關於amp的match問題

minzyyl

如圖所示之amp,M2,M3的M=4, gate輸入分別為IN,IP; 現在主要討論M2,M3的place match, 和同僚討論哪種place可能較好,最後得出的結論不一緻,誰能給點意見?
5 w' T, p' ]' B+ z
參數: M2,M3一样: W/L=6/2, M=4,以下3种方案佈局時周邊都加dummy.
我們的place方案是：
1: A B A B
   B A B A
6 R0 M) v! [6 O/ f, H% {+ P- F這種佈局可以保持電流方向一致,對稱性也較好, 但不能共用S/D
2: A B B A
   B A A B
對稱性不錯,而且能全部共用S/D,但current方向不一緻
2 _# l( P3 I' `3: A A B B
   B B A A
3 W# G# j5 z, z* H9 N對稱性應該沒上面兩种好,不過也能全部共用S/D, current方向不一緻
+ @+ \/ G, l( i+ v
大家一般採用哪种? 能說說理由嗎?
3 ]. C( `. o( d, D$ w4 z
0 I! \" J! P' ^4 _[ 本帖最後由 minzyyl 於 2009-7-11 04:00 PM 編輯 ]

minzyyl

沒人知道嗎?
' h5 L/ Q) D+ ]7 R- E
: F4 [! R! c9 D, E1 e. O; c6 I* S沒人知道嗎?
  d3 @, s7 z" v! n9 c/ y
/ P4 S3 U$ N  `1 V沒人知道嗎?

hiyato

通常應該都是使用2的方案，雖然SD的部分沒辦法共用，但至少可做到中央對稱。

腳踏

三種都可以  LAYOUT上大多是面積上的考量比較多
) M  h0 G( }* o! h  }8 l+ u9 N大多數都試看RD的喜好 問一下RD比較好

alai

个人比教喜欢第二种，它是共质心（common-centroid)结构分散性也比较好。
第一种不能共用S/D，active不能合并，比较占面积。
第三种分散性不如第二种。
( Q* Z! D9 d7 h
2 |7 P' k1 u/ d9 |& f4 w, b3 U# W[ 本帖最後由 alai 於 2009-7-13 11:20 AM 編輯 ]

man52013142002

第二種較匹配

可是為什麼電流方向不一致@@?
; R7 }5 ^. {0 U3 s9 j4 a$ @
/ |4 }( T( S- m4 A- f& B9 w! @然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

minzyyl

原帖由 man52013142002 於 2009-7-13 11:45 AM 發表
  I0 X. q* c: y3 _  t第二種較匹配

6 q) g8 A9 K, \6 G8 b& |, [可是為什麼電流方向不一致@@?

. ~  R" n) I+ p( i/ H然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

; N8 C1 x' B$ I1 M% }* `
; b) t8 l$ c6 D) ^如果S/D共用了則unit單元電流方向不一緻了

wiwi111

類比電路一般都會有Trim Fuse,它就能把電路bias 回所要的特性中
7 A0 X, h: D: E5 Q8 U# p6 n1 e所以,不,要那麼在意maching(不然你電路會很難做),這些都可調整回來的......

in381

其實那三種方式都可以,但是若是碰到非對稱的DEVICE時, Source & Drain 的方向性就有影響囉

man52013142002

所以
* w  Y2 P$ |4 U6 J' r. L* W8 v
主要是要看電流方向有無對稱 是嗎

hoodlum

方法二
若不共用SD還是有機會讓電流方向一致吧???

minzyyl

看來各傢都有不同的看法阿

光考量對稱性, 肯定第2种優先, 但有時候對電流方向性比較care, 結果就不同了, 希望有經驗的Designer給點意見

HanGu

一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
* q" l* j1 H  m8 ^8 e2 y電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
都是一樣的。

karenchen

如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

minzyyl

原帖由 HanGu 於 2009-7-16 09:55 PM 發表
一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
2 V% `1 C0 o* A都 ...

, O+ T4 |" a# N4 ?
! D& K, z$ c/ v  K, z  I; u! a
" W8 b: ]& u5 L8 v  R; L/ Y3 y& a: u
第一种方案對稱中心應該有2個了,而且這種不屬於common-central, A/B分佈的確最均衡,但這種不能S/D共用，就是説沒那麽緊湊.
3 e: a  L7 {/ z
我覺得這個問題也沒有統一的標準,一般來説只有那種特別有經驗的designer才能知道自己應該用哪种方式,大多數的時候還是由layouter決定哪种擺放方式.畢竟有時候考慮的更多是電流,或者對寄生電容更敏感等.

minzyyl

原帖由 karenchen 於 2009-7-17 04:07 PM 發表
如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

0 O/ l- C, Y7 I7 R2 R5 K$ K
( |$ D; f  {1 r5 i! c$ k

% t* ]' G0 }- E( L# \( m+ \, ^; W                  
                 
請問STI效應具體指？
3 Y8 D! F2 y- w9 r
                                                               
) g; ]8 M' N/ ?0 v                                             ?

瓦片小屋

我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

erwbeflkw

方案一：
  AB     AB
' Q& e" N$ v- n7 a* r, Q- B        x
  BA     BA　　兩個兩個相互共用應該也算common-central

/ \! M3 I& ^; u" ~, Z1 k* Y, |如果不共用
" w/ g' b- V$ F5 b3 K+ [7 ?4 n　A      B          A      B
7 V" u2 j5 A. ]  p2 q6 Z$ j4 [0 ?        x        X         x
　B      A          B      A   
( ]. h$ y$ {$ D/ ~# F　　x1　　　　　x2
; d3 d* X' `: ^  H3 H) U9 qx1 屬於 common-central
x2 屬於 common-central
x1和x2 的central 又落在大X上所以應該也算common-central
兩個A接近大X的central又跟兩個A遠離大X的central重疊

4 a" S3 T$ q9 b4 i- Y+ {# T) b
/ q; \/ P6 M7 T( T7 z7 [( @, _, l方案二已經是public 的 know-how了，如果有面積考量的話，當然就用這個
9 [: h( \3 C+ e7 @3 p1 S1 l方案三會比會比方案一還弱吧，如果有再多一組的話，雖然也是common-central

semico_ljj

用第二种！

minzyyl

原帖由 瓦片小屋 於 2009-7-18 05:20 PM 發表
$ L4 r! D- v5 D我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

. N" ~5 i# P. a# ^' {1 x; e3 d% `8 `
3 R7 j+ t6 Q  r    何解? RD不一定正確吧?