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[問題求助] 討論基本電流鏡的佈局方式

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1#
發表於 2009-6-7 17:35:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位好,最近在作layout,尤其是在lay偏壓電路時會有許多電流鏡。
6 A! T0 b( G- N* ^6 l那基本電流鏡的電路是如下圖這樣:
5 R/ h5 b5 v* B# Q+ W' j
# z8 n, y  Y; i; b) l6 r假設M1:M2=2:45 \7 R- J3 {0 V/ x4 M2 |
而佈局圖在普遍的教科書裡都是像(A)這樣教的:
! u- m9 K& ]0 `$ ]4 J! ?0 w/ U( R$ ]) H" D+ R8 K- G
! c# u' w  P- A: n3 N
但是我個人不會這樣子lay( s- Y# n% n. H- Y. F2 L
因為M1跟M2有相同的VSS,而POLY是弄成指狀的,如(B):8 e8 i6 g3 C( e6 U9 j; l: P  Q

. ^# m$ x9 I. }8 F1 ?/ R不過聽同學說要lay對稱所以又覺得像(C)這樣lay,N1的電壓到左右M2兩邊的GATE
, d3 k* z( X/ b! e可以以中心對稱。
3 U8 o' ^4 F% P$ \) t& U  O1 R. M- s6 j  k( H' I
但是同學又說了這樣子M1的POLY全集中在中間,沒有均勻散佈也不行,那我改這(D); N- v( t" R/ t+ l
這樣的,但是M1的接線就有問題了。# E1 ?4 t/ R2 M- n8 S% w

$ N6 `# z% }/ b" \# P- D1 T同學又再說不要共用端點全部打散。因為有共用到VSS、N1、N2的關係使得相鄰的9 w' V/ s( e7 W; M# E5 Y) e
MOS電流方向相反也不好。他是建議LAY成(E)這樣:
1 Y- v- _7 p6 T3 L& g* s2 e/ b5 w! ~" a
他說重點是在POLY的對稱性,說什麼gm值的比例會跑掉,這個我完全不懂。 ( M0 t+ o( {* o2 A7 b! \3 R3 i3 r6 W
不是只要M1 M2有在飽合區就好了嗎?請高手解釋一下。( u( q5 r- t1 B. f. I
針對以上的方式不知道有誰有別的意見可以提供一下。; _# k: F# O- z! u$ [$ j
( ?  `6 p% j8 S3 T) M$ n4 e. y
1 N/ u! k+ f# T+ @% |4 G
以上說的電流鏡在1:2的比例都很好佈局。
# L! X# a  y6 L& g, ^+ J$ d他說對稱之外還要要求均勻分佈,但是我的電流鏡中有  M1:M2:M3 = 2:2:12) v# t4 j' o' [/ c' y! O
(相同W與L)。這個要怎麼分佈法呢?8 ^* S3 d6 F/ J/ P; X
我的原案是. O* o1 R; j* q+ v% b' B8 P  k
M2 M3*6 M1*2 M3*6 M2,用(C)的方式LAY9 W, s: S& Z6 n8 F/ E0 [8 m+ m
因為M1 M2的FINGER數量太少,真要用(E)的方式的話。! r4 m- s. b5 i0 O5 g8 }& H
我考慮是
4 W: t1 J0 G" z8 d( A# C" \M3*4 M2 M1 M3*4 M1 M2 M3*4
  ~) `5 B: Y  F有人有比較好的建議嗎?
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2#
發表於 2009-6-7 18:16:58 | 只看該作者
樓主,你的圖都呈現X的狀態哩~~~9 A" A  P3 U/ [' p  L" q
要修正一下喔
3#
 樓主| 發表於 2009-6-7 21:35:28 | 只看該作者
我再重貼一遍
! Z5 F# P* T. c* t8 `$ g) r: k*********************************************************************************
; R3 h; I+ D6 A0 e. _各位好,最近在作layout,尤其是在lay偏壓電路時會有許多電流鏡。
: T: c- {! N: x) R  U8 P$ ]. |7 v那基本電流鏡的電路是如下圖這樣:7 k7 m8 i; c  g2 {7 b
4 T7 T2 g9 S1 h1 i' i8 D( O: K. n
假設M1:M2=2:4
1 x& ^6 p9 M2 ^+ M4 D* R而佈局圖在普遍的教科書裡都是像(A)這樣教的:
- i% ^3 g, p; S% N! {0 e$ |! P" c. R; e( T" V9 ~2 R4 k
  H8 o( P8 L; ^0 @3 s5 h+ y% O; J- t: @6 Y
但是我個人不會這樣子lay- i- b# Q7 ]( a8 y8 r# a, L
因為M1跟M2有相同的VSS,而POLY是弄成指狀的,如(B):( G2 I  |! i# r! S" I/ A
; O& o0 r8 Q$ ^
不過聽同學說要lay對稱所以又覺得像(C)這樣lay,N1的電壓到左右M2兩邊的GATE
' A  w2 O, `1 T可以以中心對稱。
+ P  n/ K# P3 d
! P# I4 N4 L8 D2 u但是同學又說了這樣子M1的POLY全集中在中間,沒有均勻散佈也不行,那我改這(D)
% }: w/ N' ~: g' y0 Z! ]/ L這樣的,但是M1的接線就有問題了。0 s" n: w8 s* B# q: h
! N. h) E3 i8 v! @" T
同學又再說不要共用端點全部打散。因為有共用到VSS、N1、N2的關係使得相鄰的) L/ X+ |8 w; `9 b) J
MOS電流方向相反也不好。他是建議LAY成(E)這樣:
. Q  l+ O# d( o0 |
. r; h8 ]2 w# j7 x5 R他說重點是在POLY的對稱性,說什麼gm值的比例會跑掉,這個我完全不懂。
1 s3 @! @- }1 v" E8 ^0 U8 ^不是只要M1 M2有在飽合區就好了嗎?請高手解釋一下。, U0 E: _( W5 t
針對以上的方式不知道有誰有別的意見可以提供一下。
" |2 A, I4 _: P. }* ]& T" s. f
+ q) K1 E8 K% M2 K$ d
7 o" l# T$ I* a" J$ u% L以上說的電流鏡在1:2的比例都很好佈局。
3 U* [+ W, S$ T' Z* F3 p. a他說對稱之外還要要求均勻分佈,但是我的電流鏡中有  M1:M2:M3 = 2:2:12
+ ~/ B. i) g3 {2 t: ?* w" R(相同W與L)。這個要怎麼分佈法呢?! s( z0 z# V5 y) g" ^4 u5 H# T
我的原案是% W2 E1 |6 v: `1 O( B
M2 M3*6 M1*2 M3*6 M2,用(C)的方式LAY( r7 ~* M5 l& n
因為M1 M2的FINGER數量太少,真要用(E)的方式的話。& }2 k% F: F) Y! S2 {# g
我考慮是
! q$ x' W& ?! Q+ Q! r: mM3*4 M2 M1 M3*4 M1 M2 M3*4
- ?. g9 n% K: X  N( Z有人有比較好的建議嗎?

