二极管与MOS管做ESD保护的区别

andyjackcao

在做ESD时，GGNMOS与二极管的差异有哪些.
9 U9 n5 B* Z7 [! r3 b& M4 N3 v我考虑到的有：
" i* }6 ^- T& n7 V1 R( l  t1），GGNMOS的放电路径要比二极管多；
2），在相同的面积下，计算得到MOS的寄生电容与二极管在一个数量级。
# |7 W- }5 `5 u$ m3），GGNMOS工作在截至区，不会产生沟道噪声，也不会引入其他噪声；
4 ^, ?* F, L  y9 l7 [. n& T, p所以，采用相同面积的GGNMOS可以替代同样面积的二极管。
6 Z! \* D, s+ E结论对不？
; f6 l  H( p4 f% Y多谢

andyjackcao

芯片是一款ADC芯片，可工作在80M的采样频率下

andyjackcao

还请大大帮忙解决下这个问题：）

andyjackcao

1),二极管没有SiO2,在CDM模式下，不容易失效
6 k  _- l' r/ H5 H0 f# p* N. b  j2 x% o2),由于二极管参数可以做到很对称，在RF ESD，可经常使用，从而让PAD的阻抗匹配

andyjackcao

1),二极管经常在Rail-ESD结构中使用，从而减少PAD的寄生电容
2),MOS经常在 PAD-ESD结构中使用，可不考虑PAD的寄生电容
" |9 k( f$ H: S3 B所以，要实现二极管对芯片的保护，还要结合整体结构来考虑

franklu1227

怎么只剩楼主一个人自言自语了？

andyjackcao

二极管可避免snapback，也就避免了不均匀放电；
$ b% V8 {8 y, O  w& J9 J& p1 q  I- s如果电源到地的通路足够强，二极管的ESD可做的比较好。

szona44250

感謝大大的分享，受益無窮
7 m1 \: u* g/ h. ?: U, c1 u0 i+ w3 D
謝謝