|
2#
樓主 |
發表於 2008-2-19 22:18:41
|
只看該作者
6 G7 ]0 t! o O2 Y7 ?3 }6 _& R
呵呵呵~. b) a; k9 t9 s( i( U8 z: x9 ?
三明治指的是poly+metal1+metal2還是metal1+metal2+metal3或是...
8 U" A! s" B/ v( e4 P/ V以"精準度"而言,當然是使用metal1+metal2會較好(若不能用double poly的話),
4 f/ y* Q4 x# X# ~原因有很多:像是
( q' L7 G3 w. [: V) @: d
; [% |& q& N4 m; N$ A( H(1)三層的邊際電容(雜散)比兩層多.
0 H- Y5 w8 e" G- ?6 i8 a7 K0 n(2)三層的層與層之間的距離誤差多一個.% m7 Z/ h* I# @' w/ j
(3)poly與metal的材料原質不同,衍生的電荷與電場也會不同.
& d5 q% a1 _" L" q+ V- @(4)用了poly當底層,對substrate的電容...嘿嘿嘿.
1 G+ x9 B, X6 I5 o+ Q, X(5)metal1+metal2可以拿poly來shielding.& K6 ]$ V; G/ o, Y& X7 u6 s+ l5 B& N
(6)三層,再加上poly,以相同的layout能力而言,造成的RC一定較高.8 \$ `+ u0 x }' |' U
. G A* O8 A' t# _: [/ p
不過metal1+metal2的單位電容值很小,對了,上面的第(4)點,0 H' G* o$ O4 s) l+ e" I8 |, a
也可以用well來shielding,只要是lay被動元件,都要特別注意shielding,5 a; n& |/ W( O# Z
well是很好用的shielding layer; 如果想要大一點的電容,
& L* s2 P& O& C1 L. M, q, z建議是用poly+diffusion layer(與一般穩壓的MOS電容不同喔),
L% m( y! l- @* b/ \基本上也不會不準到那裡去.
3 _3 r) x0 S1 A( I
- _% Z$ J/ Y9 K8 D. i: } |
|