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這個問題在 LED driver 會常常遇到: c0 T X5 b) r0 w6 P1 r
& @, |% h+ s, O5 l4 k- y; `首先是準確度的問題, 由於需求是 1:200, 最直觀的方法就是以 MOS size 去控制9 x1 H* s/ J$ I8 e; x! M
然而由 MOS 飽和區電流公式 ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS) 可知" N7 K) t( F# g# o" H, E+ G7 g
主要誤差來自於 channel length modulation effect [(1+lamda*VDS)項]) t. D0 A4 n9 r X! t
鎖定 VDS 其中一個方法 就是使用 OPA 回授控制9 _" ?/ ?9 T- ?2 K0 R
另外, VGS 雖然不是誤差項, 但由於必須推動大負載, 所以ㄧ般會接一個 pre-drive 增加驅動力
* z" P) T( u! e$ B, W4 G- V* M' y並減短設定時間! [* \& I( y5 o/ ]" H/ `1 k7 r G
$ e- c z% h w! j$ I( zchannel 跟 channel 之間的差異定義為 bit-to-bit error
, `, Y2 K T% _& J% N; s3 K這方面的差異, 主要是由 layout 本身的 mismatch 產生, 較佳的layout對稱性可有效解決這個問題) V2 P0 r/ y: i- c1 W$ ^
7 y+ f" Q2 R$ T* V v& s- l至於 powerMOS size 部分, 主要是由 output minimum voltage 決定, I" r5 ?* [* x) H) Z0 q
此規格與最大電流値直接決定了 Rds(on) = Vo(min)/Io(max)
. |- g L. o& K. N/ L
+ h7 ?0 D" ? u溫度所引起的電流變化, 主要是改變了 VTH(T)! I k' @' @" D' r3 R% E: y! g- }6 X
這方面可由 layout 解決, 將源頭 MOS 與 powerMOS 擺近一點, 讓彼此的溫度差異縮至最小
`+ e, h2 O- a; W7 V5 f [& J* V* \然而, 溫度方面較麻煩的難題在於 package 的選定,: N3 x8 n; |0 n" E& x
在正常操作下, 假設 Vout=1V, Iout=20mA, 在 8 個 channel 的情形下,7 `+ h0 d( n# t0 m
Ptotal = 1*20m*8 = 160mW = (Tj(max)-Ta)/theta(j-a): R6 ^- R) o# T5 w) Q
選用的 theta(j-a) 必須確保在$ n& p* B0 {6 N4 Y
typical 規格 Ta, ex. Ta=25 degree. 及設計之最大接面溫度 Tj(max), ex. Tj(max)=125 degree
' a8 m# w- Q( ]6 u, W選擇 theta(j-a) < (Tj(max)-Ta)/Ptotal |
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