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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 有人可以分享POWERMOS的畫法嗎
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[問題求助] 有人可以分享POWERMOS的畫法嗎

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samgu
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1#
發表於 2010-5-17 10:19:20 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
我的layout工作，主要就是在畫POWERMOS
+ [5 T! O! `3 ^; Y工作這幾年間嘗試很多做法，但是一直無法找到" y; Y7 n; O/ ~' G+ e' t  E
一個最佳的layout,也可能因為我迷失了，希望可以透過大家的經驗，
# o, R, ?2 C. d$ W: I  a激盪出一些新的想法，請大家賜教，謝謝& O! I4 B9 n4 i

: _/ v1 F5 |) ~3 `. G簡單說一下我的心得，
3 d& k2 H: I  ]3 B0 O1.若用MIN的RULE來畫MOS，相同的面積可以得到最大的width，最佳的Ron，最大的電流
$ }: i9 g- t) Z* A; x: v& r# X8 m   但是必須承受ESD是否會對MOS造成破壞，因為DCG為 MIN RULE
; E' h: _9 ~: V! @6 `9 J! w2.若為了兼顧ESD則會浪費面積，犧牲Ron
3 A# u4 L; _7 c; F/ E3.若要兩者兼顧，面臨的問題則是 1.ESD rule 要放多大，2.butting contact and source contact 不足
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pph_cq
2#
發表於 2010-5-17 10:33:12 | 只看該作者
我们一般在最小rule基础上适当放大，比如最小contact to poly是0.4，我们可能会取1，如果觉得太浪费面积，可以用bent gate或waffle结构节省面积。
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shangyi
3#
發表於 2010-5-18 01:20:31 | 只看該作者
看過finger, waffle, 井型, 六角形的畫法
' F8 p- Y* V* n& g" T) h7 o8 f8 A
* Q& |* T; [' f+ s那種比較好... 我也不清楚哩!
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腳踏
4#
發表於 2010-5-18 10:29:04 | 只看該作者
看過finger, waffle, 井型, 六角形的畫法8 O$ S# a- q9 q4 P% p  ]
* X( [8 {+ x( w
那種比較好... 我也不清楚哩!
+ z! I- x0 M, \; @7 _! w. I) Oshangyi 發表於 2010-5-18 01:20 AM
8 D  e, ~& ^8 H( n9 z' F2 F$ [& x
. N+ i# i/ J, l  o& S) |. O
& g" v/ q: G2 ^$ y+ G% j% a8 w. F" U
    我也想知道那一個比較好
2 m5 q$ v9 x5 K. \, }   有人知道嗎
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shmiyi
5#
發表於 2010-5-18 13:52:57 | 只看該作者
要從製程上研究MOS的變化~~
/ p( q5 ~. m7 ~! T相同製程不家的MOS的參數變化不一~
8 @' Q2 T. X  F即代表I-V CURRENT
* {. e+ j) _/ s/ ~, ~$ J: n所以我覺得好像不是看畫法5 d5 ]  {$ J; ^0 T. z' k! [
要從看MOS的特性去研究~~
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6#
發表於 2010-5-19 14:15:49 | 只看該作者
感謝你們的分享~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
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yuany
7#
發表於 2010-6-9 01:23:25 | 只看該作者
学习一下～～～~~~~) P7 `, w) m# S- C1 Y, X/ H$ l) c8 H

1 r( ]" R9 A' f. C1 c呵呵
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8#
發表於 2010-8-7 09:10:44 | 只看該作者
Nmos放两列cont比较好，Pmos单列就ok啊，如果W比较小还可以另外做ESD
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9#
發表於 2010-8-9 10:20:23 | 只看該作者
回復 8# junxingyu * c! W- V. T1 \" l* S
% c0 d1 t7 f( F$ t4 s7 r/ r, I2 L
這個說法倒是不了解！請問是經驗嗎？
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10#
發表於 2010-8-9 10:21:34 | 只看該作者
其實最有效（area最小）的是waffle, 井型, 六角形等，但是要process支持，還要留片驗證！
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11#
發表於 2012-3-1 20:27:54 | 只看該作者
感謝分享感謝分享感謝分享感謝分享
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photoss
12#
發表於 2012-4-9 20:27:53 | 只看該作者
最近正在研究powermos的畫法,挺受用的,感謝大大分享
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13#
發表於 2012-4-9 20:54:36 | 只看該作者
finger,井型, 六角形的畫法,再搭配ESD rule以1:4畫法,
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14#
發表於 2012-4-10 10:35:52 | 只看該作者
各位的这些方法请问有图片作参考吗？？没花过POWERMOS的表示很无奈啊= =
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photoss
15#
發表於 2012-4-10 17:17:21 | 只看該作者
现在急寻power mos画法现在急寻power mos画法
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930709
16#
發表於 2012-5-12 21:40:35 | 只看該作者
看是面積還是效能阿!!
! j8 q3 O2 [7 e可以給我一些不同的意見嗎?
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17#
發表於 2012-8-28 22:57:30 | 只看該作者
正學習POWERMOS的畫法，感謝分享！
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alex13
18#
發表於 2013-2-13 10:44:30 | 只看該作者
回復 10# semico_ljj
* |" f* A$ Z- y6 T" V9 K6 g5 b: K$ w6 O1 w, i3 S$ r* `$ u
- c* R( s- g& {6 M0 [, b+ ?% g3 K
    小弟問一個蠢問題，Area最小是指Ron相同的前提下嗎?# G& J/ A, u) z6 _
感謝先進不吝指點，多謝!
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19#
發表於 2013-3-5 15:17:46 | 只看該作者
看不懂。我想只是PowerMos應該考慮的是散熱及最大電流吧。最大電流與線寬直接相關，散熱與面積直接相關，應該都有規格表可以参考吧。
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20#
發表於 2013-3-21 22:52:54 | 只看該作者
一般在最小rule基础上适当放大，比如最小contact to poly
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