電容的比較

yhchang

※ 引述《angle的大作》發表於 【2002-12-13 17:52:47】
8 N; x! l2 L: r4 d+ z) U, x
3 C8 i! A+ x: }1 Y1 ^6 F請問各位前輩:
             在IC LAYOUT 中,三明治電容和Metal1+Metal2所Lay成的電容,那個準確度比較高。為什麼?
* X, w0 ^4 m# ?             因為就我知道是三明治電容的準確度較好,但是我不知道它好在那裡?

yhchang

您指的是 metal-insulation(SiO2)-metal的電容嗎?
基本上這是最基本的雙層板電容,若layout的好的話,
電容值比較能掌握,目前的製程在metal的L,W及oxide的厚度上
' m8 ^$ {0 k6 V# l6 ?都不錯了,也就是關係到電容值的變數其誤差都不會很大,
: `9 V; d; G# O/ p- f) t7 r  O# q只要能注意到雜散電容的問題,我想是可以做的蠻準的.
但再怎麼準,有個30%以上的誤差在你的設計上仍是必須是要可以接受的);
0 I' R& P0 Z/ J8 u8 e" z  ]4 C不過MIM的電容值每個square實在是很小,說實在的,不見的很實用~
. P/ l: M: p& ]: y2 h8 @3 }- `
$ A* v. L/ L$ g' z3 `) D- ~[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-2-19 10:22 PM 編輯 ]

yhchang

Re : 電容的比較
那想請問一下 MIM 電容的準確度如何?

yhchang

呵呵呵~
三明治指的是poly+metal1+metal2還是metal1+metal2+metal3或是...
$ T2 L+ E3 F# O# f以"精準度"而言,當然是使用metal1+metal2會較好(若不能用double poly的話),
原因有很多:像是
( C2 h: {& j' G# w
% [, _" v1 F% K8 G(1)三層的邊際電容(雜散)比兩層多.
0 }( Z4 k( t7 M) t7 a1 w  w7 q  E/ p(2)三層的層與層之間的距離誤差多一個.
- T) z8 t" ?) E2 _(3)poly與metal的材料原質不同,衍生的電荷與電場也會不同.
(4)用了poly當底層,對substrate的電容...嘿嘿嘿.
$ W8 |9 W1 u2 a8 M3 i+ E' U(5)metal1+metal2可以拿poly來shielding.
% G# M6 c& `  ?7 U(6)三層,再加上poly,以相同的layout能力而言,造成的RC一定較高.

不過metal1+metal2的單位電容值很小,對了,上面的第(4)點,
也可以用well來shielding,只要是lay被動元件,都要特別注意shielding,
( r" {* M' A& P- A2 }well是很好用的shielding layer; 如果想要大一點的電容,
建議是用poly+diffusion layer(與一般穩壓的MOS電容不同喔),
1 H3 V# T. y# M, {1 M8 _( r" o基本上也不會不準到那裡去.
" F1 q3 X5 R9 v& a4 s: T