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4#
發表於 2009-6-8 00:07:26 | 只看該作者
個人見解是C,記得在最外面加上dummy,減少mismatch。
8 T' {% E: e8 T) i( i或者你可以每種都試試看,然後都做post-sim來看模擬結果,
/ O  ^9 e' s& v哪個誤差量最少,就使用哪一種。8 ~( I; q2 b4 y' \$ D9 N5 }
* [0 I5 c) q5 I$ G3 [+ y* {
[ 本帖最後由 hiyato 於 2009-6-8 12:08 AM 編輯 ]
5#
發表於 2009-6-8 01:07:13 | 只看該作者
問designer最知道(他的電路只有他最清楚,不要自己猜),因為有的不需要很match,只要擺一起就可A,B都可
! b2 ?/ [  Q) L5 g一般我會用C,不考慮面積E也行
: \! W0 x9 m9 g製成越小我會改用E(反正不會差太多),C跟E其實spice model是不一樣,一個是n,一個是M,還有LOD效應(這我也不太清楚,看有沒有人懂製程的); w7 N  Z1 S6 P; t+ M  [- a
match是越集中越好,然後分佈均勻,一排就沒有2排match,反正就是不要拉太長(越正方越好)
6#
 樓主| 發表於 2009-6-10 02:49:38 | 只看該作者
C跟E的電流方向不一樣導致的影響,學姊說POSIM模擬不出來。
+ O- d8 Y  {& l! P% M8 c但它們萃出來的寄生RC的確是會不一樣的。
7#
發表於 2009-7-14 10:47:17 | 只看該作者
我覺得E 比較好
2 I! n" k  g2 I% t# s; b: d: w8 G, S+ p) {- K5 K+ U( E% F
可是為什麼大家都選C
8#
發表於 2009-7-15 10:55:47 | 只看該作者
通常做類比的LAYOUT 不太會需要考慮到面積 只要不太誇張的浪費就好
( k5 N1 k5 o$ z# q6 c% Z
. _4 h5 ?/ i. {"他說對稱之外還要要求均勻分佈" 這句話是重點
9 f* G3 r1 u6 P9 w9 B; q2 p9 Q  P$ u
7 F5 r: f- g7 _3 s' {$ gE的match效果 從製程方面去看 算是比較好
5 `0 A. N7 Q/ y* y( M' g) V3 l. a
不過 要用到2層M
* O" [( ^; `2 Z, X" I9 f
7 U' ?, M' e" @$ [: v9 a  Q$ J6 \是不建議 用POLY去做連線
+ W  \2 `% t* Q* Y" [: b% ~
& m7 w6 C; Z7 O就算連接起來 最好 多打CONT
9#
發表於 2009-7-16 16:01:27 | 只看該作者
图看不见啊。不知道都是什么样子……                                 
: d$ U; e/ _* H% F+ W9 ?  w( m
10#
發表於 2009-7-16 19:39:29 | 只看該作者
C方式在萃取RC時,共用S D的部份
5 y' F* _# F& J( }它會除二,平均分給兩顆各一半一半2 E5 M- }. F3 W( |. K6 L
且在計算寄生電容時,由周長引起的部份也會比較小: P' w7 f7 L8 h: f
,所以每個MOS抽出來的寄生電容效應會比較小,這在
3 E% A$ A8 W3 P做速度較快的電路時,差異更明顯,6 P6 ]* [/ o- d8 g- E1 R5 K
E方式在match的角度來看,是比較好的,但是他的寄生; s" I0 m8 Y6 K* H
電容的萃取,都是單獨計算,會比較大
- L, }" d3 y7 ~1 v  @6 A所以若是速度較快的電路,會因為layout方式的不同
$ e* d' T. ~7 ~/ i! h8 P$ n# \. \4 v而變慢,
8 ^% i! z/ l+ b7 W, R2 H所以若designer注重的是速度可能C會比較好,若注重
; b' v* l. V& G5 ]( y* Ymatch要好,可能會是E較好,主題是電流鏡,速度應該
. v. Z( U/ m4 @4 u2 Z, f  [比較可以不那麼care,所以我會選E方式,不過最主要還是
, o8 s" q0 ^  H) s/ J問看看你的designer他注重的是什麼,會比較正確

