瑞薩科技致力於開發微處理器之全新中央處理器架構

jiming · 發表於 2007-5-22 21:35:29

瑞薩科技5月21日宣佈目前正在開發全新的中央處理器(CPU)架構，相較於前一世代的微處理器(MCU)，在程式碼效率、處理效能(MIPS/MHz)及耗電量方面均可提供突破性的提升。瑞薩科技將推出兩款以新架構為基礎的CPU，以滿足16及32位元市場的需求，同時維持與瑞薩科技現有MCU的相容性。此架構將為上述兩種市場提供升級途徑，為瑞薩科技的MCU客戶提供強大且吸引人的系統解決方案。

相較於瑞薩科技目前提供的M16C與H8S 16位元CPU，以及R32C與H8SX 32位元CPU，此新架構提供許多創新改良，而且在CPU指令集、周邊暫存器集(peripheral register set)及開發工具等方面均可相容於現有的產品系列。它將結合M16C與R32C CPU優異的程式碼效率，以及H8S與H8SX CPU的高速資料處理能力。此外，新的CPU架構將進一步延伸這兩個產品系列的低耗電與低雜訊特性。結合上述功能，瑞薩科技的目標是達到世界最佳的整體效能，包括程式碼效率、處理效能(MIPS/MHz)、耗電量及成本優競爭勢。其中的程式碼效率特別重要，因為這有助於降低系統程式的大小，並可藉由採用快閃記憶體以降低整體系統成本。藉由採用這項新架構，瑞薩科技希望能降低30%的程式碼大小以及50%的CPU功率消耗。

瑞薩科技公司MCU事業群董事兼總經理Hideharu Takebe表示：「瑞薩科技豐富的MCU產品多年來已在內嵌市場獲得成功，並有強大的產品開發、通過考驗的製造能力以及豐富的系統開發環境做為後盾。瑞薩科技的MCU每年皆贏得10,000項以上的設計，在各種應用領域獲得越來越高的接受度，例如消費性產品、汽車系統、工業產品、辦公室設備、及通訊產品等。在下一個階段，我們將在單一架構之下開發16與32位元的次世代CPU，以因應市場上對於16與32位元MCU產品日漸升高的需求。透過這次的發表，現有及未來的客戶皆可確信瑞薩科技不僅承諾支援我們現有的MCU產品系列，並將提供確實的升級途徑。瑞薩科技將致力於建立其全球領導地位，繼續領導MCU產品市場。(全球佔有率第一*1)。」

這項開發次世代16與32位元CISC*3 CPU的計劃，在瑞薩科技慶祝其創立四週年之際持續進行中。該公司計劃提供充足的資源以發展此計劃，而這些新款的CPU產品預期將可進一步擴大瑞薩科技的MCU事業。

＜新CPU開發＞

整合採用此新架構之CPU的裝置，其效能將可由16位元提升至32位元CISC。這些CPU將非常容易使用並將縮短系統製造商的開發時間。此外，由於維持與既有產品的相容性，新款CPU將可讓現有及未來的客戶保護其工程設計的投資。

瑞薩科技的標準開發環境High-performance Embedded Workshop將可為新款CPU及現有的MCU產品提供完整的支援。這將簡化軟體資源從現有產品轉移至以新CPU為基礎之MCU的過程，並可加快新軟體的開發與除錯速度。為確保客戶將可取得各種開發工具，瑞薩科技將推動聯盟合作伙伴計劃(Alliance Partner Program)，持續與協力廠商合作並透過網站積極主動分享有關新架構的資訊。

該公司將持續開發新產品並且為採用現有MCU產品的客戶提供支援。新款CPU的規格將於2008年上半年發表，而搭載新款CPU的第一個裝置預計將於第二季開始提供，亦即採用瑞薩科技90nm快閃MCU製程之CY2009。適用於汽車用途之裝置預計將在非汽車用途產品之後推出，並將依據市場需求決定時程。

* 1: 資料來源: Garter Dataquest (March 2007) "2006 Worldwide Microcontroller Vendor Revenue" GJ07168

globe0968 · 發表於 2012-12-6 17:49:05

(4) 支援單電壓電源供應設計
新款RAA207703GBM、RAA207704GBM及RAA207705GBM裝置包括整合的5 V低壓降穩壓器(LDO)電路，可提供電源供應控制器內部所需的5 V，所以無需外部的電源供應。如此一來，即可使系統僅以單一電壓運作，例如使用12 V電源供應。

