|
本帖最後由 weilun_1016 於 2023-10-6 12:29 AM 編輯 ! B8 t0 Y1 o& q* h: q4 ?0 R
# F+ t* m2 E2 J! `各位前輩好8 t: c- J" `* b% \% }
. ]+ R' J: f8 z& @9 _
小弟最近在畫layout碰到一個問題,遲遲無法解決,因此想上來詢問各位前輩的意見0 V; N K' W2 h
' Q; _+ f! x9 O小弟用的製程是 TSMC 0.18UM CMOS HV MIXED SIGNAL BASED BCD GEN2 SALICIDE8 I) Z6 A- }) ~6 u1 _
5 _& Q. }$ l* d" J在畫layout時有使用到 P+ Poly resistor w/o Silicide的電阻,而且都是直接用tsmc他們的PCELL
7 Y' x' Q3 D% Q/ z+ U; h
3 f. X: H7 w5 b0 o- H但跑LVS時,layout轉出來的netlist檔卻沒有這個電阻,所以一直有missing instance的情況$ n ]" f8 Q& [
% ~) y; M' T3 p! w0 T; `5 O
& C1 ~! E8 f; o& \% @8 J+ f# }
以下有幾點我有先確認過,因此才推測是不是layout認不到w/o Silicide類型的電阻:
5 |' ?% w3 v8 P9 k& d/ h" m) Q7 b/ d
1.用w/o Silicide的電阻時,跑LVS時,layout端會有missing instance的情況;一旦改成w/i Silicide的電阻時,LVS即可通過→排除接線問題. ]+ c0 y+ C- V$ s. x; k- I
1 H! C: n& O, i7 E6 S7 F
2.在layout中將所有PCELL內所有w/o Silicide的電阻叫出來,跑LVS時,layout端都不會有Unmatched的元件, {$ L- p/ C: ?, w0 g/ t) Z2 t/ [( U
+ N# X4 T# s' v3 j a' |; `我也有去看LVS Rule的檔案,知道這兩種電阻只差在有沒有RPO Layer (Non-salicide OD Area Definition),也確認PCELL內都包含了應該有的Layer
4 z6 w5 W! |* B. V; E$ O4 [2 Z- `0 B- A( h- o9 b$ M) V7 Q
3 X1 [5 g- ]8 p* j# N6 G" h
* T5 Y, C }: g% h' v' w" d0 }3 ]若是自己按照LVS Rule定義的layer去畫電阻,就會變成在還沒覆蓋RPO Layer時,layout認的到它是w/i Silicide的電阻[PS],
5 e& Y' g* J O: ~6 |6 W. ]% P2 }
一旦在原有w/i Silicide的電阻覆蓋RPO Layer,就missing instance了。
. m7 F0 g3 i+ S9 ], @6 q e
; W# g9 S% D$ \4 Z/ o& k2 k. ~請各位有經驗的前輩能提點一下小弟,要怎麼解決這個問題,已經被困了好幾天了
# S. @8 e1 O# Y8 A- |" c$ q# ^7 v2 Z0 `% S. d$ A
4 X* N2 x' p7 T$ [: }) r
|
|