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[問題求助] 請教如何解決DRC的AMS.1.M1、M2、M3、M4、的錯誤

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1#
發表於 2010-6-6 00:13:23 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟LAYOUT完電路後,有碰到密度問題,後來也補上各個METAL密度後,DRC後密度已經解決了.... \# P  y5 X/ p  x6 h; k; u
但是又出現AMS.1.M1、M2、M3、M4、這些錯誤,我用的I/O PAD不是TSMC 提供的I/O PAD.../ [1 {" T: ]# d: r- ~
想請問各位大大如何DRC這個錯誤!!
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2#
發表於 2010-6-10 14:27:46 | 只看該作者
把AMS.1.M1、M2、M3、M4、error 描速清楚一些" S" M' V- m& W8 K, V% y
才能知道 如何解 , 不是TSMC 提供的 這無妨0 T' E5 y/ h) o3 A1 ?# @
PAD CELL 粉多時候是經驗直
3#
發表於 2010-6-10 17:58:10 | 只看該作者
請把rules的描述詳細說明,可能的話也把圖示PO上來。
4#
 樓主| 發表於 2010-6-11 14:50:59 | 只看該作者
回復 3# m851055
$ i5 I2 j3 U) x7 L* o  x6 h5 w不好意思...我DRC錯誤的圖如下...0 _# ^- v$ v" m( y8 n+ b
希望有人可以給我意見指導!! 謝謝!!
; l! U% C+ h& Q4 L8 ]9 |: y# Y9 G4 j. e: p
   

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5#
發表於 2010-6-11 19:25:17 | 只看該作者
就把大於35um的Metal做個slots就好了,要不就是用多條小於35um的metal畫。
6#
 樓主| 發表於 2010-6-13 01:22:15 | 只看該作者
回復 5# m851055 6 @/ Z8 [8 C  G

$ s& `7 e! z2 ~' _/ m多謝大大的指導和意見...你說的slots我不太懂..., Y6 k0 e( Q  `$ ?, G/ r
可否解釋一下...不好意思!!
7#
發表於 2010-6-13 07:36:46 | 只看該作者
回復 6# answerbyme
6 ?* q5 Z* h+ y2 P6 G' W5 t1 p/ u$ L# O$ f$ I) m/ C) h" [+ Q

( K" n) F& T9 j# m5 X5 h) S   大於35um 的metal在中心處挖掉metal,一般DRC paper尚有可參考圖示
8#
發表於 2010-6-14 14:46:42 | 只看該作者
slots  就是開個凹槽 通常 2X15 或是 2X10 / w; P9 r, y$ O( F/ N
如果是在 PAD OPEN之下  rule 會避開
1 j# G2 g5 n2 L* S1 }' G7 |如果是在 PAD CELL 配合一個製程工程師; L( k5 q% {0 C
看看  有時候可以忽略
9#
發表於 2010-6-15 14:24:28 | 只看該作者
如果是因為你為了補metal density而造成的勸你再重畫.8 q2 b" z# k# l  D  _4 ]. D0 K& z7 T
可以試著捕metal方塊: w=2 l=10 spacing:2um.
10#
 樓主| 發表於 2010-6-15 16:04:08 | 只看該作者
回復 9# ponyshih 1 N) U7 K% Y9 N5 A4 l4 P, ?" Z

3 \4 M7 x# r  `8 d3 C, f* U謝謝各位大大的意見和指導...讓我受益良多..
: |* k6 ~+ {+ \& O# Q3 l- g小弟已經了解了!!大家一起努力囉!!
11#
發表於 2010-6-30 11:06:13 | 只看該作者
關於挖slot的問題,可以參考http://www.armbell.com/forum/vie ... mp;mforum=iclayout.
* G/ P# H) Q6 c- q- N1 q; z在這次project中幫我省了不少時間,不敢藏私,與大家分享!!
12#
發表於 2010-7-1 11:53:57 | 只看該作者
理解slot 最好的方法是看Design Rule!
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