RAA20770X系列產品除了結合電源供應控制器與驅動控制器IC之外，還在單晶片中整合了兩個已針對POL轉換器進行最佳化的MOSFETS [註 3]，可將ASIC等大型積體電路所使用的5 V或12 V輸入電壓降壓至1 V或3.3 V。例如，具備最大額定電流10 A的RAA207701GBM，以12 V輸入及3.3 V輸出而言，可實現從低電流區流至高電流區的高效率電源轉換，特別是在10 mA時效率可達到89%，4 A時可達到95%，10 A時可達到92%。上述電源轉換效率將有助於降低終端產品的整體耗電量。

[註 1]：POL：負載點 (Point of load)。POL轉換器是降壓DC-DC轉換器，位於靠近耗電負載的位置。
[註 2]：恆定導通時間控制方法，其PWM導通時間是恆定的，並依據負載電流自動調整運作頻率。
[註 3]：MOSFET：金屬氧化物半導體場效電晶體。

供貨時程
RAA20770X系列POL轉換器IC自2012年12月開始供應樣品；量產時程為2013年3月，預估至2013年7月每月產能可達50萬顆。(供貨情況如有變更，將不另行通知。)

globe0968 · 發表於 2012-12-6 17:48:52

RAA20770X系列POL轉換器IC的主要功能：

(1) 面積縮小約75%，有助於系統小型化
瑞薩在RAA20770X產品中採用晶圓級晶片尺寸的封裝，實現以迷你外型供應大量電流的POL裝置，因此可將IC內部導線電阻及封裝導線電阻，降至絕對極小值。例如，支援最大額定電流10 A的RAA207701GBM，封裝尺寸極小，僅2.7×3.4 mm，相較於瑞薩較早的SiP POL產品，其封裝尺寸約縮小75%。此外，從封裝表面到晶片接合區的熱阻僅有極低的1°C/W，可在搭配散熱片及氣流時，提供高散熱設計。

(2) 支援更長的電池壽命
次世代筆記型電腦將需要類似現有平板電腦及手機，在待機時仍可進行資訊更新與擷取的功能(連線待機)，故必須儘可能降低連線待機模式時的耗電量。為滿足此需求，RAA20770X系列產品採用恆定導通時間控制方法 [註 2]。在低耗電模式時，負載電流較低，可達到約0.5 µW的低耗電量。恆定導通時間控制方法的另一項優點，則是可藉由降低運作頻率來減少POL轉換器的耗電量;沒有負載時可降低1.6 mW耗電量，在待機模式下可達到0.5 µW。恆定導通時間控制方法亦具備快速反應的優點。例如，即使電子設備從省電模式切換至正常模式，發生電流快速增加的情況，轉換器亦可藉由提高運作頻率而立即反應。

(3) 可簡化高可靠性電源供應系統的設計
RAA20770X系列產品在同一晶片內整合了POL轉換器所需要的多種保護功能，例如過電流、過電壓及熱保護等。因此，此系列產品支援安全且具有靈活性強的高可靠性電源供應系統設計，僅需搭配最少的外部元件，不僅可簡化設計，並能減少物料清單。除此之外，亦可修改輸出電壓與運作頻率以符合所採用的應用需求，提供適用於多種應用的操作彈性。

globe0968 · 發表於 2012-12-6 17:48:31

瑞薩電子推出採用超小型封裝的RAA20770X系列快速反應POL轉換器IC
高效能Mini-POL轉換器具備面積縮小75%的晶圓級晶片尺寸封裝及超低熱阻

2012年12月6日，台北訊－先進半導體解決方案之頂尖供應商瑞薩電子(TSE：6723)開發RAA20770X系列mini-POL [註 1] 轉換器 IC，目前推出六種不同電流供應等級與功能的產品，適用於多種應用領域中的ASIC與其他大型邏輯電路，包括個人電腦、伺服器、工業用設備、辦公室自動化及網路設備。RAA20770X系列產品的微型化及其功率密度亦皆達業界最高標準。

近期電源供應器市場出現兩項變革，首先為實現節能社會的理想而須降低耗電量，其次則是因市場對於具高功能性半導體產品需求的增加，如微控制器(MCU)、SoC裝置等，而使供應電壓趨向多樣化。
為符合第一項需求，新產品RAA20770X可在正常負載下執行高效能電源轉換，並快速且規律地轉換至低功率模式。因此可降低整體系統的耗電量，並協助實現高能源效率的社會。

