用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程

jeffrey

Dear 先進們,
請問若在tsmc 0.18um的製程�,則若電容使用mos來做, 則它的電容值是多少(如每個???f/um)
9 ?# r0 L8 {4 T因小弟不清楚的design rule有否寫這個數值..

2 l$ B, s/ a& E感謝各位的幫忙.

qpau

MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
2 |7 P2 C/ P* ?" ~7 t8 f  voxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
可用軟體模擬出C-V曲線,
$ h( L' ^1 B6 q, c  @! @! s# WBtw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
' p! N9 F) V3 U0 }# [也就是長在NWELL裡的NMOS,
spice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
: M! C% c; e: W2 p使用這種元件並不需要多加光罩,
建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件

tommywgt

我記得是不是在美國的哪所大學有很多的虛擬製程可以下載的???
/ _" j4 O1 S2 z. p3 y* Y
- B, w- }* ~# T6 @哪位大大可以補充一下下?

st80069

我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
.option dccap post
% U( F7 B2 z. |, T! c8 N.print CGG=LX18(mn1)
.dc vin 0 5 0.1
....
.....
- ]+ S4 _# g# t$ B.......
.end
然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
如有錯誤，請大大們指教~~~
" S, U. A9 h2 w* Y0 N9 J
對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
+ y  m3 Q4 v& U我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
+ o! J+ D2 V  z9 Z而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???

小緯仔

回樓上的大大，MOS電容是非線性電容
4 k' B6 ^! z% m' f
- q8 j% ~, {+ V# t  c比較不穩定，但好處就是能用小面積來換取大的電容值