C方式在萃取RC時,共用S D的部份
5 y' F* _# F& J( }它會除二,平均分給兩顆各一半一半2 E5 M- }. F3 W( |. K6 L
且在計算寄生電容時,由周長引起的部份也會比較小: P' w7 f7 L8 h: f
,所以每個MOS抽出來的寄生電容效應會比較小,這在
3 E% A$ A8 W3 P做速度較快的電路時,差異更明顯,6 P6 ]* [/ o- d8 g- E1 R5 K
E方式在match的角度來看,是比較好的,但是他的寄生; s" I0 m8 Y6 K* H
電容的萃取,都是單獨計算,會比較大
- L, }" d3 y7 ~1 v @6 A所以若是速度較快的電路,會因為layout方式的不同
$ e* d' T. ~7 ~/ i! h8 P$ n# \. \4 v而變慢,
8 ^% i! z/ l+ b7 W, R2 H所以若designer注重的是速度可能C會比較好,若注重
; b' v* l. V& G5 ]( y* Ymatch要好,可能會是E較好,主題是電流鏡,速度應該
. v. Z( U/ m4 @4 u2 Z, f [比較可以不那麼care,所以我會選E方式,不過最主要還是
, o8 s" q0 ^ H) s/ J問看看你的designer他注重的是什麼,會比較正確 |