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[問題求助] [問題]關於某篇文章設計capless LDO 的 PMOS

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1#
發表於 2014-7-13 22:36:22 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位先進們
$ `  y6 C6 B6 F                                                                                
5 y# A* S/ s7 N; ^! H7 V5 R請問有誰拜讀過Robert J. Milliken 在 IEEE Transaction on circuit and system
8 I+ r) t0 f* D6 P# q- i( Q4 X9 O0 `; l5 Z                                                                                
& m% k  Q1 Q6 k在2007年"Full on-chip CMOS Low-Dropout Voltage Regulator",在文章的後面Table3
  v3 H7 p3 d9 k2 J6 N8 e                                                                                - b5 [$ N8 n( U! D$ L. A
提到pass transistor 設計的尺寸W/L=40000 且只要流過10uA就可以得到Gmp=3.2mA/V
) o5 }: o! i  r' @                                                                                0 N1 L. p( Y) A( M( J' c2 ?& F5 q2 G
以及CGS=100pF CGD=26pF ‧我是使用hspice模擬單顆電晶體,發現至少需要Id=100uA8 \+ Q% p  p# \1 [2 `# ~2 R
                                                                                
- ]0 v$ n" x% g以上的電流才可以得到Gmp=mV/A等級的大小,還是我誤解他的意思,請各位先進指教一下* z9 g# t  F$ Q# ]' n  W
                                                                                ! q, V& r/ w  ?+ H9 [9 G4 y* R7 h
感謝
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2#
發表於 2014-7-30 15:02:50 | 只看該作者
跟bias條件有關
' c* h5 `, {; A# L& W  oW/L=40000, Id=10uA, PMOS是bias在weak inversion$ J- Q7 h* @' p! w% J% I4 Q  |6 f. a
gm 本來就大5 ~0 g5 R, ^4 [4 ~
至於模擬的方式, PMOS source 接3V, drain 接2.8V" c7 v+ s/ u* V# z' Y% q3 m
掃gate電壓看電流, 找Id=10uA下的gm
/ Y+ u6 @: ?* w* u) D% a$ O; Z: w前提是你的spice model 有cover weak inversion (通常不太準~)
3#
發表於 2014-9-19 08:39:48 | 只看該作者
這幾年的cap-less LDO走向運用adaptive biasing or dynamic biasing的研究方向1 |* o& f5 m' Y8 g+ V" E
2007年那篇算是比較早期的作法了4 O* @! f4 y  ?# `
且如同jackrabbit所言,PMOS's size那麼大又要能有那麼高的gm,確實是要在weak inversion,而且,那也要看Foundry所提供的device model是否夠精準,我前陣子在作cap-less LDO時,就曾發現用SPICE model和用Spectre model跑出來的結果差異甚大
9 A. F/ t, `+ ?/ R8 G1 u2 X後來仔細追究,發現是
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復
4#
發表於 2014-9-20 13:14:42 | 只看該作者
來看一看6 |+ F2 O* n, P8 O% S6 e
capless ldo真的需要考慮更多的是  補償  voltage drop4 C7 n: M! x# }  B" E* r; ]
傳統作法都是還會在layout有空間的地方塞一堆電容4 a% T/ @  V  F7 m# G% n
比較新的作法本身是還沒試過  畢竟  公司要的是做出來的時間而不是讓你慢慢研究阿QQ
5#
發表於 2014-9-21 11:43:24 | 只看該作者
現在的cap-less LDO走的是low quiescent current的error amplifier+ @, C* A. A, D0 p% h) v6 G
以前,error amplifier的quiescent current可能是20uA~40uA不等,但現在卻是要求要在低於10uA以下,甚至在某些condition下要在0.1uA下' ]- U  m) M/ n) a5 H8 N( M

) L8 L! H6 L5 A1 n以前會覺得不合理,但,現在競爭對手都做出來了,相對的就會被要求朝此規格去設計,畢竟公司出錢請你,如果你又拿不出相對等的成績出來,想當然爾結果也可預想, k/ x' }- \: @& ~4 X
這是RD的宿命# F# M* i2 u& |$ f4 V9 r* n
1 B9 H* J2 Z4 p- |4 ^, H  ?+ {! J' ^
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復
6#
發表於 2014-9-24 12:50:33 | 只看該作者
cap-less, low quiescent current 有時跟要能快速response output voltage
6 B' Z& i' Z$ S3 \+ S/ k% kdrop 同時滿足, 直接想還挺困難, 上來看看是否各位大大有獨到見解
7 w( M+ c- T6 |可以學習一下
8#
發表於 2015-8-29 21:29:55 | 只看該作者
又要馬兒好,又要馬兒不吃草,IC設計很多時候都要做『trade-off』。
9#
發表於 2015-9-19 13:11:07 | 只看該作者
最近有一些需求,需要用到capless ldo,來參予討論一下
10#
發表於 2016-6-25 22:51:24 | 只看該作者
感謝分享。我來研究研究一下
11#
發表於 2016-8-12 00:59:41 | 只看該作者
感謝大大們的討論7 M7 |: N& ?1 C! F' I5 K6 n; Y
小弟來研究一下
12#
發表於 2016-9-20 10:36:22 | 只看該作者
最近正研讀這類電路,還不清楚設計考量8 U0 W" ~1 n/ p) b: T. E$ _
13#
發表於 2016-12-6 16:19:12 | 只看該作者

) p4 F4 I" A  wThanks for your sharing  It's a good reference for me.
14#
發表於 2017-2-20 16:49:40 | 只看該作者
感謝分享。A good topic to discussed.
15#
發表於 2017-2-20 16:51:52 | 只看該作者
大大見解獨到, Thank you: h+ x% V/ T8 D& o2 X
9 T  u7 \+ C8 k7 q! p9 m
16#
發表於 2018-12-6 17:18:28 | 只看該作者
最近讀這篇也有一堆問題 8 o. M6 }- G# l# ~
極零點分析 和 電路的動作原理都有不清楚的地方
17#
發表於 2019-1-6 20:45:51 | 只看該作者
想看一下隱藏內容                     
18#
發表於 2020-8-6 11:19:22 | 只看該作者
  看下  是 發現如何 設計  capless  LDO
3 G$ E  ]) }$ C  h5 \  i& `( n, }/ D  c

$ L- }  ?" D9 g9 G/ k4 d# i: H, Z1 ]; Y9 p
20#
發表於 2021-2-5 14:27:40 | 只看該作者
想看一下隱藏內容;感謝分享;感謝參與討論,謝謝
( H' ?/ z- H  d9 _  w7 x6 g
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