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11#
發表於 2009-7-22 15:04:25 | 只看該作者
E是比較好的!!
2 ^: \" o9 N- X; O1 r. ~: z8 B在製程有x軸的徧差時就可以明顯看出來了!!
12#
發表於 2009-7-22 17:19:01 | 只看該作者
我也看不到圖啊,爲什麽…………
& J% O( f& Q( G3 A& Y
13#
發表於 2010-1-20 15:17:48 | 只看該作者
知道了,,想想。。
6 P  z' I* \& v& p# `" g& \! X' T, t0 g- |
; i9 n, n& ]* B/ d& Q
5 |6 a% D# q& C* N  v" A  r" i" G: r- Y9 Z* k& F2 _: I
QQ?房器3 j" n0 m3 v7 O

6 k& h& \2 v6 l6 }李??狂英?365句复?机外星版
14#
發表於 2010-3-1 16:46:41 | 只看該作者
看大家討論的非常精彩  可是都看不到圖 @@
+ u( T- a: B3 M+ W可以麻煩樓主再把圖重新貼上嗎
, l/ P' O" J0 _. p) p* j( o: d  P還是是我自己or 系統的問題4 i( V; z! Z) ?8 h' c% b& q
謝謝
15#
發表於 2010-3-3 17:23:02 | 只看該作者
感謝分享了自己的體會見解
9 `, l" X( z$ t& T3 R5 h0 N; G只是沒有圖配合著看  看不怎麼懂
16#
發表於 2010-3-29 12:56:59 | 只看該作者
图好像全挂了 ...........
17#
發表於 2010-4-21 17:09:02 | 只看該作者
沒圖沒真相啦!!版大要不要修正一下阿
18#
發表於 2010-6-30 16:56:05 | 只看該作者
講的好亂我就不想看了~~嘿嘿嘿!!!
19#
發表於 2022-11-18 20:13:10 | 只看該作者
gyamwoo 發表於 2009-6-7 09:35 PM9 x. b8 w7 h! D  D0 R( k: }& ]
我再重貼一遍
9 A7 Z! T% s( t. a********************************************************************************** ^8 C0 I9 R9 D' g% H
各 ...

8 K8 Z$ R+ k$ o* U- p謝謝大大的圖文解說,受益良多
: h$ G8 X  v( J! I
20#
發表於 2022-11-30 12:32:49 | 只看該作者
請問為什麼E的match比C來得好啊?
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