關於amp的match問題

minzyyl

如圖所示之amp,M2,M3的M=4, gate輸入分別為IN,IP; 現在主要討論M2,M3的place match, 和同僚討論哪種place可能較好,最後得出的結論不一緻,誰能給點意見?

' n; m8 |- C* R參數: M2,M3一样: W/L=6/2, M=4,以下3种方案佈局時周邊都加dummy.
我們的place方案是：
1: A B A B
   B A B A
這種佈局可以保持電流方向一致,對稱性也較好, 但不能共用S/D
- g4 ], I) P; m4 `0 p6 f' R# N6 i2: A B B A
   B A A B
# ?' j9 I. \# Y6 T0 T" A8 K對稱性不錯,而且能全部共用S/D,但current方向不一緻
3: A A B B
$ o6 R% S$ x1 U' C   B B A A
對稱性應該沒上面兩种好,不過也能全部共用S/D, current方向不一緻
9 B( V8 e8 ]8 k" B7 M8 V
大家一般採用哪种? 能說說理由嗎?

[ 本帖最後由 minzyyl 於 2009-7-11 04:00 PM 編輯 ]

minzyyl

沒人知道嗎?

% [, v$ Z' `. \% Q沒人知道嗎?
5 M6 G9 m& y$ ]/ B; X
7 Z  l: s+ Z) g* q0 J( C$ z  b沒人知道嗎?

hiyato

通常應該都是使用2的方案，雖然SD的部分沒辦法共用，但至少可做到中央對稱。

腳踏

三種都可以  LAYOUT上大多是面積上的考量比較多
大多數都試看RD的喜好 問一下RD比較好

alai

个人比教喜欢第二种，它是共质心（common-centroid)结构分散性也比较好。
第一种不能共用S/D，active不能合并，比较占面积。
' C& j! `+ J6 }8 A第三种分散性不如第二种。
. A8 T+ c" x# y6 L
[ 本帖最後由 alai 於 2009-7-13 11:20 AM 編輯 ]

man52013142002

第二種較匹配
4 y2 Y* c7 P+ p0 i
可是為什麼電流方向不一致@@?

4 S) g! Q+ l3 Z' w' Z; r然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

minzyyl

原帖由 man52013142002 於 2009-7-13 11:45 AM 發表
+ f/ E- E! n( i/ P第二種較匹配

可是為什麼電流方向不一致@@?

2 P9 t& X2 o" Y9 x9 y/ `. V. H1 ~# r然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

如果S/D共用了則unit單元電流方向不一緻了

wiwi111

類比電路一般都會有Trim Fuse,它就能把電路bias 回所要的特性中
) G6 s6 E* [" j3 w* m) R- w所以,不,要那麼在意maching(不然你電路會很難做),這些都可調整回來的......

in381

其實那三種方式都可以,但是若是碰到非對稱的DEVICE時, Source & Drain 的方向性就有影響囉

man52013142002

所以
* ?/ _2 l4 E& x% O+ y
主要是要看電流方向有無對稱 是嗎

hoodlum

方法二
若不共用SD還是有機會讓電流方向一致吧???

minzyyl

看來各傢都有不同的看法阿

光考量對稱性, 肯定第2种優先, 但有時候對電流方向性比較care, 結果就不同了, 希望有經驗的Designer給點意見

HanGu

一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
都是一樣的。

karenchen

如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

minzyyl

原帖由 HanGu 於 2009-7-16 09:55 PM 發表
$ U/ \. @* i% [; i4 B% j4 r一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
& B8 p2 [( Z% R* Y. T都 ...

( B8 t* Q% _* D+ S% A
. K$ H1 W% c& m) ~9 ^8 d第一种方案對稱中心應該有2個了,而且這種不屬於common-central, A/B分佈的確最均衡,但這種不能S/D共用，就是説沒那麽緊湊.
+ z6 E" A; @3 \3 i! A3 D; ^" j
6 v6 i7 {' @. l) ^/ O- E3 k我覺得這個問題也沒有統一的標準,一般來説只有那種特別有經驗的designer才能知道自己應該用哪种方式,大多數的時候還是由layouter決定哪种擺放方式.畢竟有時候考慮的更多是電流,或者對寄生電容更敏感等.

minzyyl

原帖由 karenchen 於 2009-7-17 04:07 PM 發表
如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

# M6 j  F, e$ y' l) _
7 N0 w) ~* X  U" M+ P
6 Z0 {2 U# o7 \# d3 Z
                  
                 
! o, A; a, `1 I' l0 ?請問STI效應具體指？

                                                               
                                             ?

瓦片小屋

我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

erwbeflkw

方案一：
) W0 c, M. F" z0 u6 k+ A  AB     AB
        x
( }) O+ `  o; v8 c8 I- M3 u  BA     BA　　兩個兩個相互共用應該也算common-central

1 L# _1 X, K( Z# c如果不共用
　A      B          A      B
6 v/ u+ q% j; t: t        x        X         x
　B      A          B      A   
- ?. W! h5 u5 `( x) W　　x1　　　　　x2
3 r" W) R8 b! g# X; J8 b: r, p5 b6 ~5 \x1 屬於 common-central
x2 屬於 common-central
2 l# U3 H1 M2 M& g. K5 @x1和x2 的central 又落在大X上所以應該也算common-central
2 a5 F9 p. p- P. |. P兩個A接近大X的central又跟兩個A遠離大X的central重疊

2 p0 }6 f5 W$ Q" _3 X2 E
- u* t1 {' S# j方案二已經是public 的 know-how了，如果有面積考量的話，當然就用這個
方案三會比會比方案一還弱吧，如果有再多一組的話，雖然也是common-central

semico_ljj

用第二种！

minzyyl

原帖由 瓦片小屋 於 2009-7-18 05:20 PM 發表
我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

+ v  ~# i9 u3 S# q$ s; t
    何解? RD不一定正確吧?