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[問題求助] 電容的比較

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1#
發表於 2008-2-19 22:17:45 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
※ 引述《angle的大作》發表於 【2002-12-13 17:52:47】) Z, g  S1 A: {# v
6 u0 U# Z6 u5 y# l
請問各位前輩:
0 \3 T9 q/ v0 ~: i! `             在IC LAYOUT 中,三明治電容和Metal1+Metal2所Lay成的電容,那個準確度比較高。為什麼?& H% w4 r- e  e* z( Y9 [( G
             因為就我知道是三明治電容的準確度較好,但是我不知道它好在那裡?
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2#
 樓主| 發表於 2008-2-19 22:18:41 | 只看該作者
6 G7 ]0 t! o  O2 Y7 ?3 }6 _& R
呵呵呵~. b) a; k9 t9 s( i( U8 z: x9 ?
三明治指的是poly+metal1+metal2還是metal1+metal2+metal3或是...
8 U" A! s" B/ v( e4 P/ V以"精準度"而言,當然是使用metal1+metal2會較好(若不能用double poly的話),
4 f/ y* Q4 x# X# ~原因有很多:像是
( q' L7 G3 w. [: V) @: d
; [% |& q& N4 m; N$ A( H(1)三層的邊際電容(雜散)比兩層多.
0 H- Y5 w8 e" G- ?6 i8 a7 K0 n(2)三層的層與層之間的距離誤差多一個.% m7 Z/ h* I# @' w/ j
(3)poly與metal的材料原質不同,衍生的電荷與電場也會不同.
& d5 q% a1 _" L" q+ V- @(4)用了poly當底層,對substrate的電容...嘿嘿嘿.
1 G+ x9 B, X6 I5 o+ Q, X(5)metal1+metal2可以拿poly來shielding.& K6 ]$ V; G/ o, Y& X7 u6 s+ l5 B& N
(6)三層,再加上poly,以相同的layout能力而言,造成的RC一定較高.8 \$ `+ u0 x  }' |' U
. G  A* O8 A' t# _: [/ p
不過metal1+metal2的單位電容值很小,對了,上面的第(4)點,0 H' G* o$ O4 s) l+ e" I8 |, a
也可以用well來shielding,只要是lay被動元件,都要特別注意shielding,5 a; n& |/ W( O# Z
well是很好用的shielding layer; 如果想要大一點的電容,
& L* s2 P& O& C1 L. M, q, z建議是用poly+diffusion layer(與一般穩壓的MOS電容不同喔),
  L% m( y! l- @* b/ \基本上也不會不準到那裡去.
3 _3 r) x0 S1 A( I
- _% Z$ J/ Y9 K8 D. i: }
3#
 樓主| 發表於 2008-2-19 22:19:08 | 只看該作者
Re : 電容的比較
6 n* p; N' \; K- F) ^' w& N那想請問一下 MIM 電容的準確度如何?
4#
 樓主| 發表於 2008-2-19 22:20:12 | 只看該作者
您指的是 metal-insulation(SiO2)-metal的電容嗎?. L$ }+ n: L4 }7 Y
基本上這是最基本的雙層板電容,若layout的好的話,3 {; N# e+ H0 h2 F5 a9 m. g% U
電容值比較能掌握,目前的製程在metal的L,W及oxide的厚度上7 L/ s* ~& r; J$ `9 o% s1 @
都不錯了,也就是關係到電容值的變數其誤差都不會很大,
4 a7 j1 N% X2 B只要能注意到雜散電容的問題,我想是可以做的蠻準的.
  x0 y! k. R7 p. s: {: |) f但再怎麼準,有個30%以上的誤差在你的設計上仍是必須是要可以接受的);& P+ s: |7 ?0 V! U+ v6 _
不過MIM的電容值每個square實在是很小,說實在的,不見的很實用~
0 f' u. b) A' a( s" s4 n3 c! a/ G+ g
# F9 V2 f, }( f0 P0 U2 Q[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-2-19 10:22 PM 編輯 ]
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