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樓主: jeff710203
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[問題求助] [問題]關於某篇文章設計capless LDO 的 PMOS

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1#
發表於 2014-7-13 22:36:22 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位先進們
& x! W% W* b8 t* ]$ g" C# l                                                                                
/ z: z, @  F' ?. T% `請問有誰拜讀過Robert J. Milliken 在 IEEE Transaction on circuit and system3 Q% T# b, ^5 n( T
                                                                                
- n3 x+ }- I7 Q9 z8 f- H在2007年"Full on-chip CMOS Low-Dropout Voltage Regulator",在文章的後面Table3
; @5 z4 Z5 d! e6 b" |) t! w& t                                                                                ' m. K# e7 D5 g3 W
提到pass transistor 設計的尺寸W/L=40000 且只要流過10uA就可以得到Gmp=3.2mA/V
4 o1 E, n4 ~: i. Y5 J                                                                                - v- N5 W9 G" `) R4 `1 f" i- b8 M
以及CGS=100pF CGD=26pF ‧我是使用hspice模擬單顆電晶體,發現至少需要Id=100uA
$ Q9 ]' q4 M7 t0 o4 h                                                                                3 m, H3 w0 q- t9 [6 @8 [
以上的電流才可以得到Gmp=mV/A等級的大小,還是我誤解他的意思,請各位先進指教一下2 t4 x: a* m  z8 A$ s
                                                                                
/ q. d5 E5 |9 C9 L' ~感謝
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2#
發表於 2014-7-30 15:02:50 | 只看該作者
跟bias條件有關
) J! v7 |7 q; O4 f4 [W/L=40000, Id=10uA, PMOS是bias在weak inversion
9 R3 M7 W, C4 T; c% h& B8 agm 本來就大# {( S+ @! U6 J! c$ {) k5 R+ q3 |
至於模擬的方式, PMOS source 接3V, drain 接2.8V! _9 m5 V, K1 x$ A& t
掃gate電壓看電流, 找Id=10uA下的gm ! d# O) i9 w, h- A; w9 S* D
前提是你的spice model 有cover weak inversion (通常不太準~)
3#
發表於 2014-9-19 08:39:48 | 只看該作者
這幾年的cap-less LDO走向運用adaptive biasing or dynamic biasing的研究方向) v& z. t. Q# k2 h
2007年那篇算是比較早期的作法了* y2 ?5 b% x3 h& ]/ S
且如同jackrabbit所言,PMOS's size那麼大又要能有那麼高的gm,確實是要在weak inversion,而且,那也要看Foundry所提供的device model是否夠精準,我前陣子在作cap-less LDO時,就曾發現用SPICE model和用Spectre model跑出來的結果差異甚大, i' A+ b% j* i' ]: o
後來仔細追究,發現是
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復
4#
發表於 2014-9-20 13:14:42 | 只看該作者
來看一看3 @, j1 a+ q6 H7 h- d8 }/ p9 |
capless ldo真的需要考慮更多的是  補償  voltage drop1 l% H0 l+ D* \8 ]! W$ s8 O5 f
傳統作法都是還會在layout有空間的地方塞一堆電容
1 G: e+ ^7 K) n4 H/ I) Q比較新的作法本身是還沒試過  畢竟  公司要的是做出來的時間而不是讓你慢慢研究阿QQ
5#
發表於 2014-9-21 11:43:24 | 只看該作者
現在的cap-less LDO走的是low quiescent current的error amplifier
7 T7 e& v- a1 h9 P" b9 ]) U以前,error amplifier的quiescent current可能是20uA~40uA不等,但現在卻是要求要在低於10uA以下,甚至在某些condition下要在0.1uA下
9 I! Q; T. w) l. H. z' X% v% \: I5 [1 m2 ~* a, A) x  a  F
以前會覺得不合理,但,現在競爭對手都做出來了,相對的就會被要求朝此規格去設計,畢竟公司出錢請你,如果你又拿不出相對等的成績出來,想當然爾結果也可預想  g% g" z2 _( M3 j4 ]9 M/ @
這是RD的宿命
) z( P9 f9 e+ b- d0 P8 ^+ c- G. J9 l+ i
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6#
發表於 2014-9-24 12:50:33 | 只看該作者
cap-less, low quiescent current 有時跟要能快速response output voltage 7 g* W2 O2 ~0 U
drop 同時滿足, 直接想還挺困難, 上來看看是否各位大大有獨到見解
) G5 p4 Q2 z) H# E/ |' ~  o& M8 @可以學習一下
8#
發表於 2015-8-29 21:29:55 | 只看該作者
又要馬兒好,又要馬兒不吃草,IC設計很多時候都要做『trade-off』。
9#
發表於 2015-9-19 13:11:07 | 只看該作者
最近有一些需求,需要用到capless ldo,來參予討論一下
10#
發表於 2016-6-25 22:51:24 | 只看該作者
感謝分享。我來研究研究一下
11#
發表於 2016-8-12 00:59:41 | 只看該作者
感謝大大們的討論
3 T, ]/ r- }- ?8 m小弟來研究一下
12#
發表於 2016-9-20 10:36:22 | 只看該作者
最近正研讀這類電路,還不清楚設計考量
; n( [5 g& w8 Z6 Z
13#
發表於 2016-12-6 16:19:12 | 只看該作者

8 H; C  s+ M9 `% l4 MThanks for your sharing  It's a good reference for me.
14#
發表於 2017-2-20 16:49:40 | 只看該作者
感謝分享。A good topic to discussed.
15#
發表於 2017-2-20 16:51:52 | 只看該作者
大大見解獨到, Thank you
8 e$ K$ T% K7 `: P4 n5 a7 ~, {: A4 B7 u1 x2 Y) j
16#
發表於 2018-12-6 17:18:28 | 只看該作者
最近讀這篇也有一堆問題 / ^2 A$ N: N4 M7 A+ }- D
極零點分析 和 電路的動作原理都有不清楚的地方
17#
發表於 2019-1-6 20:45:51 | 只看該作者
想看一下隱藏內容                     
18#
發表於 2020-8-6 11:19:22 | 只看該作者
  看下  是 發現如何 設計  capless  LDO
- U8 e; h/ W, t+ E. Y/ k4 H2 q/ y! F( t! S/ t) {7 R6 F

  P  L) U# b, d' c6 W3 ^4 E4 S4 X. S  N) P4 N8 Q6 m8 @
20#
發表於 2021-2-5 14:27:40 | 只看該作者
想看一下隱藏內容;感謝分享;感謝參與討論,謝謝
& H; B. [) k- k! C! J% {
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