最近所做的系統裡有一部分需要用到/ t! Y0 k9 Q* i' W+ t' x* T
; `. M$ U1 {4 h5 Y" a& i( p6 j' z4 nPOWER DECETOR的電路+ @1 s7 u, E! s# h
6 _$ I* v% R+ X5 t z但由於之前都是作baseband的電路居多
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對這個電路比較不了解 因此主要是仿照PAPER上來模擬7 S) I8 k) T# @% I) n5 G
$ s/ ~0 ]% }% l; _, y! S
* [3 Z8 \8 A& a! ^: S 9 X$ L2 C* G0 Z
這是PAPER上的POWER DECETOR電路 b3 `5 s2 P9 j) I, z7 ~* S* A
- P; S- B, g! P6 h' a' D
但是我在模擬時候碰到了一個問題
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5 f+ s- H+ e: C: b" y; B# G究竟這個最前端的電容和電感的目的是什麼?
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9 y7 P0 s0 U/ w+ v, k$ s$ w. A是用作阻抗匹配的嗎?
1 W" u& [$ ] k( C* t3 Y
- L5 W9 ?" M) y0 p. n: t% O另外 這個電路中的POWER DECETEOR UNIT的部分
& R$ b" u0 r; }+ D4 v' M. p 4 Q$ U0 K! j) j; {
裡面的MOS是應該用RF的MOS還是一般的MOS呢?
3 R( G3 b1 b/ n
6 e- C7 R& \( s* M1 [; T+ V' |PS PAPER名稱為A Low-Power Ultra-Wideband CMOS Ture RMS Power Detector5 j y% w) g) Y) g K0 U* {
, i( u7 c2 N, g0 ?1 @& e
謝謝各位了 |