關於amp的match問題

minzyyl

如圖所示之amp,M2,M3的M=4, gate輸入分別為IN,IP; 現在主要討論M2,M3的place match, 和同僚討論哪種place可能較好,最後得出的結論不一緻,誰能給點意見?

參數: M2,M3一样: W/L=6/2, M=4,以下3种方案佈局時周邊都加dummy.
我們的place方案是：
1: A B A B
" |  }# C- j6 K4 F: e   B A B A
2 T; q7 S7 |9 `# X. `- j這種佈局可以保持電流方向一致,對稱性也較好, 但不能共用S/D
2: A B B A
   B A A B
4 g- D5 O+ a, r對稱性不錯,而且能全部共用S/D,但current方向不一緻
$ A* [( `' ^3 }  R: o8 `3 X3: A A B B
   B B A A
) M! W+ u$ w: Q5 o  |9 L' _對稱性應該沒上面兩种好,不過也能全部共用S/D, current方向不一緻

' V, l6 a; \7 Y  t4 \( [  y5 q大家一般採用哪种? 能說說理由嗎?
7 N5 z) x2 S% N* J" @
[ 本帖最後由 minzyyl 於 2009-7-11 04:00 PM 編輯 ]

minzyyl

沒人知道嗎?

' m$ z7 W& _2 l/ e* `+ R沒人知道嗎?
# Q) D& ~2 c0 m: Y  Q# F8 t
9 d- D' j( x$ @$ t# |- T. d' x# p3 W沒人知道嗎?

hiyato

通常應該都是使用2的方案，雖然SD的部分沒辦法共用，但至少可做到中央對稱。

腳踏

三種都可以  LAYOUT上大多是面積上的考量比較多
! |  I7 f. t' |  R: E+ h: J  q* z大多數都試看RD的喜好 問一下RD比較好

alai

个人比教喜欢第二种，它是共质心（common-centroid)结构分散性也比较好。
第一种不能共用S/D，active不能合并，比较占面积。
第三种分散性不如第二种。

( ?7 ^- p* F  v. m! M# D[ 本帖最後由 alai 於 2009-7-13 11:20 AM 編輯 ]

man52013142002

第二種較匹配

( F3 Q! _- i2 U可是為什麼電流方向不一致@@?

- N8 ?/ C( o$ @2 ]0 n然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

minzyyl

原帖由 man52013142002 於 2009-7-13 11:45 AM 發表
第二種較匹配

& `, H9 q' Y; y" m/ E4 G可是為什麼電流方向不一致@@?
- B% Z7 D! |& r; H' k! a
然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

5 x+ s+ \+ b# s* V: M
0 o2 J; C3 t9 A如果S/D共用了則unit單元電流方向不一緻了

wiwi111

類比電路一般都會有Trim Fuse,它就能把電路bias 回所要的特性中
$ s* i2 U1 n3 B9 e3 y' c所以,不,要那麼在意maching(不然你電路會很難做),這些都可調整回來的......

in381

其實那三種方式都可以,但是若是碰到非對稱的DEVICE時, Source & Drain 的方向性就有影響囉

man52013142002

所以

, U4 _/ [5 z" z) L! j9 h- G( a' y主要是要看電流方向有無對稱 是嗎

hoodlum

方法二
# W* m; o* g$ A, w若不共用SD還是有機會讓電流方向一致吧???

minzyyl

看來各傢都有不同的看法阿

: R4 a( d) D+ C9 [& w& Z6 Q  I光考量對稱性, 肯定第2种優先, 但有時候對電流方向性比較care, 結果就不同了, 希望有經驗的Designer給點意見

HanGu

一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
/ T) j7 L" Y" Y  f2 \! X都是一樣的。

karenchen

如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

minzyyl

原帖由 HanGu 於 2009-7-16 09:55 PM 發表
+ D6 R( r+ l# m5 {: k一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
* g1 \% z! X' Z8 R& R$ e  y/ H) |都 ...

3 n2 `2 J8 T& F  X
  J. n7 x0 ^, O  Y

6 q/ k( c7 c7 ^* l. U& t第一种方案對稱中心應該有2個了,而且這種不屬於common-central, A/B分佈的確最均衡,但這種不能S/D共用，就是説沒那麽緊湊.

6 y/ i! Y) d  u9 B' r# T, L我覺得這個問題也沒有統一的標準,一般來説只有那種特別有經驗的designer才能知道自己應該用哪种方式,大多數的時候還是由layouter決定哪种擺放方式.畢竟有時候考慮的更多是電流,或者對寄生電容更敏感等.

minzyyl

原帖由 karenchen 於 2009-7-17 04:07 PM 發表
. q% ]/ `; S% c如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

. P' t1 g4 C  }  b. k

7 _# m# A$ A4 U/ C! i, R; H
5 F! H8 _4 ?6 q6 m( M
                  
                 
請問STI效應具體指？

                                                               
  Q! s; E" S8 x                                             ?

瓦片小屋

我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

erwbeflkw

方案一：
- G! u( J2 u5 P* Z9 l8 G  AB     AB
        x
* N7 d4 N9 E5 ]: J9 ~3 V  BA     BA　　兩個兩個相互共用應該也算common-central
* p" Q# f! M1 u& M: g3 p: n' c
如果不共用
' {' W1 J( J( m, |　A      B          A      B
! B! ]% }+ J7 D% V, }  ]        x        X         x
　B      A          B      A   
2 c: n- E0 X9 z8 j" G　　x1　　　　　x2
3 C# ?3 R& z: S) j/ Z  [6 kx1 屬於 common-central
x2 屬於 common-central
- a: G) ~' _! @, H0 ~x1和x2 的central 又落在大X上所以應該也算common-central
兩個A接近大X的central又跟兩個A遠離大X的central重疊

+ [  r3 I4 {8 X9 ~) R1 X
& B5 o1 Q) S( E: U& i2 b2 L/ I, h方案二已經是public 的 know-how了，如果有面積考量的話，當然就用這個
1 y5 I2 A" X) r方案三會比會比方案一還弱吧，如果有再多一組的話，雖然也是common-central

semico_ljj

用第二种！

minzyyl

原帖由 瓦片小屋 於 2009-7-18 05:20 PM 發表
1 Z4 O' ?! ]  A! _5 r8 E我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

& u# _, X8 B$ Z3 O) f, t) u' B    何解? RD不一定正確吧?