為達成第二項要求，雖然會因為電源提升而導致產品鑲嵌面積擴大，但RAA20770X系列採用等同於晶片本身大小的超小型晶圓級晶片尺寸封裝，此系列產品尺寸相較於早期的瑞薩產品縮小75%。另外，由於封裝內無需導線連接，因而可降低導線電阻，有助於提升電壓轉換效率。RAA20770X系列更是第一款具備此整合度的小型封裝產品。

tk02561 · 發表於 2011-9-26 08:03:52

另外，由於此電晶體是為了微波應用而開發的，因此瑞薩提供業界標準的4-pin薄型迷你模型封裝(瑞薩封裝名稱：M04封裝)。因此，此產品有助於減少使用者終端產品的製造步驟，例如由於現有封裝的良好記錄，可簡化安裝評估程序，或者使用現有的電路板線路圖，僅需稍微修改周圍的電路。
在利用上述新製程的優勢，擴充其具有業界最高水準低雜訊效能的雙極電晶體產品線的同時，瑞薩亦承諾將此新製程部署至微波IC的開發，並進一步提供此領域的解決方案，以回應市場需求。

(註1)此為結合瑞薩SiGe:C異質接面電晶體與0.15 µm CMOS製程，並針對微波IC應用進行最佳化的fT = 100 GHz製程。
BiCMOS：Bipolar complementary metal oxide semiconductor(雙極互補金氧半導體)的縮寫。這是可製造混合雙極與CMOS裝置的製程。它可藉由結合針對高頻率電路進行最佳化的雙極技術以及支援高密度低功率電路設計的CMOS技術，用於製造微波應用IC。
瑞薩將此製程定位為繼瑞薩使用至今的製程之後的次世代製程，並承諾將繼續致力於開發此製程。

(註2)矽鍺：碳異質接面電晶體(SiGe:C HBT)是針對微波應用進行最佳化的電晶體，實作方法是結合可提升裝置效能的製程技術(在矽電晶體基礎中加入少量的鍺與碳)以及形成可在半導體中以高密度進行高速傳輸之電路的製程(利用異質接面)。

(註3) SiGe:C製程在此新產品的應用
為達成微波範圍內的低雜訊目標，瑞薩利用新開發的SiGe:C製程以及可降低電晶體基極60%電阻的最佳化選擇性磊晶成長晶體成長技術(包括射極、基極及集極架構)，並最佳化其0.15 µm精密製造技術，致力於提高基極的電子速度並降低基極的電阻。
磊晶成長：一種製程技術，可將半導體中的晶體成長限制在形成電晶體基極層的部分。

(註4)ISM：Industrial scientific and medical band(工業科學醫療頻段)的縮寫。ISM 頻段為提供工業、科學及醫療領域之一般用途而配置的頻率頻段。使用此頻段的無線系統包括無線區域網路、藍牙、業餘無線電、DSRC、各種雷達、無線電話、ZigBee及其他應用。

tk02561 · 發表於 2011-9-26 08:03:46

新款SiGe:C HBT電晶體可將無線接收到的微弱微波訊號放大為適合的水準，以達到0.75 dB的雜訊值，為無線區域網路及其他應用所使用5.8 GHz頻段的業界最高水準。由於能夠以如此低的雜訊放大訊號強度，因此可提高終端產品的通訊接收靈敏度。由於它可減少訊號傳輸錯誤，因此其運作耗電量可降低至具同等效能之瑞薩現有產品的四分之一。
瑞薩銷售適用於微波放大器應用的電晶體及IC，為無線區域網路、消費性家用無線電話、地面數位電視廣播調整器以及包含GPS功能的設備等提供解決方案，並且在微波應用電晶體領域獲得業界第一的市佔率(瑞薩的估計)。在上述背景之中，瑞薩已開發出採用SiGe:C材料的全新製程技術，以回應市場對於更低雜訊的需求，並且為衛星廣播所使用的12 GHz以上的頻率提供解決方案。以此製程為基礎，瑞薩已開發並推出NESG7030M04 SiGe:C HBT裝置，可達到業界最高水準的低雜訊效能，並且在數MHz至14 GHz頻段的頻率範圍內皆可發揮穩定效能。

