請教如何解決DRC的AMS.1.M1、M2、M3、M4、的錯誤

answerbyme

小弟LAYOUT完電路後，有碰到密度問題，後來也補上各個METAL密度後，DRC後密度已經解決了...
" ^6 p! M6 s  Q4 c( n: [但是又出現AMS.1.M1、M2、M3、M4、這些錯誤，我用的I/O PAD不是TSMC 提供的I/O PAD...
' K% t% b1 p  A想請問各位大大如何DRC這個錯誤!!

motofatfat

把AMS.1.M1、M2、M3、M4、error 描速清楚一些
才能知道 如何解 , 不是TSMC 提供的 這無妨
* |! S# v) l( u" x3 EPAD CELL　粉多時候是經驗直

m851055

請把rules的描述詳細說明，可能的話也把圖示PO上來。

answerbyme

回復 3# m851055
1 M: E  y5 u6 P+ h; }9 }) T不好意思...我DRC錯誤的圖如下...
6 p1 [3 f' w) I2 E+ f* T( |希望有人可以給我意見指導!! 謝謝!!
3 g+ U& p+ J5 K+ x+ u. Q
: K& a/ w* G* V; _   

m851055

就把大於35um的Metal做個slots就好了，要不就是用多條小於35um的metal畫。

answerbyme

回復 5# m851055
0 b$ h2 m: w3 U- P: k3 Q
/ z7 Q4 M: i4 @  |9 D3 y* F多謝大大的指導和意見...你說的slots我不太懂...
4 y; G8 V: D0 r3 r8 y3 J- H可否解釋一下...不好意思!!

m851055

回復 6# answerbyme
0 V' s: m% O* r% L, d
) i; _9 M) a( Z6 f
   大於35um 的metal在中心處挖掉metal，一般DRC paper尚有可參考圖示

motofatfat

slots  就是開個凹槽 通常 2X15 或是 2X10
6 p1 [6 S7 B" X) N" b- y如果是在 PAD OPEN之下  rule 會避開
如果是在 PAD CELL 配合一個製程工程師
5 n- V2 D! N1 }  q& V7 y! V看看  有時候可以忽略

ponyshih

如果是因為你為了補metal density而造成的勸你再重畫.
可以試著捕metal方塊: w=2 l=10 spacing:2um.

answerbyme

回復 9# ponyshih

& u9 b! O' C8 ]# i# ^8 K& V謝謝各位大大的意見和指導...讓我受益良多..
小弟已經了解了!!大家一起努力囉!!

nebula0911

關於挖slot的問題,可以參考http://www.armbell.com/forum/vie ... mp;mforum=iclayout.
在這次project中幫我省了不少時間,不敢藏私,與大家分享!!

semico_ljj

理解slot 最好的方法是看Design Rule！