關於amp的match問題

minzyyl

如圖所示之amp,M2,M3的M=4, gate輸入分別為IN,IP; 現在主要討論M2,M3的place match, 和同僚討論哪種place可能較好,最後得出的結論不一緻,誰能給點意見?
2 e. W. S3 P8 V' o% n: t8 G
參數: M2,M3一样: W/L=6/2, M=4,以下3种方案佈局時周邊都加dummy.
我們的place方案是：
1: A B A B
* }3 }3 h+ F. q- V+ }+ Z! j   B A B A
這種佈局可以保持電流方向一致,對稱性也較好, 但不能共用S/D
2: A B B A
/ x" n: C/ Y9 D; E   B A A B
+ i. w! X$ @+ l" l( q對稱性不錯,而且能全部共用S/D,但current方向不一緻
3: A A B B
   B B A A
對稱性應該沒上面兩种好,不過也能全部共用S/D, current方向不一緻
- L8 e+ ?/ e/ N
大家一般採用哪种? 能說說理由嗎?

2 `% f6 n: C$ B1 d5 Y[ 本帖最後由 minzyyl 於 2009-7-11 04:00 PM 編輯 ]

minzyyl

沒人知道嗎?

沒人知道嗎?
4 g- J+ J" k" Z0 `: k2 R+ U
沒人知道嗎?

hiyato

通常應該都是使用2的方案，雖然SD的部分沒辦法共用，但至少可做到中央對稱。

腳踏

三種都可以  LAYOUT上大多是面積上的考量比較多
大多數都試看RD的喜好 問一下RD比較好

alai

个人比教喜欢第二种，它是共质心（common-centroid)结构分散性也比较好。
6 y$ G; B7 S% m5 j) B9 y3 g第一种不能共用S/D，active不能合并，比较占面积。
- s6 L+ n. m+ M* E/ `第三种分散性不如第二种。
0 B) E  T8 c+ f, \
[ 本帖最後由 alai 於 2009-7-13 11:20 AM 編輯 ]

man52013142002

第二種較匹配

可是為什麼電流方向不一致@@?
+ A- o( C: t' h
然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

minzyyl

原帖由 man52013142002 於 2009-7-13 11:45 AM 發表
第二種較匹配

可是為什麼電流方向不一致@@?

然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

如果S/D共用了則unit單元電流方向不一緻了

wiwi111

類比電路一般都會有Trim Fuse,它就能把電路bias 回所要的特性中
所以,不,要那麼在意maching(不然你電路會很難做),這些都可調整回來的......

in381

其實那三種方式都可以,但是若是碰到非對稱的DEVICE時, Source & Drain 的方向性就有影響囉

man52013142002

所以
$ p4 j& I& e3 t. H9 `. w7 c. @" p
主要是要看電流方向有無對稱 是嗎

hoodlum

方法二
若不共用SD還是有機會讓電流方向一致吧???

minzyyl

看來各傢都有不同的看法阿

光考量對稱性, 肯定第2种優先, 但有時候對電流方向性比較care, 結果就不同了, 希望有經驗的Designer給點意見

HanGu

一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
$ I* N: Y( ]3 _9 U! b* @/ h電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
5 S- P% k4 Z8 i4 I( c都是一樣的。

karenchen

如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

minzyyl

原帖由 HanGu 於 2009-7-16 09:55 PM 發表
一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
0 g. B5 L8 Y2 z$ j- @2 a' n電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
9 `5 r2 ~9 M1 z都 ...

6 J. o; d6 m& v; c4 H  _' I

& k, |' K, E5 x/ p0 B4 `( D2 z( }第一种方案對稱中心應該有2個了,而且這種不屬於common-central, A/B分佈的確最均衡,但這種不能S/D共用，就是説沒那麽緊湊.
6 [0 B- y) d! S- ~4 Z) [
* U8 J& U; L2 o. x, w我覺得這個問題也沒有統一的標準,一般來説只有那種特別有經驗的designer才能知道自己應該用哪种方式,大多數的時候還是由layouter決定哪种擺放方式.畢竟有時候考慮的更多是電流,或者對寄生電容更敏感等.

minzyyl

原帖由 karenchen 於 2009-7-17 04:07 PM 發表
如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

$ ~/ W  m, |% R. T

. N* C; C+ |4 l) G  r                  
% |! i' A0 h( ]1 C- |                 
請問STI效應具體指？

* O* m6 H8 `/ j3 K6 r6 i                                                               
# X# w" m% L6 C3 O' d                                             ?

瓦片小屋

我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

erwbeflkw

方案一：
  AB     AB
        x
  BA     BA　　兩個兩個相互共用應該也算common-central
" _- a1 H  q0 M, J6 G8 b' V
4 B9 g3 o" T8 N9 `% \' [如果不共用
　A      B          A      B
5 C, b' h; L1 v        x        X         x
　B      A          B      A   
6 z& k% f- R  Y- }& u　　x1　　　　　x2
x1 屬於 common-central
x2 屬於 common-central
/ \& `: p0 K% \% E# V5 Q" ux1和x2 的central 又落在大X上所以應該也算common-central
兩個A接近大X的central又跟兩個A遠離大X的central重疊


方案二已經是public 的 know-how了，如果有面積考量的話，當然就用這個
方案三會比會比方案一還弱吧，如果有再多一組的話，雖然也是common-central

semico_ljj

用第二种！

minzyyl

原帖由 瓦片小屋 於 2009-7-18 05:20 PM 發表
我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

6 Q9 n) v# V% K% H

7 u+ }% z: t3 e* Q; }& S- H    何解? RD不一定正確吧?