(1)業界最高水準的5.8 GHz頻段低雜訊效能
利用上述新開發的SiGe:C製程(註3)，瑞薩5.8 GHz頻段SiGe:C HBT及SiGe HBT裝置可達到業界最低的雜訊值0.75 dB。相較於瑞薩先前的SiGe HBT裝置，改善了0.35 dB。另外，此裝置在最小雜訊值條件下可獲得14.0 dB增益。如此可使通訊接收靈敏度提升或使訊號傳輸錯誤減少，而且新裝置能以瑞薩先前產品四分之一的耗電量，提供接近的效能。

(2)更高的耐受電壓可在廣大的頻寬中提供穩定運作
在早期以矽為基礎的異質接面電晶體中，無法避免藉由降低集極-射極耐受電壓以換得減少雜訊，而這限制了這些裝置可使用的應用範圍。在此新款產品中，瑞薩最佳化集極-基極的特徵，使其能夠確保4.3 V的耐受電壓等級。如此提高了所使用的電壓供應範圍，並且在數MHz到14 GHz頻段的頻率範圍內皆可發揮穩定的運作效能，使此裝置可用於更廣泛的應用範圍。例如，它支援所有ISM頻段(註4)應用，包括智慧電網、智慧電表及家庭區域網路(HAN)應用。

tk02561 · 發表於 2011-9-26 08:03:28

瑞薩電子宣佈推出新型SiGe:C異質接面電晶體，為無線區域網路及類似應用提供業界最高水準的低雜訊效能
運作頻段為5.8 GHz時可達到0.75 dB雜訊值，提供更優異的通訊接收靈敏度及低耗電量

2011年9月22日，台北訊— 先進半導體解決方案之頂尖供應商瑞薩電子(TSE：6723)今日宣佈推出新款SiGe:C異質接面電晶體(SiGe:C HBT，註1) NESG7030M04，可做為低雜訊放大電晶體用於無線區域網路系統、衛星無線電及類似應用。本裝置的製程採用全新開發的矽鍺：碳(SiGe:C)材料(註2)並達到領先業界的低雜訊效能。

atitizz · 發表於 2011-5-25 15:57:00

(2) 對各種光源的感光度變動降低至±20%
內部電路的計算乃依據來自多個具有不同波長感應特性的光線接收器，因此可使日光燈、LED燈及白熾燈等不同光源所造成的感光度變動降低至±20%。如此將可依據人類感受到的光線來進行控制，而不受照明環境影響。

(3) 搭配MCU使用將可進一步提升應用彈性
在環境光線感測器的數位訊號輸出應用方面，通常會指派兩個 I2C™ 匯流排Slave位址（識別號碼），因此可將多個光線感測器連接至單一MCU，並依據需要進行調配使用。
PH5551A2NA1元件內含中斷功能，可在亮度超過預設的門檻值時，輸出訊號至主裝置，例如MCU。因此MCU與感測器之間不需要持續進行通訊，可降低MCU的處理負載。
瑞薩電子將持續開發並在市場上推出環境光線感測器，有助於附帶螢幕產品提升性能、降低耗電量，並提供尺寸更小的亮度調整電路，以應用於數位家庭電器及電子設備、行動終端設備與手機，及工廠自動化設備，這些產品市場預期都將有快速的成長。瑞薩電子認為PH5551A2NA1元件將可提升上述產品的小型化及光線調整精密度。

(附註1) 瑞薩電子預估。瑞薩電子在CD、DVD及BD播放器光線接收器二極體IC產品市場擁有約80%的市場佔有率（2010年）。

價格與供貨
瑞薩電子新PH5551A2NA1裝置已開始供應樣品，樣品單價為美金1.20元。量產時程為2011年5月，預估將達到每月1百萬顆的生產規模。(價格及供貨資訊如有變動恕不另行通知)

atitizz · 發表於 2011-5-25 15:56:51

過去，採用硫化鎘的光線感測器已大量使用於上述應用領域，但由於矽半導體對環境造成的影響較小，因此目前的需求正逐漸增加。

在此背景之下，瑞薩電子利用源自於CD、DVD及BD播放器光感測器IC產品的製程技術、電路技術、封裝技術及製造技術，為光線感測器市場開發新產品。PH5551A2NA1元件有助於提升性能、降低耗電量，並提供尺寸更小的亮度調整電路，適用於各種數位裝置、行動終端設備與手機、工廠自動化設備及照明器材。

