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[問題求助] 請教nmos in nwell的問題

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1#
發表於 2007-11-16 11:08:03 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
這顆NMOS用n guard ring圈起來,這樣的nmos,是屬於可變
& I0 j8 c5 W. m& ^! L, A6 s電容嗎?使用calibre的command file,台積0.18製程,
! w0 I0 u9 W* Fnetlist file中那個model name是用 n表示,這model name
+ r2 ?( j/ D% a是否有問題.! x5 G2 z7 O6 ~8 f( |; v
ps. 1  error report是  3 {# X! l9 |. ]+ E! X
******************************************************************************5 \9 `# m/ h. V+ z
                                 INCORRECT INSTANCES
. @  G5 X' T& p" @! Z2 N% A1 h6 E  c( C5 Z, E4 Z' G7 x" q
DISC#  LAYOUT NAME                                           ne  SOURCE NAME+ [' G  u5 a  C2 e0 l! U
*******************************************************************************
1 d; G$ i" }# y+ U, J% _
% P% R7 O- h3 T% f6 ^  1    ** missing instance **                                    MC  MN(N)
# \; x8 ]) D+ s; @
  q* E' h# L9 ~( y  n5 d  \只有這樣,然後只說nmos有差一個,就沒其他解釋
3 [9 ~: [9 `7 i5 u3 A
. B; H  l0 d) e4 y' }ps.2 在另外一個版本中,也有同樣的東西,但是lvs卻抓得到,2個版本只有差在.tf檔不同版,
  t6 W; ?) T# T2 G) Q) P2 p     會是tf檔的差異嗎?(目前找不到其他差異)
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2#
發表於 2007-11-18 06:14:51 | 只看該作者
從你的PS上猜測$ W/ E$ ]. h+ }6 X5 ^
應該是device name對不到,檢查看看netlist的device name,如果是就修改LVS command files就好了。
3#
發表於 2007-11-19 09:46:06 | 只看該作者
如此結構不能說是  NMOS  只能說是 Capacitor!!* Z$ c# I" e0 f! B8 I
所以  不能以  NMOS 建圖!!
4#
 樓主| 發表於 2007-11-19 17:34:48 | 只看該作者
因為這個東西最原始的是投x芯的製程,將其轉為台積後,, p- @  f0 c8 U& O4 V0 v: G% C
卻不知道像這種型態的moscap,在台積是否有效.
% q0 D( U' h% ~+ \: x0 b所有相對應的layer都是正確的,對calibre的command file
4 u5 _- c# A0 o- [6 s- M不是很熟悉,不曉得像這種在nwell內做nmos還圍上n diffusion
% {1 E- P7 W% n" gguard ring的mos,command file會不會將它視為dummy cell,
; ~0 C# S' s4 R0 |4 u/ d' Q而去忽略它.所以會有上面error report的情形,像layout少一顆mos
9 ]- n' q5 c# u的樣子.又或者model name的問題,還是說要蓋一層layer讓/ b0 J% ^* ^% m' s5 w
command去認它.
5#
 樓主| 發表於 2007-11-20 12:01:43 | 只看該作者
從pdk中去找相似的type,發現台積0.18製程沒有這樣的. x! P2 E9 i. N/ c- N
東西,有一個比較類似的是mos_var,但是它的guard ring  C" |1 r& j3 h# _5 m# ]+ R  D
是p diffusion,找它的command file,也沒有mos_var這個
7 H7 d& G; Q8 Z% Z( b東西.所以現在device name還不知道要怎麼給.4 y6 C; {4 Q- g. e. d
另外關於上面ps2中提到舊版本為什麼會過,我發現前面的7 [) o3 X5 c8 i- h# Q3 B- i
人在那棵mos旁邊並聯一個同樣的mos,只是改成一般型態
0 Y1 t. Z3 r; W0 ]# H所以lvs會抓新的那個,舊的當成沒有這顆mos.
6#
發表於 2007-11-20 15:47:30 | 只看該作者
原則上  這個電容是可以用的!!
3 V0 k& o7 r9 W4 s4 n: B2 v加上一個 dummy layer 把它定義成電容就可以說!!
2 E+ A2 Z" v! a( A7 n5 C這個電容有許多人用過!!
3 F) p8 U3 [4 A6 e, p' B( D早期沒有 Double poly 電容的時候!!  有相當多的人在用!!
7#
 樓主| 發表於 2007-11-21 10:33:05 | 只看該作者
基本上command flie的描述是這樣
9 O0 N3 C' {; [0 p3 ^* VARGT = OD * POLY1 * NIMP * NWELL * VARDMY
. ?' Q4 v7 ]* Q9 o5 G2 N8 x+ Mnmoscap        1.8V NMOS Varactor      (VARGT-OD2-RFDUMMY-RFDUMMY1); r4 z& |3 j4 J# ?; ]
這樣的描述與上述的moscap只差一個p或n的guard ring,那我device name用4 G4 V, D( k; G3 B% ~
"nmoscap",這樣是否可以.0 f) {# R- U2 e5 u, l1 @3 C
我在netlist file上這樣描述,& a3 \, ]: t% T& a3 Z  }  b2 O* V
XMC1 VCMIN REFM nmoscap Lr=5U Wr=620U mr=1# a7 k7 \; Q+ o: {0 ~. ]$ w3 A' q
然後在netlist file中,INCLUDE 一個source_added,這個file中有nmoscap的格式! J, G( v$ ~0 u
這樣做是否正確,事實上還是有問題,只是搞不懂問題出在那.
8#
 樓主| 發表於 2007-11-22 14:00:20 | 只看該作者
謝謝各位的幫忙,在修改netlist以及layout,已經順利解決
3 g$ d% f$ K. y6 z這個問題.
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