Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 12143|回復: 7
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 請教nmos in nwell的問題

[複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2007-11-16 11:08:03 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
這顆NMOS用n guard ring圈起來,這樣的nmos,是屬於可變0 u4 L1 d* s. y5 r' [& B& Q
電容嗎?使用calibre的command file,台積0.18製程," g! O6 v, e* J! D
netlist file中那個model name是用 n表示,這model name* W8 T( b4 ^& ^4 Y& c+ S" n- ?
是否有問題.
" A  o% }! n" V: rps. 1  error report是  ; X9 Y% Q& F: D
******************************************************************************3 V5 f* P0 E) o/ x+ `  i
                                 INCORRECT INSTANCES
2 U$ t" ^+ i( O, @/ X& ]& Z$ f9 {. d/ y" y
DISC#  LAYOUT NAME                                           ne  SOURCE NAME
( j: Q6 g( `: l& N3 i*******************************************************************************" h2 l! j3 a# D6 U$ S9 x

$ F3 e: x& }$ k3 c8 x8 z  1    ** missing instance **                                    MC  MN(N)
1 ^  D) v$ Z! D* F, m
* n) e' \( `7 w1 j4 C1 I) J6 m% p只有這樣,然後只說nmos有差一個,就沒其他解釋
5 q; q: F! q% e3 A$ W! W
9 x: p6 ]3 d( V3 x4 C3 q! Ops.2 在另外一個版本中,也有同樣的東西,但是lvs卻抓得到,2個版本只有差在.tf檔不同版,
( t' C: b0 g: v# z+ Z     會是tf檔的差異嗎?(目前找不到其他差異)
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂 踩 分享分享
2#
發表於 2007-11-18 06:14:51 | 只看該作者
從你的PS上猜測, h* k# F) V& [2 ^! d
應該是device name對不到,檢查看看netlist的device name,如果是就修改LVS command files就好了。
3#
發表於 2007-11-19 09:46:06 | 只看該作者
如此結構不能說是  NMOS  只能說是 Capacitor!!
" p3 t8 v2 \! L, B$ A2 n所以  不能以  NMOS 建圖!!
4#
 樓主| 發表於 2007-11-19 17:34:48 | 只看該作者
因為這個東西最原始的是投x芯的製程,將其轉為台積後,4 _7 O# c2 ^: e: F
卻不知道像這種型態的moscap,在台積是否有效.
0 S6 x* A; B. Z( [- N所有相對應的layer都是正確的,對calibre的command file
) c" D- W2 f' m% H/ i不是很熟悉,不曉得像這種在nwell內做nmos還圍上n diffusion( w0 ^/ L9 t5 h
guard ring的mos,command file會不會將它視為dummy cell,& D+ j7 e( R( W6 _0 c" `* ~5 p
而去忽略它.所以會有上面error report的情形,像layout少一顆mos+ F+ v- c& h4 Z2 Y. d  A7 N
的樣子.又或者model name的問題,還是說要蓋一層layer讓
& L& w: k) T2 }2 c8 |  [1 d! Scommand去認它.
5#
 樓主| 發表於 2007-11-20 12:01:43 | 只看該作者
從pdk中去找相似的type,發現台積0.18製程沒有這樣的
# }5 B; b# o; t' M. o# x東西,有一個比較類似的是mos_var,但是它的guard ring: \7 c2 H# k3 T
是p diffusion,找它的command file,也沒有mos_var這個
( P* j: j5 l/ e5 L1 C0 E東西.所以現在device name還不知道要怎麼給." J: |9 l' H" w$ g/ \0 _  n- @- K
另外關於上面ps2中提到舊版本為什麼會過,我發現前面的
% Q# _- ~- |, D1 Q1 k人在那棵mos旁邊並聯一個同樣的mos,只是改成一般型態
! d/ E  @; g1 @0 _  _6 P所以lvs會抓新的那個,舊的當成沒有這顆mos.
6#
發表於 2007-11-20 15:47:30 | 只看該作者
原則上  這個電容是可以用的!!
( m; W" A5 C! K加上一個 dummy layer 把它定義成電容就可以說!!
0 S8 z8 v( J7 Y) y5 L0 C( d這個電容有許多人用過!!
8 M" o$ {+ h7 ]9 L早期沒有 Double poly 電容的時候!!  有相當多的人在用!!
7#
 樓主| 發表於 2007-11-21 10:33:05 | 只看該作者
基本上command flie的描述是這樣5 x/ V' Q  w& }# q
* VARGT = OD * POLY1 * NIMP * NWELL * VARDMY
% u/ W. o! P! k- ?3 X0 D2 anmoscap        1.8V NMOS Varactor      (VARGT-OD2-RFDUMMY-RFDUMMY1)
7 w2 B: U, \4 N% [: }4 P, o這樣的描述與上述的moscap只差一個p或n的guard ring,那我device name用
5 V$ o7 f0 {7 Y9 ]! V+ u; q7 h"nmoscap",這樣是否可以.
' J- E& Q; ]& R  y! W; l我在netlist file上這樣描述,
$ b3 \6 }% h. [' oXMC1 VCMIN REFM nmoscap Lr=5U Wr=620U mr=1
( k3 N1 p, H, ~' c/ ~然後在netlist file中,INCLUDE 一個source_added,這個file中有nmoscap的格式5 \5 d7 g+ N2 r" b
這樣做是否正確,事實上還是有問題,只是搞不懂問題出在那.
8#
 樓主| 發表於 2007-11-22 14:00:20 | 只看該作者
謝謝各位的幫忙,在修改netlist以及layout,已經順利解決
/ ]. y1 g) I/ e* k. ^  W( o. ]這個問題.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-4-29 05:41 AM , Processed in 0.108007 second(s), 17 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表