PH5551A2NA1元件之主要特色：

(1) 採用業界最小最薄的透明樹脂SON封裝
PH5551A2NA1元件採用的透明樹脂封裝設計技術及製造技術，來自瑞薩電子多年來在光感測器IC產品之開發與商品化過程中所累積的經驗。其透明樹脂SON封裝尺寸僅1.56 mm x 2.55 mm x 0.55 mm，為業界最小最薄的尺寸。針腳間的0.5 mm距離以及SON封裝，使其可輕易在印刷線路板上達成高安裝密度。

atitizz · 發表於 2011-5-25 15:56:24

瑞薩電子推出數位環境亮度感測器，配備領先業界的小尺寸薄型SON封裝
瑞薩電子憑藉在CD、DVD及BD播放器之光感測器IC領域的先進技術正式邁入環境亮度感測器市場

2011年5月25日，台北訊—先進半導體解決方案之頂尖供應商瑞薩電子(TSE：6723)宣布推出數位環境亮度感測器PH5551A2NA1，採用了領先業界的小尺寸薄型封裝。PH5551A2NA1元件為該公司進入環境亮度感測器市場的第一款產品，結合了瑞薩電子在CD、DVD及BD播放器光感測器IC之開發及商品化過程中所累積的專業技術，瑞薩電子的光感測器IC產品在市場的佔有率為世界第一(附註1)。這項新元件的設計可自動調整亮度以提供最佳的螢幕檢視效果，有助於提升產品效能並降低耗電量。

PH5551A2NA1為數位環境亮度感測器，可偵測四周環境光線的亮度，並傳送相應的訊號至微控制器(MCU)之類的元件。利用PH5551A2NA1元件，系統製造商可開發更輕薄、可自動精密調整亮度或自動開/關電路的產品，例如數位家庭電器及電子設備、行動終端裝置及手機、工廠自動化(FA)設備及室內外照明器材。

環境亮度感測器可偵測人類所能感受到的亮度，並將相應的訊號輸出至MCU。此元件主要可用於配有螢幕的數位裝置，使其能夠依據環境光線的明暗，自動調整螢幕亮度並自動執行開/關控制，如此將有助於提升產品性能並降低耗電量，例如可藉由自動調整螢幕亮度以提供使用者最佳的檢視效果。此感測器適用於數位家庭電器及電子設備、行動終端設備與手機，以及工廠自動化設備及照明器材等，預估從2011年至2013年，環境亮度感測器的市場規模將成長約20% (附註1)。

tk02376 · 發表於 2011-2-15 11:21:56

另外，內建的自動相位控制功能會自動切換至最佳的相位數，以符合電源供應器輸出電壓。如此在小電流至大電流的範圍內皆可維持高效能。

(4)內建保護功能
R2J20751NP裝置整合DC-DC POL轉換器所需的各種保護功能，包括過電流保護及過電壓保護。因此可用較少的外部元件建置可靠的電源供應系統。

R2J20751NP採用記錄良好且散熱性極佳的40-pin QFN封裝。位於封裝下方且佔據一半以上面積的晶粒座可在安裝後確保散熱效果。

有關R2J20751NP之主要規格請參閱附件。

價格與供貨
瑞薩電子新R2J20751NP功率半導體裝置自2011年2月開始供應樣品，價格為US$3.33。量產時程預定為2011年3月，並預估每月之合計產能將達500,000顆。

(附註1)接力賽系統(Relay Race System)：一種系統，其中的作業起始觸發器時鐘會「交給」下一階段的POL-SiP，如同接力賽中的接力棒。

tk02376 · 發表於 2011-2-15 11:21:43

R2J20751NP之主要特色：

(1)安裝面積較瑞薩電子現有產品縮小約60%
R2J20751NP最大額定電流25A的版本尺寸僅6 mm x 6mm，安裝面積較瑞薩電子現有產品縮小約60%，其中使用一對功率MOSFET做為功率轉換，並使用一個電源供應控制器(含晶片內建驅動器之PWM控制IC)提供驅動器控制功能。藉此實現更小型的電源供應系統。

(2)領先業界的94.5%電源效率
R2J20751NP將5V輸入電壓轉換為1.5V輸出電壓時，可達94.5%最高電源轉換效率，在結合額定25A電源供應器與電源供應控制器(含晶片內建驅動器之PWM控制IC)的同類產品中為最高水準。如此將有助於降低電源轉換損耗，並藉此獲得更高的電源效率。

