求助] 如何讓 current mirror 做的比較準確?

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1#
發表於 2007-7-3 09:16:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
4Chipcoin
當 current mirror 呈現 1:200 的放大倍率時,0 f9 \! |# D' L) W1 x% p% m7 A
且有 8 個 channel 時, 如何讓每一個的 channel mismatch 做的最小?& h6 N; R: {0 `+ Z* e1 S$ L1 X
因為  process 變異的關係, 所以這一部分的誤差還相當大!
; `# M; z  `# K5 W% h該如何避免?
- i. v' G7 a# l- r又  經過大電流  會產生高溫  此時的 current mirror 的倍率也變化相當大?
& _: z( e- p" q% ?該如何克服?

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monkeybad + 5 值得探討的好問題!

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2#
發表於 2007-7-4 17:12:03 | 只看該作者
可以試試用casecode的方式
& y: h! Y; J- f, l2 T$ W2 L; x: v5 V# S/ `, `; Y" \4 B  i. b* w
不過之後的layout才是重點核心的部分7 ?4 B: j9 B% a. e) T5 U
) C# n6 J  `" e* R; M$ T0 s% E

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monkeybad + 2 感謝經驗分享!

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3#
發表於 2007-7-4 23:18:32 | 只看該作者
1.可以先做1:10(或1:4,2:8)的 8channel match 這樣面積較小match效果好點
. t0 T' D9 @1 f4 |  k0 z. o# x   各channel再做1:20(1:50,2:100)
/ V6 H0 L. m- U, d" g; r2.如果不考慮area,效果最好的是用calibration的方式,這須要用到電容及switch而電容大小會決定
" T) o: B, I5 q. H5 A+ E& Q   calibration cycle
+ `* C2 j8 q/ B% {) k2 [3.每一顆mos DC 點都要一樣 那可能就要出動OP來鎖電壓啦!
' G2 v  f+ h7 W7 m4.元件的L,W 也要選安全一點的range

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Good answer!  發表於 2022-8-22 03:59 PM

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monkeybad + 3 Good answer!
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4#
 樓主| 發表於 2007-7-5 09:17:56 | 只看該作者
1. 有想過一級級的轉!! 不過每轉一次!  就會有一次的誤差!! 如此的變動率會不會太高唷!!
1 h3 B+ \7 `' J3 w- b1 h4 o2. 有考慮 trimming method!! 不過! 不太可能 trimming 8 channel! 只 trimming 最源頭!!& M: K8 ~0 o0 E
3. 有看過類似的架構!! OP 的 offset 是不是要非常的小? 否則真的不知道影響程度為何唷!!3 X: a6 H, E2 l
4. Cost/Performance ratio 真的很討厭!!  又要小!  又要準!  真的好困難唷!!!!
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5#
發表於 2007-7-27 17:48:13 | 只看該作者
先把八個channel做相互做match6 B/ r9 o4 i9 Z
再用一顆OP取其中一個channel電壓做鎖定4 ~; z1 c; \8 \/ q! ]

8 d  c! @# h/ A6 b提供一點個人意見
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6#
發表於 2007-8-23 23:25:31 | 只看該作者
這個問題在 LED driver 會常常遇到: c0 T  X5 b) r0 w6 P1 r

& @, |% h+ s, O5 l4 k- y; `首先是準確度的問題, 由於需求是 1:200, 最直觀的方法就是以 MOS size 去控制9 x1 H* s/ J$ I8 e; x! M
然而由 MOS 飽和區電流公式 ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS) 可知" N7 K) t( F# g# o" H, E+ G7 g
主要誤差來自於 channel length modulation effect [(1+lamda*VDS)項]) t. D0 A4 n9 r  X! t
鎖定 VDS 其中一個方法 就是使用 OPA 回授控制9 _" ?/ ?9 T- ?2 K0 R
另外, VGS 雖然不是誤差項, 但由於必須推動大負載, 所以ㄧ般會接一個 pre-drive 增加驅動力
* z" P) T( u! e$ B, W4 G- V* M' y並減短設定時間! [* \& I( y5 o/ ]" H/ `1 k7 r  G

$ e- c  z% h  w! j$ I( zchannel 跟 channel 之間的差異定義為 bit-to-bit error
, `, Y2 K  T% _& J% N; s3 K這方面的差異, 主要是由 layout 本身的 mismatch 產生, 較佳的layout對稱性可有效解決這個問題) V2 P0 r/ y: i- c1 W$ ^

7 y+ f" Q2 R$ T* V  v& s- l至於 powerMOS size 部分, 主要是由 output minimum voltage 決定,  I" r5 ?* [* x) H) Z0 q
此規格與最大電流値直接決定了 Rds(on) = Vo(min)/Io(max)
. |- g  L. o& K. N/ L
+ h7 ?0 D" ?  u溫度所引起的電流變化, 主要是改變了 VTH(T)! I  k' @' @" D' r3 R% E: y! g- }6 X
這方面可由 layout 解決, 將源頭 MOS 與 powerMOS 擺近一點, 讓彼此的溫度差異縮至最小
  `+ e, h2 O- a; W7 V5 f  [& J* V* \然而, 溫度方面較麻煩的難題在於 package 的選定,: N3 x8 n; |0 n" E& x
在正常操作下, 假設 Vout=1V, Iout=20mA, 在 8 個 channel 的情形下,7 `+ h0 d( n# t0 m
Ptotal = 1*20m*8 = 160mW = (Tj(max)-Ta)/theta(j-a): R6 ^- R) o# T5 w) Q
選用的 theta(j-a) 必須確保在$ n& p* B0 {6 N4 Y
typical 規格 Ta, ex. Ta=25 degree. 及設計之最大接面溫度 Tj(max), ex. Tj(max)=125 degree
' a8 m# w- Q( ]6 u, W選擇 theta(j-a) < (Tj(max)-Ta)/Ptotal

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mt7344 + 5 Good answer!

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7#
發表於 2009-5-1 14:08:48 | 只看該作者
除了電路設計解決外,  Layout亦是關鑑
' M9 L9 T& k8 }3 d
. ~/ ?! ^) ]: T' L- x1. layout 單元化(Unit) 以此單元倍增減
# P3 R! T. I. E+ m2. 元件W/L盡可能最大化 W>5um, L>3um或更大0 S, p6 X) B* j. b0 I7 Z6 W
3. 多可善用匹配layout技巧, 如交叉, 對稱, Dummy...
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8#
發表於 2022-10-12 19:55:32 | 只看該作者
謝謝大大無私的分享,感恩
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