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老實說,
/ i# C" j2 E! `. K4 T你問的問題很廣,
, @* P3 z! y+ R) a: j; _$ V會根據不一樣的條件,
* ^8 d8 ^9 I% h7 F而有不同的答案。8 \% v, ^/ t2 r) p+ n' n
: l7 O' Z( k9 m$ L6 g' l. k! c
以nmos,body=source=ground的例子來說,- F. z- k' U( P' n1 [7 }
3 P& R% D7 n( k& I
(1) 如果gate=ground,nmos turn off, a3 f8 W! l4 j" h J7 i
如果vdg的壓差不會讓gate-oxide breakdown的話,1 a! y; l6 P: ?5 b0 F; Q3 z( d* C
一般來說,應該不會,8 M) x! ?) w8 x+ p, d! w6 _* v
因為SiO2的critical electric field滿大的,
: n; a0 @0 Z ^8 i4 m3.3V device gate oxide還滿厚的。, K8 Y) u% \1 ?4 A+ _- f
vds最大值就是其寄生n+/p-sub/n+ bjt的breakdown voltage,
* Z! L) k( i7 m# i這個值通常很大,
" C. S; g& M( }; _因為body=source=ground。
) u( m, a/ M9 `2 i* B2 f2 t1 K另外,如果channel length比較短,- V+ @" `7 O/ L+ Q
這個值 "可能" 會跟channel length有關,+ M% l. L% | ^6 z5 v! Y
但如果channel length大到某種程度後,+ }! V& }$ k- I; M7 B. G6 m5 G2 v. n
應該也沒影響力了。3 U# A* O/ G5 N/ e- L
( _" i# b, }' h4 }) \" M# n0 M
(2) 如果gate=bias voltage,
9 w/ j- X# l9 v! L這顆nmos可能當current source使用,
9 Y+ a1 ^+ o; ?/ B* r1 m這時候就要考慮其hot-electron的效應,# [2 [9 h' `: s" Q
因為單位面積的current可能滿大的,
8 \' P: h! e2 W而vgd也不小。* ^$ W" E$ n* l! B- \
- s- G) r; l; w' h" f1 G
(3) 如果gate=darin=high-voltage,
- m5 L! X P% ?% q( K/ C6 M' `這樣的單位電流會大到不行吧!1 d/ [; w2 P: x& `* l; K
Id = kn'W/L * (vgs-vt)2* ~3 \3 A; C6 | B& `* `
/ Z; {1 r( I3 I+ i, z
所以通常是case2會是要考慮的問題,6 h$ g" E0 A8 |- y; {4 d) ?& `- U
不過hot-electron就是可靠度的問題囉。( ^9 A( l3 [, ]8 A# G
n.n |
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