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[問題求助] 能用下面方法得到mosfet的一些手工计算参数吗

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1#
發表於 2009-6-6 13:29:00 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
我想通过这么一个方式来得到mosfet的手工计算参数,不知道能否行得通!
; s. Z) b. ^* _2 A* ]7 B" M首先我对一个单管进行仿真,以pmos为例,我给栅源加一个固定的足以保证管子处于饱和的电压,并在漏极加一个电流源,计算该管子在这个电流下的直流工作状况!从输出文件.lis中的beta、gm等计算kp、lamda这些参数,请问这样可行不可行?
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2#
發表於 2009-6-7 00:48:58 | 只看該作者
重要是看建模的複雜程度,像Level49這樣的Model,按照你這樣計算偏差應該較大。
$ D$ y$ F- P* C$ }+ r9 ~^_^
3#
發表於 2009-6-7 12:34:12 | 只看該作者
這個問題我也想請問一下,像ro就是gds,好像在1um以後就沒有這個參數的值了,那如此我要怎麼用手算設計電路呢??7 ~7 F- o7 H1 q. Z- H) }' Y
像有一些參數例如Vth,它的計算雖然很複雜會飄,但還是在某一個固定值為中心去加減值,但gds我好像找不到了,想請問要怎麼找這個值??* `7 s3 o& ?) f7 F8 @
謝謝!!
4#
發表於 2009-7-18 02:18:45 | 只看該作者
你這樣模擬是有問題的0 H8 k1 I# S+ ?6 I" X* h

' j; v, p3 R, B5 e8 ?5 _1 D: B6 }給定ID又給定VG這樣是不合理的
4 h* l0 m: O3 Z/ H1 J5 p+ f  g8 U& L
  W4 E$ A# N  y: `% o/ C應該是drain給一個足夠大的電壓確保電晶體在飽和區工作即可...
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