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老實說,1 D( m$ N9 ~: f
你問的問題很廣,
4 u3 b$ k2 I; l) s7 g5 e會根據不一樣的條件,
" N6 W4 b( q6 S# q而有不同的答案。
( A' K+ z. S( a: Q4 I" l: D! g. z
以nmos,body=source=ground的例子來說,9 o {0 W. n- c
# x4 G0 }. l0 H
(1) 如果gate=ground,nmos turn off,. ~% U& P. E# x& }( z( _6 j
如果vdg的壓差不會讓gate-oxide breakdown的話,4 t9 A3 B# h) w; q7 g: I6 d6 T) b
一般來說,應該不會,) E! {/ T- M7 r1 B2 m2 a3 Y' N
因為SiO2的critical electric field滿大的,
4 v1 s2 p& s( y$ J; e3 D4 j3.3V device gate oxide還滿厚的。% R5 `4 L! P: Y4 o' g! a# r# E
vds最大值就是其寄生n+/p-sub/n+ bjt的breakdown voltage,
9 i5 b4 x9 F# U8 {) {) D& F這個值通常很大,
) f/ `% M$ Y7 \3 a4 P因為body=source=ground。& K5 S4 q" k" A4 N
另外,如果channel length比較短,
8 c; h$ }+ g! ]1 x* {這個值 "可能" 會跟channel length有關,
- c6 k$ \: m3 |% N' |但如果channel length大到某種程度後,
& r7 i+ c, X+ P應該也沒影響力了。
h1 c3 ~0 h0 X. j% M5 m
% i1 O6 @6 X* l% B(2) 如果gate=bias voltage,/ b2 Y; x3 @6 O9 j' M( S
這顆nmos可能當current source使用,+ Z! u5 X: c4 ?" h) V9 W, A
這時候就要考慮其hot-electron的效應,+ F$ m/ t- C3 U+ L6 t
因為單位面積的current可能滿大的,2 g* {8 Y5 \9 u- m
而vgd也不小。: K5 f/ V$ D' b' [4 q
, W9 s8 [5 p3 G(3) 如果gate=darin=high-voltage,
) G1 a. Y+ Q$ a# ~: \4 ]這樣的單位電流會大到不行吧!3 r+ J/ C& h" S* D- Q: H: ?3 v
Id = kn'W/L * (vgs-vt)2* Q% }4 |0 C5 _* r
8 Z u% ?9 b, e
所以通常是case2會是要考慮的問題, M3 ]1 Y8 `, u2 \
不過hot-electron就是可靠度的問題囉。
3 b6 M: A E) a1 C# G+ Hn.n |
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