(3)可擴充之多相運作
對於需要大於25A電流的系統而言，必須使用一個以上功率半導體裝置(多相運作)。R2J20751NP整合瑞薩電子獨家開發的時鐘傳送系統(接力賽系統，附註1)，使多個裝置可透過主從式組態進行連結。這表示所使用的功率半導體數量(一或多個)可擴充以供應電子裝置(例如DDR類型SDRAM或FPGA)需耗用的電流量，因此在變更電源供應器規格時，不需要選擇不同的功率半導體裝置，藉此簡化電源供應器設計。

tk02376 · 發表於 2011-2-15 11:20:45

瑞薩電子推出可縮小約60%安裝面積之高效能功率半導體裝置
以6x6mm封裝實現25A額定電流適用於個人電腦及伺服器之DDR類型SDRM

2011年2月14日，台北訊—先進半導體解決方案頂尖供應商瑞薩電子(TSE: 6723)發表R2J20751NP功率半導體裝置之開發。此裝置可做為個人電腦、伺服器及印表機內DDR類型SDRAM(Synchronous DRAM)記憶體及大型邏輯裝置(如FPGA)之專屬電源供應器。R2J20751NP為同類產品(POL轉換器)中第一款具備最大25A額定電流且在單一封裝中整合MOSFET(金屬氧化層半導體場效電晶體)及電源供應控制器的產品，可讓系統設計師實現尺寸更小且更具能源效率的電源供應系統。

R2J20751NP為POL轉換器，可將5伏特的供電轉換為記憶體模組所需的1.5伏特。由於晶片小型化及黏著技術的提升，使本產品可在6 mm x 6 mm的單一超小型封裝中整合兩個功率MOSFET及一個含晶片內建驅動器之脈衝寬度調變(PWM)控制IC，相較於瑞薩電子現有產品，可縮小安裝面積約60%。另外，最大25A額定電流版本可達94.5%效能(以5A輸出電流運作時)，為業界最高水準，有助於降低電源供應系統的耗電量。

個人電腦與伺服器採用低電壓半導體裝置的發展趨勢，使DDR類型SDRAM、FPGA等對於低電壓、大電流功能的需求也逐漸升高。然而，縮小安裝面積也變得非常重要，因為電源供應系統中所使用的元件數量亦逐漸增加，例如功率MOSFET及被動元件。在單一封裝中結合電源供應器及電源供應控制器(含晶片內建驅動器之PWM控制IC)，可大幅縮小安裝面積。

atitizz · 發表於 2011-2-11 14:20:33

此外，公司的海外採購部門以日本製造商所使用的外幣下單，可避免匯率風險，同時提高海外營業額。

瑞薩電子預計2012會計年度，在採購方面的海外營業額，要達到2010年會計年度的1.5倍以上，並透過強化採購組織結構，進一步於2012會計年度，將2010會計年度18%的海外採購率，提升至30%。

此外，瑞薩電子也預期在2012會計年度，將海外銷售率由2010會計年度的50%提升至60%。為此，瑞薩已在中國營業子公司－瑞薩電子（上海）有限公司－成立新的組織部門，以加速行銷、計畫、銷售及製造等階段的決策制定。隨著全球電子設備公司紛紛於中國設廠，加上中國市場的龐大消費能力，瑞薩將全力衝刺中國市場。
為了將採購目標從日本轉移到非日本供應商，瑞薩電子於上海成立原料採購部門之後，並將透過與台灣採購部門的合作，將採購業務拓展至全亞洲。

【新成立之中國上海海外採購部概況】

名稱：瑞薩電子（上海）有限公司　國際採購室
International Procurement Office, Renesas Electronics (Shanghai) Co., Ltd.
所在地：上海市浦東新區陸家嘴環路1233號匯亞大廈204、205室
運營起始日： 2011年4月1日
採購產品：晶圓代工、封裝代工、半導體材料及其他

atitizz · 發表於 2011-2-11 14:20:07

瑞薩電子強化其海外材料採購組織結構繼台灣之後，於中國上海成立第二個海外採購辦公室

2011年2月11日，台北訊—瑞薩電子宣布，將於中國營業子公司－瑞薩電子（上海）有限公司，成立新海外採購辦公室，以促進材料採購結構之全球化，符合公司拓展全球業務的目標。新的組織將成為瑞薩電子繼台灣之後，第二個海外採購辦公室，並預計自2011年4月1日正式營運。

