用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程

jeffrey

Dear 先進們,
; r6 `# }% G8 y$ d+ X7 _" I5 u請問若在tsmc 0.18um的製程�,則若電容使用mos來做, 則它的電容值是多少(如每個???f/um)
因小弟不清楚的design rule有否寫這個數值..
$ f. C8 K2 \5 J; a% F0 p; p9 V. R5 l% _
, m9 ?5 R5 T7 H( [( g# @感謝各位的幫忙.

qpau

MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
1 i: \& z6 _+ c4 ^) foxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
% j' c/ b) ^  A) f9 w但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
0 o+ C$ n" x; A# ?可用軟體模擬出C-V曲線,
  z% ~/ V4 C2 N0 H+ aBtw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
也就是長在NWELL裡的NMOS,
6 ]& X$ k/ E2 nspice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
* t3 ?1 w/ ~" P% Q8 K# q) R使用這種元件並不需要多加光罩,
/ z4 s! i% c& P7 F4 ]$ z  ~8 I! K建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件

tommywgt

我記得是不是在美國的哪所大學有很多的虛擬製程可以下載的???
7 u5 B7 ?# Q0 d  `1 t  N
哪位大大可以補充一下下?

st80069

我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
.option dccap post
.print CGG=LX18(mn1)
6 a0 L! P% Y- c( ^! F5 K.dc vin 0 5 0.1
# B2 `% D! |" L: g....
) X& L4 A/ y2 T% L7 b: X7 Z.....
' Z" U5 m  }4 N4 f$ p  }; k& G( u+ c.......
) W1 b: U4 t3 p9 P+ N.end
  V( E7 h- t8 X* S然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
如有錯誤，請大大們指教~~~
; R3 n5 C4 o: J4 m
- \' D1 x; G( o8 L) r對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???

小緯仔

回樓上的大大，MOS電容是非線性電容

6 U' E3 F, B' K比較不穩定，但好處就是能用小面積來換取大的電容值