關於amp的match問題

minzyyl

如圖所示之amp,M2,M3的M=4, gate輸入分別為IN,IP; 現在主要討論M2,M3的place match, 和同僚討論哪種place可能較好,最後得出的結論不一緻,誰能給點意見?

* @6 b3 i6 _, s  Y8 h5 i. u參數: M2,M3一样: W/L=6/2, M=4,以下3种方案佈局時周邊都加dummy.
我們的place方案是：
1: A B A B
   B A B A
這種佈局可以保持電流方向一致,對稱性也較好, 但不能共用S/D
6 w. g0 _' ?' A  h2: A B B A
   B A A B
5 X( r" x( L- R$ K% h對稱性不錯,而且能全部共用S/D,但current方向不一緻
. o5 U; B2 ]/ w$ f3: A A B B
5 r( z) g. V5 D6 h% y; J* k   B B A A
: x- K6 [) b7 ~- e% N  |對稱性應該沒上面兩种好,不過也能全部共用S/D, current方向不一緻
8 ^  {+ \# N3 L' m' I" ^
* a/ Y; M% v% W+ ~7 G% f: p( k大家一般採用哪种? 能說說理由嗎?

[ 本帖最後由 minzyyl 於 2009-7-11 04:00 PM 編輯 ]

minzyyl

沒人知道嗎?

8 x! }& Q5 s7 @9 ]沒人知道嗎?
+ e: T$ f% X- l# _  M$ y; z
沒人知道嗎?

hiyato

通常應該都是使用2的方案，雖然SD的部分沒辦法共用，但至少可做到中央對稱。

腳踏

三種都可以  LAYOUT上大多是面積上的考量比較多
5 r9 B% K3 {) h" ~( b5 n大多數都試看RD的喜好 問一下RD比較好

alai

个人比教喜欢第二种，它是共质心（common-centroid)结构分散性也比较好。
0 [1 ]# N1 a2 R5 r2 h第一种不能共用S/D，active不能合并，比较占面积。
- W5 a5 I# M4 \. s' h2 r9 ?第三种分散性不如第二种。

+ J& o& E, F% y[ 本帖最後由 alai 於 2009-7-13 11:20 AM 編輯 ]

man52013142002

第二種較匹配
  R8 t5 ?" y; I" ~
可是為什麼電流方向不一致@@?
* t2 g& `. R  f# k2 \3 J7 _
然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

minzyyl

原帖由 man52013142002 於 2009-7-13 11:45 AM 發表
) h5 ^  h1 Y2 P$ s$ b2 K第二種較匹配

可是為什麼電流方向不一致@@?

然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

* u0 f! e2 u9 G, d/ G9 i如果S/D共用了則unit單元電流方向不一緻了

wiwi111

類比電路一般都會有Trim Fuse,它就能把電路bias 回所要的特性中
, g; B  A7 X6 ?所以,不,要那麼在意maching(不然你電路會很難做),這些都可調整回來的......

in381

其實那三種方式都可以,但是若是碰到非對稱的DEVICE時, Source & Drain 的方向性就有影響囉

man52013142002

所以
& x4 z& ^  f2 ]. U
主要是要看電流方向有無對稱 是嗎

hoodlum

方法二
若不共用SD還是有機會讓電流方向一致吧???

minzyyl

看來各傢都有不同的看法阿

光考量對稱性, 肯定第2种優先, 但有時候對電流方向性比較care, 結果就不同了, 希望有經驗的Designer給點意見

HanGu

一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
" K6 [) A$ X- q( I, j, c都是一樣的。

karenchen

如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

minzyyl

原帖由 HanGu 於 2009-7-16 09:55 PM 發表
& q, x* o: j* c一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
! _: G8 s& e! s8 i1 ~5 y電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
& H+ S: D5 ]7 f: K1 K0 ~都 ...

1 Z. P; d# P% L7 j/ t+ D) Q0 n

第一种方案對稱中心應該有2個了,而且這種不屬於common-central, A/B分佈的確最均衡,但這種不能S/D共用，就是説沒那麽緊湊.
) f! s2 }, A, T7 ]) R  o
  k9 o9 Y$ {& d; A) R0 [' }3 r我覺得這個問題也沒有統一的標準,一般來説只有那種特別有經驗的designer才能知道自己應該用哪种方式,大多數的時候還是由layouter決定哪种擺放方式.畢竟有時候考慮的更多是電流,或者對寄生電容更敏感等.

minzyyl

原帖由 karenchen 於 2009-7-17 04:07 PM 發表
如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

+ s: W9 U4 {% {9 I5 \) E2 Y. m
                  
                 
請問STI效應具體指？

                                                               
# G, J! B9 e# e5 q) Z+ p" P: n0 G                                             ?

瓦片小屋

我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

erwbeflkw

方案一：
  AB     AB
/ r! e( C; X6 P+ P: J        x
  BA     BA　　兩個兩個相互共用應該也算common-central
; V* M! i# Y; w4 X
# }$ A3 D" |' P: d* }如果不共用
　A      B          A      B
        x        X         x
4 U: F' E7 @2 A- Y& m, q! }　B      A          B      A   
　　x1　　　　　x2
5 C# t% H, k" J7 n0 R& A9 `x1 屬於 common-central
/ }: y7 m3 `0 Z5 ?5 S1 V: o% \* Ox2 屬於 common-central
! X/ e8 H! F% E8 v- J' Jx1和x2 的central 又落在大X上所以應該也算common-central
7 ^6 P2 J; z% r# z/ N兩個A接近大X的central又跟兩個A遠離大X的central重疊
- k3 N: b! y! q( j; k3 Y( M

方案二已經是public 的 know-how了，如果有面積考量的話，當然就用這個
方案三會比會比方案一還弱吧，如果有再多一組的話，雖然也是common-central

semico_ljj

用第二种！

minzyyl

原帖由 瓦片小屋 於 2009-7-18 05:20 PM 發表
! H1 h& D5 G/ F3 P我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

    何解? RD不一定正確吧?