最近所做的系統裡有一部分需要用到
& G& r3 a1 z8 u5 v' A' g) U1 j4 P
9 o+ o; L9 s; H8 x) R+ vPOWER DECETOR的電路
; ?1 j: r; T0 Y9 X; U8 _5 R0 t $ \1 m: l7 z) c2 {4 R
但由於之前都是作baseband的電路居多
" i. O" T; |6 z6 h9 N7 N
% u( y: C1 \5 u9 |對這個電路比較不了解 因此主要是仿照PAPER上來模擬( V+ g" u( l6 p$ Z* q* r
- ~$ X0 S% I1 a! f
# Z! ~1 Q0 v6 a: @4 U
+ ?2 j, z3 h1 H% j- v3 S& I這是PAPER上的POWER DECETOR電路2 o" V6 `2 ]; M" K! z/ D* k
" O2 q6 `( j% @3 o* y
但是我在模擬時候碰到了一個問題
X6 B8 |2 u3 j% a! I
% a q2 q: G2 D3 d* e( i2 S. A究竟這個最前端的電容和電感的目的是什麼?' t' P9 q: M. Y2 W9 N
8 u9 Z' @& d' S" k; m) |- ]是用作阻抗匹配的嗎?+ d# K X, ^/ ^. ?, t7 h @. _
* F/ S6 ]$ Z& F9 b% L另外 這個電路中的POWER DECETEOR UNIT的部分5 R, Q$ _( Y: s) m1 l( y
h4 m% H1 m6 z- D' L' Y2 n
裡面的MOS是應該用RF的MOS還是一般的MOS呢?' C/ |8 J1 e4 C) M! a0 g0 o' D5 A& Q6 V
3 G3 n) j( J( H8 wPS PAPER名稱為A Low-Power Ultra-Wideband CMOS Ture RMS Power Detector- Q+ ]5 M+ C; @; L Y
r8 v2 d( `" O; l. E% ~
謝謝各位了 |