二极管与MOS管做ESD保护的区别

andyjackcao

在做ESD时，GGNMOS与二极管的差异有哪些.
1 H. D) V1 Q" u5 K" P& c3 X4 m0 P0 S我考虑到的有：
5 {6 X, `" Q& l  v1），GGNMOS的放电路径要比二极管多；
& \* Y7 K( O7 d+ m2），在相同的面积下，计算得到MOS的寄生电容与二极管在一个数量级。
9 J# a- l3 {+ K! G+ N3），GGNMOS工作在截至区，不会产生沟道噪声，也不会引入其他噪声；
所以，采用相同面积的GGNMOS可以替代同样面积的二极管。
结论对不？
多谢

andyjackcao

芯片是一款ADC芯片，可工作在80M的采样频率下

andyjackcao

还请大大帮忙解决下这个问题：）

andyjackcao

1),二极管没有SiO2,在CDM模式下，不容易失效
" Q" z3 |5 G0 \, d% K# h4 a% }2),由于二极管参数可以做到很对称，在RF ESD，可经常使用，从而让PAD的阻抗匹配

andyjackcao

1),二极管经常在Rail-ESD结构中使用，从而减少PAD的寄生电容
% I* B( R6 U1 n2),MOS经常在 PAD-ESD结构中使用，可不考虑PAD的寄生电容
9 L+ p1 X* `) g8 g) s) O0 r所以，要实现二极管对芯片的保护，还要结合整体结构来考虑

franklu1227

怎么只剩楼主一个人自言自语了？

andyjackcao

二极管可避免snapback，也就避免了不均匀放电；
3 [5 _, H; `. e1 I  S; Y4 W7 ]如果电源到地的通路足够强，二极管的ESD可做的比较好。

szona44250

感謝大大的分享，受益無窮

7 H$ M7 O. Y2 t% h, ]謝謝