近來許多半導體公司，尤其是全球主要晶圓代工廠及零組件分包商，紛紛將自身的製造廠房及外包業務拓展至中國，使得中國及其他國家的半導體材料供應商，產能不斷提高。由此可見，中國在未來數年內，將很快成為主要的採購市場。

為了因應採購環境的改變，瑞薩電子決定於中國設立材料採購部門，為預計在中國擴增產能的海外製造子公司，提供更穩定的材料採購支援，同時藉由擴大低價採購材料的規模，降低所有製造子公司的成本（包括日本子公司）。

atitizz · 發表於 2011-1-25 15:41:15

新款CE150 SoC產品的主要功能：
(1)支援高速連拍
改良影像處理迴路，可提供每秒15張130萬畫素解析度高畫質照片的高速連拍功能，為瑞薩電子現有SoC產品的五倍。

(2)輸出介面符合MIPI CSI-2標準
符合MIPI CSI-2標準的雙通道相機介面可提供輸出功能。新款輸出介面結合執行於主機的軟體，可使用較少的電力傳送資料，且電磁干擾(EMI)較低。

(3)支援優異的照片畫質
經過改良的雜訊降低功能及瑞薩電子專屬的Neo Clear Resolution™單一訊框超高解析度技術，可使照片畫質大幅超越先期產品。

(4)可透過韌體部署多種功能
可選購韌體以增加功能，例如防手震、微笑偵測及物體追蹤等功能。
瑞薩電子提供新款CE150 SoC做為相機系統處理器，適用於包括智慧型手機的高階手機，並將積極推出相關的促銷活動。
為了進一步強化CE系列產品，瑞薩電子正努力提升其500至1600萬畫素解析度高階手機相機處理器裝置的市場佔有率，將2009會計年度的15%提升至2012會計年度的30%。

(附註1) MIPI CSI-2(行動產業處理器介面
相機串列介面2，Mobile Industry Processor Interface-Camera Serial Interface 2)是由MIPI聯盟制定的相機設備高速串列介面標準。

價格與供貨
瑞薩電子新款CE150 SoC樣品目前已開始供貨，以樣品數量出貨之單價為US$40。預計於2011年3月起大量生產，每月產量預期可達1,000,000顆。

atitizz · 發表於 2011-1-25 15:40:51

瑞薩電子推出適用於手機之新款系統單晶片提供領先業界的1600萬畫素靜態影像及高速連拍功能

2011年1月25日，台北訊—先進半導體解決方案頂尖供應商瑞薩電子(TSE：6723)宣布推出適用於智慧型手機及高階手機的新款CE150系統單晶片(SoC)，可提供領先業界的1600萬畫素解析度，並可拍攝Full-HD影片(1920x1080畫素)。

新款CE150 SoC的設計可支援高階相機所需的高速連拍功能，以提供最佳的照片畫質。此新款SoC的特色在於速度方面的提升，包括由相機連接至手機應用程式處理器的雙通道MIPI® CSI-2 (附註1)高速輸出介面。另外，由於雜訊降低技術方面的改良，藉由結合CE150與1600萬畫素CMOS影像感測元件，實現了領先業界的高畫質影像處理。
近年來，在附有相機功能的手機市場中，配備500萬以上畫素解析度相機以及足以媲美數位相機功能的高階手機數量正逐年增加。預計於2012年，具500萬以上畫素解析度相機的機型將佔整體手機出貨量的80%，並預期此類手機產品銷售量將超過4億支。

瑞薩電子自2003年起即積極投入此市場，並於同年推出CE系列相機引擎產品。瑞薩電子亦藉由提供可使手機相機達到與數位相機同等影像品質的半導體產品，持續擴展相關事業。截至2010年12月底，瑞薩電子CE系列元件裝置的出貨量已超過5000萬顆，預期出貨規模將持續擴大。
新款CE150 SoC的開發基礎為瑞薩電子在此市場中所長久累積的專業技術，並結合高速連拍等功能以及符合更高畫素及優異影像畫質需求的影像處理技術。

amatom · 發表於 2011-1-25 11:43:22

（附註 1）超結合技術結構：
此乃電源MOSFET結構組態的一種，有別於一般平面結構，能降低導通電阻而不減少設備的電壓精度，因此可降低每單位面積的導通電阻（關於導通電阻，請參見附註 3）。

