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樓主: jeff710203
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[問題求助] [問題]關於某篇文章設計capless LDO 的 PMOS

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1#
發表於 2014-7-13 22:36:22 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位先進們9 D% I0 D! u+ V1 L+ y& N
                                                                                7 q6 Y, u  o* ~+ N
請問有誰拜讀過Robert J. Milliken 在 IEEE Transaction on circuit and system
. ^# y, M( s( s$ i/ Z                                                                                1 O- g' y9 W' `. y" f
在2007年"Full on-chip CMOS Low-Dropout Voltage Regulator",在文章的後面Table3
7 ]  d- f) ]& s1 ~0 }$ ]                                                                                9 Y9 B# _, J/ E) `
提到pass transistor 設計的尺寸W/L=40000 且只要流過10uA就可以得到Gmp=3.2mA/V; M, {- o. }, f) ?3 h
                                                                                
! ~% Z+ U7 Y7 J  m& x* R以及CGS=100pF CGD=26pF ‧我是使用hspice模擬單顆電晶體,發現至少需要Id=100uA2 {( A, _3 v7 r* d( Y
                                                                                $ V- D9 q1 y& ?8 }1 V" h
以上的電流才可以得到Gmp=mV/A等級的大小,還是我誤解他的意思,請各位先進指教一下
& v  F9 P( _/ a6 }                                                                                ; ]0 v9 Z( E& X$ p0 q" N# q5 L
感謝
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2#
發表於 2014-7-30 15:02:50 | 只看該作者
跟bias條件有關0 k, e) `6 a  }* }5 q1 k
W/L=40000, Id=10uA, PMOS是bias在weak inversion" o, H% P- ]; x% N! c: J1 G8 A
gm 本來就大+ l5 l, T' Y& q7 n- J6 |
至於模擬的方式, PMOS source 接3V, drain 接2.8V# N5 m3 c) p8 q7 @4 O6 M8 o
掃gate電壓看電流, 找Id=10uA下的gm
' \" K4 j" u- m7 c! Y) N前提是你的spice model 有cover weak inversion (通常不太準~)
3#
發表於 2014-9-19 08:39:48 | 只看該作者
這幾年的cap-less LDO走向運用adaptive biasing or dynamic biasing的研究方向$ ?8 B0 M/ h. Z; |* j! `8 q7 X; v
2007年那篇算是比較早期的作法了) P% a0 c" a# r9 ]8 \
且如同jackrabbit所言,PMOS's size那麼大又要能有那麼高的gm,確實是要在weak inversion,而且,那也要看Foundry所提供的device model是否夠精準,我前陣子在作cap-less LDO時,就曾發現用SPICE model和用Spectre model跑出來的結果差異甚大
3 }$ a! V: D8 b9 [% _7 @後來仔細追究,發現是
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4#
發表於 2014-9-20 13:14:42 | 只看該作者
來看一看
7 g1 b4 e% ~! c4 hcapless ldo真的需要考慮更多的是  補償  voltage drop$ h' \6 |  l1 k5 c9 V
傳統作法都是還會在layout有空間的地方塞一堆電容7 g, Z8 E- K6 N+ k6 h$ G8 U1 n
比較新的作法本身是還沒試過  畢竟  公司要的是做出來的時間而不是讓你慢慢研究阿QQ
5#
發表於 2014-9-21 11:43:24 | 只看該作者
現在的cap-less LDO走的是low quiescent current的error amplifier
- I$ V2 t$ m4 V) X5 H* Y以前,error amplifier的quiescent current可能是20uA~40uA不等,但現在卻是要求要在低於10uA以下,甚至在某些condition下要在0.1uA下
/ n+ W9 X7 e- [9 h  ~8 c) I- t8 k
4 K9 D' T' q8 N# w% P! K, l- W以前會覺得不合理,但,現在競爭對手都做出來了,相對的就會被要求朝此規格去設計,畢竟公司出錢請你,如果你又拿不出相對等的成績出來,想當然爾結果也可預想3 K) k, r* b- w) q, f/ q
這是RD的宿命
) X9 P4 x( L+ y- I  X" J3 \" p. e" {9 a8 Q" U% }, O& H+ M& I
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6#
發表於 2014-9-24 12:50:33 | 只看該作者
cap-less, low quiescent current 有時跟要能快速response output voltage & n$ [. Z' G( p, ?1 I
drop 同時滿足, 直接想還挺困難, 上來看看是否各位大大有獨到見解0 r& e5 D3 J" r
可以學習一下
8#
發表於 2015-8-29 21:29:55 | 只看該作者
又要馬兒好,又要馬兒不吃草,IC設計很多時候都要做『trade-off』。
9#
發表於 2015-9-19 13:11:07 | 只看該作者
最近有一些需求,需要用到capless ldo,來參予討論一下
10#
發表於 2016-6-25 22:51:24 | 只看該作者
感謝分享。我來研究研究一下
11#
發表於 2016-8-12 00:59:41 | 只看該作者
感謝大大們的討論
  k; U, m) y% P* `/ T小弟來研究一下
12#
發表於 2016-9-20 10:36:22 | 只看該作者
最近正研讀這類電路,還不清楚設計考量1 y8 b- N/ b% A% W; C3 H2 v; ]9 b( }
13#
發表於 2016-12-6 16:19:12 | 只看該作者

9 v' z% v9 n; n8 Q% d+ a: V% rThanks for your sharing  It's a good reference for me.
14#
發表於 2017-2-20 16:49:40 | 只看該作者
感謝分享。A good topic to discussed.
15#
發表於 2017-2-20 16:51:52 | 只看該作者
大大見解獨到, Thank you( I# w! c1 C" o
: k8 u% O6 n( H( O3 ~- |' B; k! J
16#
發表於 2018-12-6 17:18:28 | 只看該作者
最近讀這篇也有一堆問題
, j% \9 d* w& z極零點分析 和 電路的動作原理都有不清楚的地方
17#
發表於 2019-1-6 20:45:51 | 只看該作者
想看一下隱藏內容                     
18#
發表於 2020-8-6 11:19:22 | 只看該作者
  看下  是 發現如何 設計  capless  LDO
* g2 ~7 X8 t! Q% T  D
% |% w% L1 c/ u2 W8 e1 m$ e' B4 x. o
4 X! h; L8 {9 E$ Z4 j7 X7 s
20#
發表於 2021-2-5 14:27:40 | 只看該作者
想看一下隱藏內容;感謝分享;感謝參與討論,謝謝9 Q0 B' h# [# p; l0 b
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