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[問題求助] 如何讓 current mirror 做的比較準確?

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1#
發表於 2007-7-3 09:16:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
4Chipcoin
當 current mirror 呈現 1:200 的放大倍率時,
1 i& u2 Q( F# V5 T3 x4 Z! Z  m; q且有 8 個 channel 時, 如何讓每一個的 channel mismatch 做的最小?4 t+ W5 B" _% o# Q; j6 f" F* r4 O
因為  process 變異的關係, 所以這一部分的誤差還相當大!
3 g* d5 F" I$ V! F% U8 }5 q該如何避免?8 M+ b8 q- {& t2 b/ w
又  經過大電流  會產生高溫  此時的 current mirror 的倍率也變化相當大?% O' e" X8 d) h7 A
該如何克服?

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monkeybad + 5 值得探討的好問題!

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2#
發表於 2007-7-4 17:12:03 | 只看該作者
可以試試用casecode的方式/ S5 @5 \5 L4 t9 ?

! \' S7 ?: t6 R不過之後的layout才是重點核心的部分5 Y4 d  o0 M+ V4 x, v
0 Y" @2 d" b9 J+ F% B

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monkeybad + 2 感謝經驗分享!

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3#
發表於 2007-7-4 23:18:32 | 只看該作者
1.可以先做1:10(或1:4,2:8)的 8channel match 這樣面積較小match效果好點2 s4 I- E8 W9 a# C* p
   各channel再做1:20(1:50,2:100)* O' J: A, I1 F; H
2.如果不考慮area,效果最好的是用calibration的方式,這須要用到電容及switch而電容大小會決定  ]" n0 k6 j% ^" R2 Q) R- S
   calibration cycle
& ]9 |. c" O% O8 ]7 Q6 h! g" l3.每一顆mos DC 點都要一樣 那可能就要出動OP來鎖電壓啦!
( c" q9 R! @' F# S) b$ Q, a: N4.元件的L,W 也要選安全一點的range

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Good answer!  發表於 2022-8-22 03:59 PM

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monkeybad + 3 Good answer!
mt7344 + 5 Good answer!

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4#
 樓主| 發表於 2007-7-5 09:17:56 | 只看該作者
1. 有想過一級級的轉!! 不過每轉一次!  就會有一次的誤差!! 如此的變動率會不會太高唷!!; }  G% Z% W( N: l
2. 有考慮 trimming method!! 不過! 不太可能 trimming 8 channel! 只 trimming 最源頭!!
; a6 t. S; j  V3 N* \7 u: V6 J0 X- E3. 有看過類似的架構!! OP 的 offset 是不是要非常的小? 否則真的不知道影響程度為何唷!!: E( K2 n* Z" E+ W: X
4. Cost/Performance ratio 真的很討厭!!  又要小!  又要準!  真的好困難唷!!!!
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5#
發表於 2007-7-27 17:48:13 | 只看該作者
先把八個channel做相互做match
* F* O* c7 t) k( G再用一顆OP取其中一個channel電壓做鎖定, @( N" m( c& M5 B& _5 w! C& t5 c

  L5 N3 T# Z' G* ?7 @. p$ L8 @# a提供一點個人意見
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6#
發表於 2007-8-23 23:25:31 | 只看該作者
這個問題在 LED driver 會常常遇到
) W* j) j( _* h& [& o8 \, B0 F- C0 U( H2 ?( _! [
首先是準確度的問題, 由於需求是 1:200, 最直觀的方法就是以 MOS size 去控制! g7 U# z- i9 q9 U. x5 v' _
然而由 MOS 飽和區電流公式 ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS) 可知
& \% s9 |- H. d: u" I+ r主要誤差來自於 channel length modulation effect [(1+lamda*VDS)項]1 o. i  @, p5 D- j, P: c; ]
鎖定 VDS 其中一個方法 就是使用 OPA 回授控制% f* ]5 m' v  c1 q) q2 U2 q
另外, VGS 雖然不是誤差項, 但由於必須推動大負載, 所以ㄧ般會接一個 pre-drive 增加驅動力
/ F' n* @4 _4 B  X. c並減短設定時間% j8 W/ T+ l0 H: J$ t( s
" A( ^) H. ^+ k7 t- e' P
channel 跟 channel 之間的差異定義為 bit-to-bit error4 x: z' L; Q( ?( K/ v
這方面的差異, 主要是由 layout 本身的 mismatch 產生, 較佳的layout對稱性可有效解決這個問題, s: \" v& X5 r/ [( [

- k, D. s% ]+ U6 F, k2 F( u  m3 A至於 powerMOS size 部分, 主要是由 output minimum voltage 決定,+ k1 N& x  @4 E9 t
此規格與最大電流値直接決定了 Rds(on) = Vo(min)/Io(max)
3 |! Q8 r2 j" H" \7 T2 H; q. K# D6 v* o& G5 b: i
溫度所引起的電流變化, 主要是改變了 VTH(T)" o; `8 r! [6 {6 V5 i
這方面可由 layout 解決, 將源頭 MOS 與 powerMOS 擺近一點, 讓彼此的溫度差異縮至最小8 Z: \: K" E2 ], C# `: a$ M/ }' w
然而, 溫度方面較麻煩的難題在於 package 的選定,& f- M! ~/ t3 v: X# _
在正常操作下, 假設 Vout=1V, Iout=20mA, 在 8 個 channel 的情形下,
( W& X6 l. `8 }" R1 uPtotal = 1*20m*8 = 160mW = (Tj(max)-Ta)/theta(j-a)
7 t+ ?- f# _, {選用的 theta(j-a) 必須確保在3 _  O  u8 X, h) n. Q% O( J
typical 規格 Ta, ex. Ta=25 degree. 及設計之最大接面溫度 Tj(max), ex. Tj(max)=125 degree9 G4 |$ M' d5 x. f7 }
選擇 theta(j-a) < (Tj(max)-Ta)/Ptotal

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mt7344 + 5 Good answer!

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7#
發表於 2009-5-1 14:08:48 | 只看該作者
除了電路設計解決外,  Layout亦是關鑑6 b( E4 g  Q5 R
7 j$ p; o% f1 l" P7 K! V
1. layout 單元化(Unit) 以此單元倍增減5 `3 q6 ^4 n: X( G/ a8 Z6 v6 A
2. 元件W/L盡可能最大化 W>5um, L>3um或更大
! F: R4 ^) [  ^3. 多可善用匹配layout技巧, 如交叉, 對稱, Dummy...
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8#
發表於 2022-10-12 19:55:32 | 只看該作者
謝謝大大無私的分享,感恩
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