（附註 2）優值，簡稱FOM：
此為電源MOSFET 效能的指數，以導通電阻 (Ron) 乘以閘-汲極電荷電容(Qgd)所得之數值表示。

（附註 3）導通電阻(Ron)：
電源MOSFET 運作時的電阻，電阻值越低表示導通損失越少。

（附註 4）閘-汲極電荷電容(Qgd)：
使電源MOSFET 運作所需的電荷，數值越低表示交換效能越快。

關於新RJK60S5DPK的主要規格，請參閱附件。

價格與供貨
瑞薩電子新RJK60S5DPK電源MOSFET樣本現已開始供應，建議售價為US$5。預計將於2011年4月開始量產，並預估至2011年10月每月總出貨量約為50萬顆（價格與供貨如有變更，恕不另行通知）。

amatom · 發表於 2011-1-25 11:43:15

新 RJK60S5DPK 電源 MOSFET 的主要特色

(1) 領先同業的低導通電阻
新的 RJK60S5DPK電源MOSFET 可達到150毫歐的導通電阻（mΩ，ID標準值=10A，VGSS=10V），較瑞薩電子現有的電源MOSFET產品低 52%，如此可減少電源轉換時的損失。

(2) 高速交換
瑞薩電子的新電源MOSFET具備僅6nC（nanocoulomb，ID標準值=10 A，VGSS=10 ）的驅動電容（閘極電荷Qgd，參見附註4），可影響交換速度，相較於瑞薩電子現有產品可節省80%的轉換電荷，因此能透過高速交換提高電源轉換效率。

新的RJK60S5DPK電源MOSFET封裝大小與TO-3P標準封裝相同，且pin腳的配置符合產業標準，因此可輕易安裝於使用傳統平面MOSFET設備評估的交換電源供應電路板。
高精密超結合技術結構的電源MOSFET系列產品所能提供的每單位面積導通電阻，約較瑞薩電子現有平面結構系列產品低80%，因此若導通電阻維持不變，則可減少晶片面積。瑞薩電子利用此一優勢，預計於未來將推出各種小型封裝規格的電源裝置產品，例如以TO-220FL(10 mm × 15 mm)封裝產品提供使用TO-3P (15.6 mm × 19.9 mm)的現有封裝產品效能。

此外，瑞薩電子認為平面電視、通訊基地台以及PC伺服器都將因低耗電量交換電源供應器產品而受益。瑞薩電子也計畫針對此類用途，行銷一系列的新超低導通電阻MOSFET產品。瑞薩電子計畫利用新RJK60S5DPK電源MOSFET的先進技術，擴大高壓電源設備的事業規模，並針對各特定用途開發各種新產品。

amatom · 發表於 2011-1-25 11:42:37

瑞薩電子推出新高壓電源MOSFET產品約可減少52%的導通損失
採用高精密超結合技術結構減少液晶電視及 PC 伺服器的耗電量

2011年1月24日，台北訊—先進半導體解決方案頂尖供應商瑞薩電子(TSE: 6723)宣布推出能為電源供應器提供超高效率的高壓N-channel電源金屬氧化半導體場效電晶體（簡稱：MOSFET）產品--RJK60S5DPK。新的電源MOSFET能減少PC伺服器、通訊基地台以及太陽能發電系統的耗電量。

新推出的RJK60S5DPK電源MOSFET極適用於電源供應器的主要電源交換電路，用以將交流電(AC)轉換成直流電(DC)。RJK60S5DPK為瑞薩電子高壓電源MOSFET系列的第一款產品，採用高精密超結合技術結構（附註1），達到電源MOSFET 設備主要整體效能指數的優值（FOM，參見附註2）標準，與瑞薩電子現有產品相較下，效能約可提升90%。

近來對於提高電源供應電路效率以減少耗電量的需求與日俱增，而且雖然平面電視、通訊基地臺、PC 伺服器以及太陽能發電系統的高輸出交換電源供應的電源轉換效率已有所提升，但對於低耗電量的需求仍非常強勁，也因此帶動低導通電阻（附註3）電源MOSFET產品的市場需求。然而，使用傳統的平面結構所能達到的改良程度有限，因此瑞薩電子便發揮在電源裝置科技領域的專業能力，開發出採用深槽製程的高精密超結合技術結構，得以產出低導通電阻的MOSFET產品。

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